実施形態は、材料の前駆体を含有するインクから形体を印刷することに関する。該材料には、電気的活性な材料、例えば、半導体、金属、又はそれらの組合せのほか、誘電体を含む。該実施形態は印刷されるライン又はその他の形体の形状、輪郭及び寸法をより正確に制御できる改善された印刷工程条件を提供する。該組成物（複数可）及び／又は方法（複数可）は、インク中の成分の粘度及び質量負荷を増大させてピンニング制御を改善する。典型的な方法は、従って、材料の前駆体と溶媒とを含むインクを該基板上にパターンとして印刷するステップと、該前駆体を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、該ピンニングラインによって画定されている該材料の前駆体の形体を形成するために、該溶媒を十分に蒸発させるステップと、該材料の前駆体を該パターン化材料に転化するステップとを含む。 （もっと読む）

高度に均一なシリコン／ゲルマニウムナノ粒子が、望ましい小さな二次粒子サイズを有する安定な分散物に形成されることができる。シリコン／ゲルマニウム粒子は、分散物を形成するために表面改質されることができる。シリコン／ゲルマニウムナノ粒子は、粒子特性を変化させるためにドーピングされることができる。分散物は、適切な／用途のためのインクとして印刷されることができる。分散物は、光起電力電池の形成のため又は印刷された電子回路の形成のためなどの、選択的にドーピングされた半導体材料の堆積物を形成するために用いられることができる。
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リボン結晶を成長させるための炉は、所定の方向に所定の速度でリボン結晶を成長させるためのチャネルと、成長中のリボン結晶から一部分を分離させるための分離メカニズムとを有する。分離メカニズムの少なくとも一部は、成長中のリボン結晶から該一部分を分離させている間に、概ね所定の方向に概ね所定の速度で動く。分離メカニズムは、レーザを備え、該レーザは、成長中のリボン結晶を複数回横切って横断するパルス化されたレーザビームを発生させることによって切断するために使用される。
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【課題】基材上に、ポリシラザンから生成されるシリカ膜を短時間で形成できる方法を提供する。
【解決手段】基材上に、ポリシラザンを含有するポリシラザン膜を形成した後、レーザ光またはマイクロ波を照射して前記ポリシラザンをシリカに転化させる工程を有するシリカ膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】可燃性ガスや毒性ガスを用いる必要がなく環境負荷を十分に低減することができるとともに、高熱を印加する必要がなく投入するエネルギーを十分に少なくすることができ、シリコンを効率よく形成することが可能なシリコンの形成方法を提供すること。
【解決手段】３０〜９９．９原子％の珪素と、０．１〜５０原子％の還元性金属元素とを含有する珪素含有材料に、酸素分圧が１０^−２Ｐａ以下の真空雰囲気下で、波長１９２〜１０６４ｎｍ、パルス幅１００ナノ秒〜１０フェムト秒、照射強度１０^８〜１０^１５Ｗ／ｃｍ^２のレーザー光を照射し、シリコンを得ることを特徴とするシリコンの形成方法。 （もっと読む）

本発明は、液体ジェットガイドエッチングにより固形物から物質を除去するための方法に関する。本発明に係る方法は、特にウエハの切削、微細構造化、ドーピングまたはそれへの金属被膜形成のためにも使用される。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【課題】 膜強度が高く、支持体との密着度が高い膜材料およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 金属および／または金属酸化物ナノ粒子と、金属アルコキシドを主原料として得られる有機無機複合樹脂または金属酸化物前駆体ゾルとを含む混合液を支持体上に塗設し、前記混合物が塗設された支持体に対して、レーザを照射して、金属および／または金属酸化物ナノ粒子と無機複合樹脂または金属酸化物ゲルとが相互作用した膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、優れた光・電気特性を示すβ−FeSi₂を高効率で得ることができ、しかも広範囲な基板への集積が可能な低温での合成が簡便に行える、工業的に有利なβ−FeSi₂の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザーアニーリングによりβ−FeSi₂種結晶を有する薄膜からβ−FeSi₂を製造する方法において、該レーザーアニーリングを、β−FeSi₂種結晶を有する薄膜表面の少なくとも一部が液相状態となる条件下で行う。好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを０．３J/cm²〜１．５J/cm²、パルスレーザー光の照射回数が１〜１００ショットとする。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（イ）基板（２１）上にマスク層を積層し、マスク層をストライプ構造にパターニングする段階と、（ロ）基板（２１）及びマスク層に対して酸素イオン注入工程を実施して、基板（２１）内に酸素イオン注入領域（２４）を形成して基板（２１）内に埋め込み、酸素イオン注入領域（２４）によって基板（２１）と分離されたナノワイヤー領域（２６）を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 プロセスを簡素化し、コストの低減と生産性の向上を大幅に図ることができるシリコン製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１工程では、珪質頁岩を精製して高純度シリカを製造する。第２工程では、第１工程で得た高純度シリカを原料として、レーザ（例えば、エキシマレーザ）を用いてＳｉ−Ｏの結合およびＳｉ−Ｓｉの結合を順次切断し、得られたシリコンを水素化してシリコン水素化物（主にＳｉＨ_４）を生成する。第３工程では、第２工程で得たシリコン水素化物を精製／さらに分解して高純度シランおよび高純度シリコンを生成する。 （もっと読む）

【課題】従来のマイクロフィルター濾材を支持体とし、マイクロフィルター濾材上にボトムアップ方式でナノチューブまたはナノ繊維を直接合成・成長させることにより、従来のナノ繊維製造方法では製造できない直径のナノチューブまたはナノ繊維からなるナノフィルター濾材を製造する方法およびその装置を提供する。
【解決手段】反応器内に設けられたマイクロフィルター濾材を支持体として使用し、ナノ触媒粒子を反応器内に供給して支持体上に付着させ、ナノ触媒粒子上に原料ガス及び反応ガスを供給し、反応器を加熱装置で加熱して、反応器内のナノ触媒粒子からナノチューブまたはナノ繊維を合成・成長させることにより、マイクロフィルター濾材上にナノチューブまたはナノ繊維が合成・成長されたナノフィルター濾材を製造する。 （もっと読む）

【課題】ナノメートルオーダーの結晶質シリコン粒子を提供すること、そしてこれを半導体素子として利用できるようにすること。
【解決手段】粒径０．５〜５ｎｍの非晶質シリコン粒子を内在するＳｉＯｘ（Ｘは０．５以上２．０未満）粒子に、光、好ましくはレーザー光、を照射して、粒径１〜１０ｎｍの結晶質シリコン粒子を内在するＳｉＯｘ（Ｘは０．５以上２．０未満）粒子とすることを特徴とするＳｉＯｘ粒子の製造方法であり、好ましくは、粒径０．５〜５ｎｍの非晶質シリコン粒子を内在するＳｉＯｘ（Ｘは０．５以上２．０未満）粒子が、モノシランガスとモノシランガスを酸化するための酸化性ガスとを、圧力１０〜１０００ｋＰａ、温度５００〜１０００℃の条件下で反応して得たものであることを特徴とする前記のＳｉＯｘ粒子の製造方法である。 （もっと読む）

アモルファスの連続気泡ＳｉＯ_２未焼結成形体の表面上に、Ｓｉ_３Ｎ_４焼結層を形成するために適切な前駆物質を施与し、かつ引き続きレーザービーム中現場で該先駆物質をＳｉ_３Ｎ_４焼結層へ変換することを特徴とする、ＳｉＯ_２未焼結成形体からなるＳｉ_３Ｎ_４被覆されたＳｉＯ_２成形体の製造方法。 （もっと読む）