【課題】絶縁膜の絶縁耐圧の向上を図ることのできる絶縁膜の製造方法、反応装置、発電装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】反応物の反応を起こすマイクロリアクタ１は、金属基板である上板２及び底板３等から構成されてなり、底板３とその表面に設けられる薄膜ヒータ３２との間に絶縁膜３１として、希土類元素Ｒの結晶構造を有するＲ_２Ｏ_３膜（Ｙ_２Ｏ_３膜）が形成されている。Ｒ_２Ｏ_３膜は、底板３の表面にＲ膜を成膜した後、水素化してＲＨ_２膜を形成し、さらに酸化することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理方法において、外乱の変化に対応し、装置内への外気の流入を防止し、プラズマ処理部のガス雰囲気を一定に保ち、装置内からのガスの流出を防止してプロセスガス使用量を削減するプラズマプロセス装置を提供すること。
【解決手段】被処理物を処理するプラズマ処理部と、処理ガス供給部と、プラズマ処理部と被処理物とを収容するための筐体と、被処理物を筐体内へ搬入する搬入路及び筐体外へ搬出する搬出路と、搬入路に設けられた第１ガスカーテン機構および第１排気機構と、搬出路に設けられた第２ガスカーテン機構および第２排気機構と、処理ガス供給流量、第１および第２ガスカーテン機構のガス流量、第１および第２排気機構の排気流量をそれぞれ制御する制御部とを備え、制御部は所定のガス濃度の雰囲気で被処理物が処理されるように各流量をプラズマの生成期間と非生成期間において、異なる値になるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】ガスを有効に利用することができるとともに、製造コストを低減させることのできる電極を提供すること。
【解決手段】被処理基板を支持するヒータカバーと製膜カバー１２との間に配置され、前記ヒータカバーと前記製膜カバー１２とで囲繞された空間内にガスを供給し、かつ、上部ガスヘッダー１０ａと、下部ガスヘッダー１０ｂと、これら上部ガスヘッダー１０ａおよび下部ガスヘッダー１０ｂの間に接続された複数本のガス管６０ｃ，６０ｃ’とを具備した電極６０であって、前記被処理基板と対向する位置よりも外側に位置する前記ガス管６０ｃ’には、前記ガスを前記空間内に吹き出すために設けられたガス吹き出し孔６０ｄが設けられていないことを特徴とする。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高感度なプラズマ内励起種測定を行うための方法および装置を提供する。
【解決手段】プラズマ内に存在する励起種の緩和に伴う発光の検出において、ある励起種から放出される発光のうち特定のエネルギー準位間の緩和（遷移）のエネルギー準位を特定するエネルギー準位特定工程と、前記緩和（遷移）エネルギーに相当する波長の光をシード光（種光）として選択するシード光波長選択工程と、シード光波長選択工程で選択された波長の光をシード光としてプラズマ内に照射するシード光照射工程と、照射したシード光との相互作用により起きた発光を検出する発光検出工程と、前記発光検出工程で検出した発光から励起種を判定する励起種判定工程と、を具備することを特徴とするプラズマ内励起種測定方法。 （もっと読む）

【課題】排気コンダクタンスの上昇を抑えつつプロセスガスを短時間で効率的に加熱できるようにした低コストの加熱装置、および、この加熱装置を用いてプロセスガスを高温に加熱して下流の長距離にわたりプロセスガスを高温に維持するプロセスガス処理システムを提供する。
【解決手段】加熱装置１の加熱流路部２００に複数枚配置されたフィン２２０の孔部２２１は、プロセスガスを螺旋状に案内しつつ流すように設けられている。孔部２２１を通過して螺旋状となったプロセスガスが円筒２１０およびフィン２２０から放射される熱により加熱され、反応副生成物の付着を防止する温度が下流の排気流路の終端まで維持されるプロセスガスとする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの状態を乱すことなく、粒子密度を正確に測定できるようにすること。
【解決手段】プラズマ雰囲気の原子又は分子密度を吸光分光により測定する粒子密度測定プローブである。プラズマ雰囲気に設けられる円柱状の導光体２０であって、その先端部１３に、導光体を伝搬した光を反射する反射板１４と、その反射板の手前に、導光体の長手方向に垂直な断面において一部の壁面が欠落した部分が長手方向に所定長だけ形成され、この部分を通過する光とプラズマ雰囲気の原子又は分子とが接触可能にしたプラズマ導入部１５を有する。光伝搬体３２は、プラズマ導入部１５の手前に位置し側壁による全反射により光を軸方向に案内する。 （もっと読む）

【課題】ラジアルラインスロットアンテナを使ったマイクロ波プラズマ処理装置において、アンテナ中の遅波板とマイクロ波放射面を構成するスロット板との間の密着性を向上させ、異常放電を防止する。
【解決手段】スロット板１６を、遅波板１８と熱膨張率が近い材料により形成する。あるいはスロット板１６を、遅波板１８を構成する誘電体板上に、金属を付着させることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、速やかに安定な活性種をワークの処理領域に供給することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、第１の状態と第２の状態とにプラズマ遮蔽部材５１を変位可能な遮蔽手段と、制御手段とを備え、制御手段により、遮蔽手段の作動を制御して、プラズマ遮蔽部材５１を第１の状態とすることにより、ワーク１０の被処理面１０１へのプラズマ処理を停止する非処理モードと、プラズマ遮蔽部材５１を第２の状態とすることにより、ワーク１０の被処理面１０１に活性種を接触させてプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】水素分離精製用膜材料としてバナジウムまたはバナジウム合金を、化学気相析出（CVD）法を用いて、基材に任意の形状で析出させる。
【解決手段】第１の反応容器１と、第１の反応容器１内に配置され、開口部において多孔質基板３で第１の反応容器１と仕切られた第２の反応容器２と、第１の反応容器１内にバナジウム原料９をキャリアガス１０により供給する原料ガス供給手段４と、第１の反応容器１内のガスを排気する第１の排気手段５と、第２の反応容器２内のガスを排気する第２の排気手段６とからなり、第２の排気手段６の排気力を第１の排気手段５の排気力より強くし、化学気相析出法により多孔質基板３表面および／または多孔質基板３中にバナジウムを析出させることを特徴とする化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射手段のような大掛かりな装置を必要とせず、ＰＦＣ系ガスを用いずに、十分な処理効果を奏するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、ガス発生装置及びガス発生方法、並びに、フッ素含有高分子廃棄物処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させる放電空間４に配置されたフッ素含有高分子原料１と、プラズマ中において上記フッ素含有高分子原料と反応することによって、フッ素含有化学反応種を発生させるガスを供給するガス供給手段８とを備え、プラズマ中にフッ素含有化学反応種を発生させ、該フッ素含有化学反応種により被処理物を処理するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、ガス発生装置及びガス発生方法である。フッ素含有高分子廃棄物にプラズマ又はプラズマ中を通過したガスを照射することにより、当該フッ素含有高分子廃棄物のフッ素を回収するフッ素含有高分子廃棄物処理方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、概して、プラズマリアクタにおいて、大面積基板に必要な容量性デカップリングを提供する装置及び方法を提供する。
【解決課題】本発明の一実施形態は、プラズマリアクタにおいて用いるための基板サポートを提供する。プラズマリアクタは、大面積基板の裏面と接触するための複数の隆起領域のある上面を備えた導電性本体を有している。複数の隆起領域は、上面の表面積の約５０％未満を占める。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理の高速化を可能とするプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】グロー放電によりプラズマを発生さるプラズマ表面処理装置は、放電空間４に供給される少なくとも１種のガスの流路上であって、放電空間４の上流に多孔質体９が設置されており、多孔質体９に液状の作用物質を浸透させた状態で、前記ガスを通過させることによって、前記作用物質のミストが形成され前記ガスに含有されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】高機能性薄膜を、大面積へ均一に、生産性高く、且つ、高性能に形成する薄膜形成方法、該薄膜を有する物品、光学フィルム、および、それを達成するための誘電体被覆電極およびプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材を誘電体で被覆した角柱型の誘電体被覆電極であって、前記誘電体の空隙率が１０体積％以下であることを特徴とする誘電体被覆電極 （もっと読む）

【課題】内部でプラズマが発生する反応管の開口近傍の内壁を保護し、メンテナンスを容易に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】センターリング１は、真空を保持して２つの配管の中心軸を位置合わせして接続するために、Ｏリング装着用溝５を外周面に有した第１円環部２と、第１円環部２の円環の中心軸方向両側にそれぞれ隣接した２つの第２円環部３とを有し、第１円環部２に隣接する一方の第２円環部３ｂは、外径が他方の第２円環部３ａと等しく、かつ、内径が他方の第２円環部３ａより小さく形成されると共に、内周面の全周縁に、円環の中心軸に平行な方向に突起部４を備える。 （もっと読む）

【課題】
装置の複雑化や、大型化を招くことなく、多様な成膜条件に適用可能なガス混合器、これを用いた成膜装置、及び面内均一性の高い薄膜を形成できる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくとも二以上の混合室を備えるガス混合器において、第一混合室に、混合しようとする二種以上のガスがそれぞれ導入される二以上の導入口と、一以上の排出口とを設けるとともに、第二混合室に、第一混合室に設けられた排出口と連通し、第一混合室から排出されたガスが導入される一以上の導入口と、一以上の排出口とを設け、第一混合室及び／又は第二混合室に設けた排出口を、同じ混合室に設けられた導入口に対して、ガスの流れ方向において重ならないように配設する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマを用いて、熱可塑性容器をバリアで迅速に被膜するための装置を提供する。
【解決手段】複数の処理機を備え、各処理機は、処理容器２と真空ポンピングチャンバを有するカバー３とを備える。上記容器に密閉接続するための接続手段は、上記カバー内に、上記容器の首部と同軸のスリーブを備え、この各カバーは、容器内に反応性流体を注入するための、上記スリーブに同軸な注入器も支持している。隣接した複数の処理機のうち、上記スリーブ６及び／又は上記注入器８は、処理機のカバー上に橋状に延設された１つの支持板に固定され、上記支持板と処理機のスリーブ及び／又は注入器とが、一部品として操作される単一アセンブリ１６、２１を構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の絶縁耐圧の向上を図ることのできる絶縁膜の製造方法、反応装置、発電装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】反応物の反応を起こすマイクロリアクタ１は、金属基板である上板２及び底板３等から構成されてなり、底板３とその表面に設けられる薄膜ヒータ３２との間に絶縁膜３１として、希土類元素Ｒの結晶構造を有するＲ₂Ｏ₃膜（Ｙ₂Ｏ₃膜）が形成されている。Ｒ₂Ｏ₃膜は、底板３の表面にＲ膜を成膜した後、水素化してＲＨ₂膜を形成し、さらに酸化することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】 ＵＶ照射チャンバーをクリーニングする方法は、（ｉ）ＵＶ照射チャンバーに設けられた光透過窓を透過したＵＶ光で基板を照射することを完了した後に、ＵＶ照射チャンバー外でクリーニングガスのラジカル種を発生させる工程と、（ii）ＵＶ照射チャンバーの外部からＵＶ照射チャンバー内へラジカル種を導入することによって、光透過窓をクリーニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細な連続気孔を持つ構造物あるいは膜を基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】平均微粒子径が０．１μｍ未満の脆性材料超微粒子を焼成し、これら脆性材料超微粒子同士を一部結合せしめて多孔質微粒子を形成する。次いでこの多孔質微粒子をガス中に分散させてエアロゾルとし、このエアロゾルを基材に向けて吹き付けて多孔質微粒子を衝突させて、基材上に、多孔質微粒子同士が結合して堆積した多孔質構造物を形成する。 （もっと読む）