【課題】低コストで形成可能であると共に低抵抗の導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】低コストで単結晶薄膜を形成することができる薄膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜前駆体１３を堆積させる堆積ステップと、テンプレート２０の単結晶部分２２を前記薄膜前駆体１３に対して接触状態とする接触ステップと、前記薄膜前駆体１３のうち前記接触状態にある部分を結晶成長させる成長ステップと、前記テンプレート２０を前記薄膜前駆体１３から剥離させる剥離ステップとを備える。成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体１３を加熱することにより、薄膜前駆体１３のうちテンプレート２０側から基板１１側へと結晶成長を進行させる。剥離ステップにおいては、薄膜前駆体１３に負担を掛けないよう、例えばケミカルリフトオフ法又はレーザリフトオフ法を用いる。以上の方法により、結晶成長用の単結晶基板や複雑な装置を用いることなく、低コストで単結晶薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れたアルミニウム酸化物膜を有する積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、アルミニウム源を含有し、かつ、分極率の値の差が５以下である状態の溶媒を含有するアルミニウム酸化物膜形成用溶液を、アルミニウム酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上にアルミニウム酸化物膜を形成することを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】超平滑な、膜の深部まで完全に酸化膜となっており、粒径が揃っており、ターゲット基板表面に対して低ダメージでコーティング可能で、ストイキオメトリックな希土類酸化物膜を作製する技術を提供する。
【解決手段】第１の真空度に保持された第１の反応室内で、原子ビーム照射手段により原子状酸素ビームを発生させ、第２の真空度に保持された第２の反応室内で、アークプラズマ発生手段により希土類金属をビーム状に発生させターゲットに蒸着させる工程と同時に、原子状酸素ビームを第１の反応室からオリフィス通路を通して第２の反応室の前記ターゲットに照射させる工程を備え、ターゲット表面に、光の干渉を生じる平滑性を有し、膜の厚さ方向全体にストイキオメトリックな希土類酸化物膜を形成させる。 （もっと読む）

２から２０ｎｍに及ぶ平均細孔径、ｐＨ７超の等電点により定義された基本表面特徴、および５０ｍ²／ｇ超の比表面積を有するメソ多孔質遷移金属酸化物をＮＯｘ膜としてＮＯｘ検出装置に組み込むことができる。このメソ多孔質遷移金属酸化物は、イットリウム、ランタンおよび／またはセリウムの酸化物を含み、界面活性剤鋳型自己組織化プロセスを使用して形成できる。
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【課題】Ｘｅガスのガス放電により生成した紫外光により励起されると、高い効率で紫外光を放出する酸化マグネシウム粉末を提供する。
【解決手段】フッ素を０．０１〜１０質量％の範囲で含有する、酸化マグネシウム純度が９９．８質量％以上（但し、酸化マグネシウム純度は、含まれるフッ素を除いた総量中の酸化マグネシウム純度である）で、かつＢＥＴ比表面積が０．１〜３０ｍ²／ｇの範囲に
あるフッ素含有酸化マグネシウム粉末。 （もっと読む）

【課題】保存安定性が高く、繊維状もしくは針状ベーマイト粒子が溶液に分散したアルミナゾル及びその製法を提供する。
【解決手段】短径が１〜１０ｎｍ、長径が１００〜１００００ｎｍで、アスペクト比（長径／短径）が３０〜５０００であり、繊維状もしくは針状の形状を有するアルミナ水和物粒子又はアルミナ粒子が溶液中に分散したアルミナゾルであって、以下の特性；Ｎａ、Ｋ、ＳＯ_４の含量が０〜１ｐｐｍ、粒子集積時に配向性を有し、２５０〜９００℃の焼成処理で、紫外線励起による発光：有り、を有するアルミナゾル、及びその製造方法。
【効果】高純度アルミナ多孔質自立膜及びコーティングなどの処理で得られた支持体付膜などの前駆体、すなわち、光学材料、センサー素子、分離膜、光電気化学膜、イオン伝導膜、触媒担体などの原料として利用可能な新規アルミナゾルを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】皮膜の欠陥が少なく、真空特性及び耐食性に優れた真空機器用表面処理アルミニウム材を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に無孔質陽極酸化皮膜が形成されたアルミニウム材を用意し、該無孔質陽極酸化皮膜を剥離し、再度、電解によって該アルミニウム材の表面に無孔質陽極酸化皮膜を形成する。該方法を用いることにより、該アルミニウム材の表面に含まれる金属間化合物が効果的に除去され、その後、欠陥のない良質な無孔質陽極酸化皮膜が形成されることにより、優れた耐食性と真空特性とが得られる。前記無孔質陽極酸化皮膜の剥離は、アルカリまたは酸、特に苛性ソーダ、クロム酸を用いた方法が好適である。 （もっと読む）

【課題】基材表面の光反射率を低減する低反射膜において、特に屈折率が低いことを特徴とする氷晶石材料とその成膜法が求められている。
【解決手段】基材表面の光反射率を低減する低反射膜において、該低反射膜は超微粒子から形成され、該超微粒子が、氷晶石であることにより低屈折率を示すことを特徴とする低反射膜。フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムの微粒子であるものを含んでも良い。超微粒子の平均粒径が５〜５００ｎｍである特徴も持つ。 （もっと読む）

【課題】自立膜として利用可能な十分な強度を有し、可撓性があり、かつ高い透明性を有するアルミナ多孔質自立膜を提供する。
【解決手段】平均短径が１〜１０ｎｍ、平均アスペクト比（長径／短径）が３０〜５０００、かつ平均長径が１００〜１００００ｎｍである繊維状もしくは針状のアルミナ水和物粒子又はアルミナ粒子の集積からなり、配向性を有し、細孔直径ｄ_ｐｅａｋ＝０．５〜２０ｎｍの細孔分布を有し、可撓性があり、高い透明性を有し、紫外線励起による発光能を有するアルミナ多孔質自立膜。
【効果】アルミナ自立膜の前駆体として利用可能な、あるいは、優れた熱安定性、熱伝導性、電気絶縁性などを併せ持つ、光学材料、センサー素子、分離膜、光電気化学膜、イオン伝導膜、触媒担体などの材料として利用可能な新しいアルミナ多孔質自立膜を提供することができる。 （もっと読む）

例えば分子レベルガス分離及び／または液体濾過に有用であり得る、無機材メンブレンの作製方法、例えばγ-アルミナ無機材メンブレンの作製方法が開示される。
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【課題】冷電子放出源や有機ＥＬ等の素子へＣ１２Ａ７エレクトライドを応用するために
、大気中でも界面が劣化することが少ない、オーミック表面を形成すること。
【解決手段】１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３エレクトライドを導電性素子材料として、その表
面に金属を蒸着してオーミック接合を形成する方法において、該素子材料表面をリン酸処
理して改質した後、該素子材料表面に金属を蒸着することによって、該素子材料表面と該
金属との界面の接触抵抗を０．５Ω・ｃｍ^２未満とすることを特徴とするＣ１２Ａ７エレ
クトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄片状物質を可視光反射性の小さい物質そのもので形成される構造体とすることで、物品の可視光反射性を抑制することを可能とする薄片状物質を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の薄片状物質は、微粒子の集合体からなる薄片状物質であり、前記集合体は微粒子と微粒子とが固結して形成されるものであり、前記微粒子がフッ素化マグネシウムを含んでいることを特徴する。好ましくは、フッ素化マグネシウムがMgF_2-x（OH）_x（x=1〜0）とする。さらには、微粒子の平均粒径が５〜１００ｎｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】より低温の温度域で、良好なカーボン除去特性を示すカーボン除去装置を提供する。
【解決手段】アノード電極１２０と、カソード電極１３０と、前記両電極の間に設置されたプロトン導電性を有するプロトン導電膜１１０とを有し、アノード電極１２０にカーボンを付着させ、アノード電極１２０が水蒸気を含む環境に曝された状態で両電極に電流または電圧を印加し、水蒸気から解離した酸素によりアノード電極１２０に付着したカーボンを酸化してカーボンを除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Ａl-ＳiＣ、Ａl-炭素、又はＡl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の凹凸や亀裂等に金属酸化物薄膜を成膜するための酸化物膜形成方法および酸化物被膜部材を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ装置を使用し、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）焼結体基板１０へ大気開放型ＣＶＤ法を用いてＹ₂Ｏ₃膜を生成する。Ｙ₂Ｏ₃膜の出発原料としてＹ(ＤＰＭ)₃を用いることで、酸化イットリウム膜を基材に沿って合成でき、基板表面の凹凸の均一化、粒界亀裂等の最奥部までの酸化イットリウム膜の蒸着による埋孔が可能となる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板と、酸化物材料から作られた少なくとも１つの配向したバッファ層とを含む、高温超電導体層配置に関する。本発明によれば、前記バッファ層は、均質な混晶相を形成する追加成分を少なくとも１種含有し、前記追加成分は、第一サブグループから選択される遷移金属であり、及び／又は、１，６００℃以下のアニール温度にて、酸化物バッファ材料と、少なくとも部分的に溶融する。前記追加成分は、特に、銅及び／又は銀とすることができる。 （もっと読む）

【課題】高い触媒活性を長期にわたり維持できる酸化触媒体を備える酸素分離膜エレメントを提供すること。
【解決手段】本発明により提供される酸素分離膜エレメント１０は、酸素イオン伝導性セラミック体から成る酸素分離膜１３と、当該酸素分離膜の少なくとも一方の表面に形成された酸化触媒体１４とを備えた膜エレメントであって、上記酸化触媒体は、一般式ＡＢＢ’Ｏ_３−δ（δは電荷中性条件を満たすように定まる値。）で表わされるペロブスカイト型酸化物であり、ここでＡは、Ｌｎ（ランタノイド）、Ｂａ、Ｓｒ及びＣａからなる群から選択される１種又は２種以上の元素であり、Ｂは、少なくともＴｉとＦｅとを包含するペロブスカイト型構造を構成し得る複数の金属元素であり、Ｂ’は、ニッケル、コバルト及び白金族元素からなる群から選択される１種又は２種以上の元素である。 （もっと読む）

【課題】高い臨界電流密度を有する超電導薄膜を形成するための下地として用いられる酸化セリウム薄膜およびそれを含む超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導薄膜を形成するための下地として用いられる酸化セリウム薄膜であって、酸化セリウム薄膜の主面における（１００）面の配向割合が６０％以上であり、酸化セリウム薄膜の主面は面内四回対称性を有し、酸化セリウム薄膜の主面の（１００）面に対応するＸ線回折ピークの半値幅が１０°以下であり、酸化セリウム薄膜の主面の算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下であって、酸化セリウム薄膜の膜厚が４００ｎｍ以上である酸化セリウム薄膜とその酸化セリウム薄膜を含む超電導線材である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化セリウムを高い結晶性をもって大面積で製膜することができる、新規な薄膜結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】硝酸セリウム水溶液とヘキサメチレンテトラミン（ＨＭＴ）水溶液を混合した後、当該混合液を基板に塗布する。この基板に対してレーザー光を照射し、基板上に核を析出させることによって、基板上に結晶面がそろった酸化セリウム結晶の薄膜を形成する。上述した方法における硝酸セリウム水溶液およびＨＭＴ水溶液に関しては、所定の濃度条件の下、両者を混合する。 （もっと読む）