【課題】フッ化物結晶母材とは異なる形状を有して光学特性に優れたフッ化物結晶成形体を提供する。
【解決手段】フッ化物結晶成形体からなる光学部材は、１７２ｎｍの波長における厚さ１０ｍｍあたりの光透過率が９０％以上であり、少なくとも一方向の断面の面積が３５０×３５０ｍｍ以上である。また、１４６ｎｍの波長における厚さ１０ｍｍあたりの光透過率が８５％以上である。さらに、１２６ｎｍの波長における厚さ１０ｍｍあたりの光透過率が６５％以上である。 （もっと読む）

【課題】炭素同位体^１２Ｃを用いて硬度を高くすることが可能となる単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドは、炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不可避不純物とで構成される。不可避不純物は、窒素と、硼素と、水素と、ニッケルとを含み、複数の不可避不純物のうち窒素、硼素、水素の合計含有量を０．０１質量％以下とする。単結晶ダイヤモンドを製造するには、まず炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上であり脱窒素処理が施された炭化水素ガスを、真空チャンバ内において、例えば１２００℃以上２３００℃以下の温度で、基材上で熱分解することで得られた炭素原料を準備し、該炭素原料を用いてダイヤモンドを合成し、該ダイヤモンドから種結晶を切り出す。この種結晶を、溶媒および炭素源とともにセル内に収容した状態で、高温高圧合成法にて種結晶から単結晶ダイヤモンドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】温度の計測が可能となる特性を有する半導体多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体多結晶ダイヤモンドは、平均粒径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下のダイヤモンド結晶粒と、５×１０^１４／ｃｍ^３以上５×１０^１９／ｃｍ^３以下の硼素および不可避不純物とで構成され、温度が上昇した際に電気抵抗が減少する特性を有するように硼素をダイヤモンド結晶粒中に分散させる。該半導体多結晶ダイヤモンドは、気相合成で作製され硼素を５×１０^１４／ｃｍ^３以上５×１０^１９／ｃｍ^３以下含むグラファイトを、１２００℃以上２５００℃以下の温度、７ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下の圧力で直接ダイヤモンドに変換することで得られる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径が５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃの炭素同位体の純度が９９．９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】低損失化を図ることができ、かつショットキー電極層の剥離を防止できるダイヤモンド電子素子、及びこのようなダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド電子素子１では、ドリフト層２３の一面側において、ショットキー電極層１５の周囲を囲むように酸化物絶縁層１２が配置されている。このため、高温環境下で使用してもドリフト層２３の表面のグラファイト化が抑制され、低損失化を図ることが可能となる。また、ダイヤモンド電子素子１では、反応性の良好なＴｉからなる中間層１３の介在によってドリフト層２３の表面に強固に接合された酸化物絶縁層１２と、この酸化物絶縁層１２の表面に強固に接合された電極パッド層１６とに覆われることで、ドリフト層２３とショットキー電極層１５との密着性が補われる。これにより、ショットキー電極層１５の剥離を好適に防止できる。 （もっと読む）

高温高圧プロセスによって成長させた、窒素で置換され、窒素が孤立して存在しているダイヤモンドから、窒素空孔中心を含むダイヤモンドを製造する方法であって、
−照射線量が１ｃｍ^２当たり１０^１７個から１０^１９個の電子になるように、前記ダイヤモンドに電子ビームを照射するステップ（１２）と、
−電子ビームを照射したダイヤモンドを、真空中または不活性雰囲気中で、７００℃を超える温度で少なくとも１時間アニールするステップ（１４）とを含み、
前記電子ビームが、７ＭｅＶを超える加速エネルギーを有することを特徴とする方法。
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【課題】簡便な方法で任意の場所に金属ウィスカを発生させることができる金属ウィスカの製造方法を提供する。
【解決手段】基板（電極１２）の端面と少なくとも端面に連なる主面の一部とに金属のめっき層１３を形成し、基板（電極１２）のめっきされた主面に対し基板厚み方向に面圧を加えることにより、基板（電極１２）の端面側のめっき層１３表面に金属のウィスカ１５を形成する。金属は、ＳｎまたはＺｎの単金属、あるいはＳｎまたはＺｎを含む合金である。 （もっと読む）

単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
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【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン基板１の表面層に、簡単に、シリコン結晶を所望のサイズ（長さ、幅）、平面形状、配列で形成することができ、半導体デバイス、ケミカルセンサ、バイオセンサ等、多方面の分野への適用が可能なシリコン結晶材料を提供する。
【解決手段】酸化シリコン基板１の表面にシリコンより、電気陰性度の低い元素の金属膜２を真空蒸着又はレーザーアブレーションで任意の平面形状で形成し、その後、金属膜２の形成された酸化シリコン基板１に真空又は不活性ガス雰囲気中で加熱処理を施して酸化シリコンを還元し、金属膜２と界面における酸化シリコン基板１の表面層に、シリコン結晶を析出させる。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は最表面が六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を表層部に有した酸化ガリウム単結晶複合体の選択的製造方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を窒素プラズマで窒化処理して窒化ガリウム層を形成する際に窒化処理の時間を制御することで、反射高速電子線回折によって測定される窒化ガリウム層の最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を選択的に製造する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこの複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 切削バイト等の工具や掘削ビットとして十分な強度、硬度、耐熱性を有する緻密で均質なダイヤモンド単相の多結晶体を、低価格で提供することを目的とする。
【解決手段】 非ダイヤモンド型炭素物質を含む原料組成物を、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、当該多結晶体が、最大粒径が１００ｎｍ以下かつ平均粒径が５０ｎｍ以下の微粒ダイヤモンド結晶と、粒径が５０ｎｍ以上かつ１００００ｎｍ以下の板状もしくは粒状の粗粒ダイヤモンド結晶との混合組織を有する高硬度ダイヤモンド多結晶体とする。 （もっと読む）

大単結晶金属の成長方法が公開される。金属試料の多結晶形態が当初、非酸化環境において加熱される。最小塑性歪がそれから加熱金属試料内部で選定粒子の成長を開始させるために加熱金属試料に加えられる。付加塑性歪が、選定粒子の大単結晶への成長を伝播させるために、加熱金属試料に引き続き加えられる。 （もっと読む）

【課題】セラミックスを含む配向膜を低コストで製造できる配向膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に向けて粉体を噴射して該基板上に堆積させるエアロゾルデポジション法を用いることにより、少なくとも表面における結晶配向が制御された種基板１上にセラミックス膜１０を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）において形成されたセラミックス膜１０を熱処理することにより、セラミックス膜に含まれる結晶粒を配向させる工程（ｂ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】圧力が結晶多形に及ぼす影響をスクリーニングする方法を提供すること。
【解決手段】アモルファス状の対象化合物の懸濁液を加圧処理もしくは減圧処理する工程を含むことを特徴とする対象化合物の結晶多形のスクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】 高価で特殊なダイヤモンド製造用装置を使用しなくても、天然のダイヤモンドと同様の結晶構造を有したダイヤモンドが製造可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイヤモンドの製造方法は、松や杉などの樹木を燃した際に生じるタールを釜に入れて加熱することにより、空消状の炭化物を製造する工程Ａと、工程Ａにて得られた空消状の炭化物を粉砕し、得られた粉砕物をヨウ化メチレンの中に投入して上澄み部分を除去し、ヨウ化メチレンに沈降した沈降物を取り出した後、水で洗浄し、当該沈降物の中から黒色の多面状結晶物だけを選別する工程Ｂと、工程Ｂで得られた多面状結晶物を、無色透明の結晶物となるまで加圧せずに常圧下で４００〜６００℃の温度にて加熱する工程Ｃを含み、１カラット程度の大きさのダイヤモンドを製造する場合の工程Ｃの加熱時間は約２年である。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜を有する窒化アルミニウム積層基板を提供する。
【解決手段】 サファイア等の単結晶α−アルミナ基板を、窒素、カーボンおよび一酸化炭素の存在下に加熱、窒化処理して結晶性窒化アルミニウム膜を同基板上に積層するとともに、同一工程で同時に該α−アルミナ基板と結晶性窒化アルミニウム膜層との界面に気孔を不規則に点在せしめることを特徴とする結晶性窒化アルミニウム積層基板の製法と当該積層基板。 （もっと読む）