【課題】単結晶ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層又はグラフェンナノリボンを形成する方法及びそれにより得られたグラフェン・ダイヤモンド積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層した、又はダイヤモンド基板上にグラフェンのナノリボン膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板表面に、結晶性のよい窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】バイオスクリーニングにおいて標的物質を回収するために用いる構造体であって、加工性が高くまたは融点が低くかつ密度が小さなシリコンを用いて、表面積が大きくかつ磁気特性を帯びたシリコン構造体を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１のシリコンを主成分とする表面に直接接合された二酸化珪素を主成分とする複数の繊維状突起物１２とを備えたシリコン構造体１０であり、繊維状突起物１２に磁性体を担持させた。二酸化珪素からなる複数の繊維状突起物１２を互いに絡み合うように密集して形成させることにより、表面積を増大しかつ、繊維状突起物１２に磁性体１３を担持させることにより磁気分離が可能で高効率な回収を可能とする。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を有する分枝状ナノワイヤーを容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系ナノワイヤ-50の表面を湿式エッチングし、表面欠陥56を形成する。次いで、シリコン系ナノワイヤー50を脱イオン水または空気中に露出させ、表面に酸化物層52を形成する。この工程で、シリコン系ナノワイヤーの表面にはシリコン核54が形成される。この後、シリコン核より分枝状ナノワイヤーを成長させる。本方法によれば、単一形状のナノワイヤーではなく枝が付いたナノワイヤーを製造できる。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として歪みが少なく大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ母材層２に所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み酸化物層４が形成されたＳＯＩ基板１に対し、表面Ｓｉ層３側からＰイオンを注入することにより、埋め込み酸化物層４をＰＳＧ層６に変成させて軟化点を低下させるＰイオン注入工程と、ＰＳＧ層６が形成されたＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３をＳｉＣに変成させたのち冷却させて表面に単結晶ＳｉＣ層を形成するＳｉＣ形成工程とを行なう。 （もっと読む）

【課題】従来にない極めて高品質で大面積の単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４上に供給してＳｉＣ単結晶９を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料として、ＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン粒子の原料３成分を供給する工程を含み、原料供給管６先端の内径がＳｉＣ種結晶４の結晶径の８０％以上となるように加工されている単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶を種結晶上に成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法で、窒化アルミニウム単結晶の製造を絶え間なく連続的に行うことを可能とする方法を提供する。
【解決手段】種結晶３として、炭化珪素、サファイア、又は、窒化アルミニウム等からなるウルツ鉱型の結晶構造を有する単結晶を用い、種結晶３上に窒化アルミニウム単結晶を成長させてなる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、窒素を含む雰囲気中に加熱状態で保持されている種結晶３表面に向けて、アルミニウム原子を含有する化合物超微粒子と炭素含有超微粒子、及び又は、炭素原子と窒素原子を含有する化合物超微粒子を供給し、種結晶３表面、及び又は、近傍において、還元窒化させ、窒化アルミニウム単結晶を種結晶３上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに安定して連続成長させる単結晶ＳｉＣ製造方法、及び、その方法で得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】高温加熱保持することができる坩堝内にＳｉＣ単結晶を成長させるためのＳｉＣ種結晶３及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管を配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスと共に原料供給管を通してＳｉＣ種結晶上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、配置工程において、ＳｉＣ種結晶をＳｉＣ種結晶に応力がかからないように保持手段１、２により原料供給管の末端近傍に配置し、かつ、成長工程において、単結晶ＳｉＣ製造用原料としてＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子の原料３成分を供給する単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来にない極めて高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣ９を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料として、ＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン粒子の原料３成分を供給する。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその製造装置並びにその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４’が固定されたサセプタ５’及び不活性ガス供給管６’を坩堝２’内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２’内に単結晶ＳｉＣ製造用原料７’を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４’上に供給して単結晶ＳｉＣ８’を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料７’がＳｉＣ粒子である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ドメインの混在のない高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、成長工程において、ＳｉＯ₂粒子と、カーボン（Ｃ）粒子と、少なくとも１つの特定粒子とを供給し、特定粒子は、融点及び／又は昇華点が９００℃以上２，４００℃以下である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛膜の結晶化処理の低温化、処理時間の短縮化を図る。
【解決手段】基材Ｗに酸化亜鉛膜ｆをスピンコート法やプラズマＣＶＤ等で成膜する。この基材Ｗを温調手段４０で３５０℃程度に加熱、温調しながら、酸素と窒素の混合ガス等からなる結晶化用処理ガスをプラズマ照射手段１０にてプラズマ化し、このプラズマを基材Ｗに照射する。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＳｉＣの混入を防止した高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる単結晶ＳｉＣの製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣ、さらに、多結晶ＳｉＣの混入を防止し、高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させることができる単結晶ＳｉＣの製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種単結晶４が固定されたサセプタ５及び外部から単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を、坩堝２の中に配置する工程、高温雰囲気とした坩堝２内に、単結晶ＳｉＣ製造用原料を原料供給管６を通してキャリアガスＡと共に供給して、単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料供給管６とＳｉＣ種単結晶４との距離をＬ（ｍｍ）、キャリアガスＡの線速をＳ（ｍｍ／ｓｅｃ）としたとき、Ｌ／Ｓ（ｓｅｃ）≦３を満たす単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
（もっと読む）

【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なＡｌＮ単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分（水蒸気ガス）あるいはＯ₂ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも１３００℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるＡｌＮを反応生成させる。酸化性の酸素元素含有ガスの添加を行うことで、ＡｌＮの生成速度を適度に抑制して、表面平坦性が良好なＡｌＮ単結晶膜を形成することができる。酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置１００の内部にさや１０２などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。
【解決手段】本願の骨子は、Ｓｉ層上にＳｉやＳｉＣよりも融点の低いＳｉＧｅ層と非晶質ＳｉＣを形成し、これら積層構造をＳｉＧｅの融点以上に加熱することにより、ＳｉＣとＳｉ基板の間の歪みを緩和し、同時に非晶質ＳｉＣからの結晶化を行うことで、結晶性と表面諸フォジーが良好な単結晶ＳｉＣ層を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】 極めて微細な結晶粒径の焼結多結晶ダイヤモンド（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａ
ｌｌｉｎｅ ｄｉａｍｏｎｄ ｍａｔｅｒｉａｌ：ＰＣＤ）材料は、高圧／高温（ｈｉｇ
ｈ ｐｒｅｓｓｕｒｅ／ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：ＨＰ／ＨＴ）処理下で、事
前に混合する触媒金属とともにダイヤモンド粉末を焼結することにより作製する。前記Ｐ
ＣＤ材料は、焼結後の平均ダイヤモンド結晶粒構造寸法が１．０μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の単結晶シリコン層を短時間で加熱して単結晶炭化シリコンに変成させる。
【解決手段】 基板１００を複合炭素からなるカーボンサセプタ４２０上に置き、炭素源ガスを供給しつつ基板１００の表面に赤外線ランプ４００からの赤外線を照射して表面の単結晶シリコン薄膜を炭化シリコンに変成させる。 （もっと読む）