【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのガス流の安定化を図り、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることを可能とする。
【解決手段】台座１０とヒータ１１とを別体にすると共に、排気ガス出口１１ａが台座１０よりも下方位置に配置されるようにすることで台座１０によって覆われないようにし、台座１０が引上げられても面積の変動が無いようにする。このような構成とすることで、ＳｉＣ単結晶の成長中に原料ガス３のガス流が変化しないようにできる。これにより、原料ガス３のガス流の安定化を図ることが可能となり、長時間安定してＳｉＣ単結晶を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスから結晶への固体変換効率を高めたダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応槽１１内で、化学気相法により原料ガスから基板７１上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶成長方法であって、次式（１）を満たす原料ガス供給流量Ｇ_０で反応漕１１内に原料ガスを供給し、次式（２）を満たす排気流量Ｇ_２で反応漕１１内から排気するダイヤモンド結晶成長方法を用いることにより、原料ガス濃度を最適化して、結晶化効率を向上させるとともに、未反応の原料ガスの排気を抑制して、原料の回収効率を高めることができ、原料ガスからダイヤモンド結晶への固体変換効率を高めることができる。Ｇ_０≦１０×Ｓ×ｈ…（１）Ｇ_２≦０．９０×Ｇ_０…（２）ここで、Ｓは基板面積であり、ｈは結晶成長速度である。 （もっと読む）

【課題】高い抵抗率（例えば、１×１０^５Ωｃｍ以上、１×１０^１２Ωｃｍ以下）、良好な抵抗率の均一性（例えば、ウエハ表面積の８０％に相当するウエハ内周側の位置での抵抗率のバラツキが±３０％以下）、及び良好な結晶性（例えば、Ｘ線（００４）回折の半値幅が３０〜３００秒）を有する半絶縁性窒化物半導体ウエハ、半絶縁性窒化物半導体自立基板及びトランジスタ、並びに半絶縁性窒化物半導体層の成長方法及び成長装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の成長方法は、基板上にIII族原料ＧａＣｌを連続的又は断続的に供給するとともに、窒素原料ＮＨ_３と半絶縁性を付与する半絶縁性ドーパント原料Ｃｐ_２Ｆｅとを交互に供給して基板上に半絶縁性窒化物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】一定量のシリコン原料ガスをシリコンエピタキシャル成長装置の反応室に供給できるシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム及びシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料混合ガス集中供給装置１で生成した原料混合ガス中のシリコン原料ガスの濃度値を常時測定する複数の濃度値測定装置１８ａ，１８ｂと、前記濃度値、又は前記濃度値から計算された補正値を各シリコンエピタキシャル成長装置１１，１２，１３にデジタル信号で伝達する伝達手段１７と、前記濃度値若しくは前記補正値に基づいて、各シリコンエピタキシャル成長装置１１，１２，１３内の反応室１１ｃ，１２ｃ，１３ｃに供給する前記原料混合ガスの量を随時補正する流量制御装置１４，１５，１６と、を具備するシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム１０とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜の気相成長において、一度に処理する基板の枚数を増大させ、生産性を向上させることができる膜の形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】縦型バッチ処理室２０１内の基板処理領域２０６２に複数の基板が搬入される工程と、前記処理室内の前記基板処理領域が加熱維持され、前記処理室内の前記基板処理領域外に設けられた第一ガス供給口９３１から窒素含有ガスが供給され、前記第一ガス供給口９３１よりも前記基板処理領域側に設けられた第二，第三，第四，第五ガス供給口９３５，９３６，９３７，９３８から金属含有ガスが供給され、前記複数の基板に窒素及び金属からなる窒化物半導体膜が形成される工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた制御性および再現性を実現しつつ、結晶中の面内方向および膜厚方向に均一に珪素が高濃度にドーピングされたＩＩＩ族窒化物結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長炉内に下地基板を準備する工程と、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させて該下地基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる成長工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、前記成長工程で結晶成長炉にさらにハロゲン元素含有物質及び珪素含有物質を同一の導入管から供給するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム化合物を含む第一ガスと、窒素化合物を含む第二ガスを、気相成長装置の成長室内へ供給して、成長室内に設置した基板上にＧａ含有窒化物半導体を成長させるＧａ含有窒化物半導体の製造方法であって、第一ガス及び第二ガスを成長室内へ供給している期間において、平均の成長速度が６６μｍ／ｈ以上となるように、特定の供給量となるＨＣｌガスを含む第三ガスを前記第一ガスの供給口とは別の供給口から前記成長室内へ供給することを特徴とするＧａ含有窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。
【解決手段】 単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、前記種基板に向かって開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成されたガス供給管の前記ガス供給口において、前記内筒部から３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を前記種基板に直接供給させ、前記内筒部と前記外筒部との間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを、前記内筒部からのガス供給速度よりも遅いガス供給速度にて、前記種基板に直接供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法と装置を提供する。
【解決手段】基板(1)上に材料をエピタキシャル成長させる方法である。前記方法が、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む。また、前記方法は、それぞれの前駆物質からの前記核種が前記領域に順次に、個々に供給されてもよく、前記核種を基板の相対移動により前記領域に個々に供給して、前駆物質の分解が発生する位置に対して前記領域を移動させてもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を凸面成長させられるようにする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶製造装置１のうち加熱容器８における反応容器９側の端部に縮径部８ｄを設け、この縮径部８ｄにより原料ガス３の流束がＳｉＣ単結晶の成長面上において面内分布を持つようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶を凸面成長させることが可能となる。したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱して膜形成を行う際に反応ガスを効率良く使用でき、膜厚均一性の高い高品質のＳｉＣ膜を実現できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、成膜室１０２と、成膜室１０２内に珪素のソースガスを含む第１の反応ガス１３１をＳｉＣウェハ１０１上に供給する第１のガス供給路１４０と、炭素のソースガスを含む第２の反応ガス１３２を供給する第２のガス供給路１４１とを用いて構成し、第１のガス供給路１４０は先端が成膜室１０２内のＳｉＣウェハ１０１の近傍まで延びており、第２のガス供給路１４１は成膜室１０２上部に設けられ、第１のガス供給路１４０から供給された第１の反応ガス１３１と第２のガス供給路１４１から供給された第２の反応ガス１３２とを用いてＳｉＣウェハ１０１上でＳｉＣ（炭化珪素）膜の成膜を行うようにする。 （もっと読む）