【課題】表面品質の良好な半導体デバイスを製造し、製造歩留まりを向上させ、製造コストの低下を図ることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、互いに間隔をおいて成長基板１１の表面側に隆起してなる底部１３１と該底部１３１の上に続いて形成する先端部１３２とを有する複数の突起１３、１３、・・・を形成する工程と、複数の隣り合う突起の間に成長基板１１側とキャビティ１６が画成されるようベース層１５を、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの先端部１３２、１３２、・・・に跨るように横方向へ成長させる工程と、半導体デバイスとして、ベース層１５を直接厚く成長させて、厚膜層１７を形成する工程と、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの底部１３１、１３１、・・・を除去し、厚膜層１７を半導体デバイスとして成長基板１１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板の表面上に金属薄膜からなり１〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。また、この配向基板配向性改善層を構成する金属と異なる他の金属を、膜厚相当で３０ｎｍ以下付加した後に熱処理を行うと、その表面の平滑性を改善することができる。このとき、基板表面の表面粗さは２０ｎｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板３１上に酸化膜または窒化膜から成る犠牲層３２を形成する段階と、犠牲層３２上に多結晶状のＺｎＯ層３３を形成する段階と、ＺｎＯ層３３を部分的に分解してナノサイズのＺｎＯパターン３３’を形成する段階と、ＺｎＯパターン３３’をシードとして窒化物バッファ層３４を形成する段階と、窒化物バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を成長させる段階と、犠牲層３２を化学的に除去することにより母基板３１から窒化物単結晶３５を分離させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供する。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に金属膜を形成する。この金属膜を窒化することによって、空隙を有する金属窒化物膜４を設ける。金属窒化膜４上に種結晶膜５を気相成長法により形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。単結晶６は金属窒化物膜４に沿って基板１から容易に剥離する。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

【目的】形成されたＳｉＣ被膜を基材から割れを生じることなしに簡単に分離することができるＣＶＤ−ＳｉＣ単体膜の製造方法を提供する。
【構成】黒鉛基材を基材保持冶具に載置し、基材面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜した後、該ＳｉＣ被膜を黒鉛基材と分離してＳｉＣ単体膜を得る方法において、黒鉛基材として、所定の形状に成形した黒鉛材に、天然黒鉛粉と液状樹脂からなる混合物を塗布し、焼成して得られる脆弱層を形成してなる黒鉛基材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の表面に、超薄膜で高い膜厚均一性を有する酸化膜と半導体単結晶層が形成された半導体基板を、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体単結晶基板の表面に酸化膜と半導体単結晶層とを順次形成することによって、酸化膜上に半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板に酸化性溶液またはその気体を接触させることにより、前記半導体単結晶基板の表面に前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程とを有する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な工程により、安価でストレスフリーなＧａＮ系窒化物半導体の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板を準備する工程と、該基板上にＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層を形成する工程と、ＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層上に低温ＧａＮバッファ層を形成する工程、低温ＧａＮバッファ層上にＧａＮ系窒化物半導体層を形成する工程と、基板温度を常温に戻すことによりＧａＮ系窒化物半導体層を基板より自然剥離させる工程とを含む、ＧａＮ系窒化物半導体自立基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】高品質なIII族窒化物単結晶を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】下地結晶基板として、（０００１）面に対するｍ軸方向のオフ角度が０．１５°である主面を有するサファイア基板を用意し、スパッタ法により、下地結晶基板の上に厚さ２０ｎｍの下地Ｃｒ層を堆積した。次いで、基板をＨＶＰＥ装置のリアクターに配置して、１０８０℃まで昇温した後、Ｎ2のみからなるキャリアガスとＮＨ3ガスを供給しながら３０分間窒化しＣｒＮ膜を得た。窒化工程終了後に９００℃まで降温して、実質的にＨ2のみからなるキャリアガスと、ＧａとＨＣｌの反応生成物であるＧａＣｌガスと、ＮＨ3ガスとを供給しながら、ＧａＮバッファー層を約５分間成長させた。次いで、再び反応室の温度を１０４０℃まで上げ、ＧａＮ単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にＣｒＮ膜、ＧａＮバッファー層を介して厚さが約２０μｍのＧａＮ単結晶膜を得た。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、立方晶構造を有するＩＶ族基板材料のＩＶ族基板表面を有する基板上に堆積されている、ＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体部材に関する。ＩＶ族基板表面は（表面再構成を考慮せずに）、Ｃ２対称性の元素セルを有するが、Ｃ２対称性より高度の回転対称性の元素セルは有さない。ＩＩＩ族窒化物層構造はＩＶ族基板表面と直接隣接するところに、三元もしくは四元のＡｌ_1-x-yＩｎ_xＧａ_yＮ［ただし、０≦ｘ、ｙ＜１、かつｘ＋ｙ≦１］から成るシード層を有する。これにより価値の高い、単結晶性の成長が得られる。この利点は、高レベルな結晶品質が得られること、ｃ平面、ａ平面、およびｍ平面のＧａＮ成長、ならびにとりわけシリコン基板の完全な、または部分的な除去が容易に可能なことにある。と言うのもこれは、湿式化学的方法により（１１１）配向性の基板上では、より容易に可能だからである。
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【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 圧電体や蛍光体等として有用なペロブスカイト酸化物において結晶の方位を揃えて結合した単結晶を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】 一般式ＭＴｉＯ₃：Ｘで表されるペロブスカイト酸化物（Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒもしくはＰｂ、またはそれらの混合系を表し、Ｘは、存在するときは、ＰｒまたはＥｕを表す）の単結晶を製造する方法であって、（１）上記酸化物ＭＴｉＯ₃：Ｘのナノ結晶粒子、または（２）Ｔｉのアルコキシド、上記金属Ｍのアルコキシド、水酸化物、ハロゲン化物、ジケトネートもしくは硝酸塩、および、Ｘが存在するときは、Ｘのアルコキシドから成る混合物を、水およびアルコールを含む媒質に分散させて70°〜200℃の温度下に水熱処理する工程を含む方法。ナノメートルサイズの結晶がエピタキシャル結合しているペロブスカイト酸化物単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の間から酸化シリコン層６が成長する。次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を基板上に成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にほとんど物理的損傷を与えることなく基板を低コストで容易に剥離する。
【解決手段】基板１１の一主面に磁歪材料からなる凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層１７を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。その後、凸部１２に磁界を印加して磁歪を発生させることにより基板１１をこれらの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から剥離する。 （もっと読む）

【課題】２段階成長法と同等以上の膜質のＧａＮ層をサファイア基板上に成長させることができると共に、高い生産効率及び成長安定性を得ることのできる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にプラズマによる窒化処理を施し、その処理面に表面改質層２を形成する。その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＧｅ系エピタキシャル膜を大面積で得ること
【解決手段】Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。続いて、Ｇｅエピタキシャル膜１１の表面側からＧｅをイオン注入をおこなう。このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。これに続いて、７００乃至９００℃の温度範囲で熱処理を施すと、Ｇｅエピタキシャル膜１１の表面付近の単結晶部分が種となり、アモルファス領域１３が単結晶化する。 （もっと読む）

【課題】手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびこの製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】本実施形態の自立基板の製造方法は、以下の工程を含むものである。(i)下地基板１０上に、炭化アルミニウム層１１を形成する工程、(ii)上記炭化アルミニウム層１１を窒化する工程、(iii)窒化された上記炭化アルミニウム層１２の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、(iv)上記III族窒化物半導体層から、上記下地基板１０を除去し、上記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程。 （もっと読む）

例示の実施例は、高品質（即ち、無欠陥）のＩＩＩ族窒化物ナノワイヤー及び均一なＩＩＩ族窒化物ナノワイヤーアレイを含む半導体デバイス、並びに規模の変更が可能なこれらの製造工程であって、各ナノワイヤーの位置、指向方向、断面の特徴、長さ及び結晶化度を正確に管理し得る製造工程を提供する。約１０−１０００ｎｍの例示の直径の一定の断面特徴で約１０ｎｍから約１０００μｍの一様な長さを提供する開示されたＩＩＩ族窒化物ナノワイヤー及び／又はナノワイヤーアレイを製造するためにパルス状成長モードを使用することができる。加えて、可視ＬＥＤ及びレーザーの製造を容易にするために、多数のＧａＮナノワイヤー及び／又はナノワイヤーアレイを合体させることにより高品質のＧａＮ基板構造を形成することができる。更に、各ナノワイヤーの非極性側壁におけるコアシェル成長により、コアシェルナノワイヤー／ＭＱＷ能動構造を形成することができる。
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