【課題】結晶欠陥の少ない半導体層を形成する。
【解決手段】面方位が（１１１）であるＳｉからなる半導体結晶成長用基板本体１１の外周部に膜厚が１００ｎｍの窒化シリコンからなる保護膜１４を形成する。すなわち、半導体結晶成長用基板本体１１の側面１２および半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の最外周から２ｍｍまでの部分に保護膜１４を形成する。また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】大口径で貫通転位の少ないＧａＮ系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮテンプレート基板１０は、ＺｎＯ単結晶基板１１と、この基板１１の裏面１１ａと側面１１ｂに形成された保護膜１２と、ＺｎＯ単結晶基板１１の表面１１ｃに形成された界面層１３と、界面層上に形成されたＺｎＯ単結晶基板１１と格子整合するＩｎＧａＮ層１４と、ＩｎＧａＮ層上に形成された数μｍ以上の厚いＧａＮ層１５と、を備える。転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。ＧａＮ層１５を成長する際に、ＺｎＯ単結晶基板１１がアンモニアによって破壊されるのを保護膜１２により抑制でき、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層へのＺｎ，Ｏの混入を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】生成された結晶に含まれる酸素の濃度を低くすることができるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３と還元性ガスＨ_２２１ｂとを加熱状態で反応させて、ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３の還元物ガスＧａ_２Ｏを生成させる還元物ガス生成工程と、還元物ガスＧａ_２Ｏと窒素含有ガス２３ｃとを反応させて、ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４を生成する結晶生成工程とを有する。ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４は、ＧａＮ結晶である。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム基板部材を用いながらも表面平坦性に優れ且つ結晶品質性に優れた窒化ガリウム層を有する光デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】サーマルクリーニングを施したGa₂O₃基板部材を窒化処理してGa₂O₃基板部材の表面上に六方晶GaNからなる第１のバッファ層を形成し、第１のバッファ層の表面上に成長温度480〜520℃で六方晶GaNからなる第２のバッファ層を成長形成した後、第２のバッファ層の表面上に光デバイス用基板の表面層として成長温度650〜750℃で六方晶GaN層を成長形成する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】基板上１にAlN単結晶層２またはＡｌを含むIII族窒化物単結晶層２を０．００５μm以上１０μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板１，２又はサファイア基板１を窒化処理したAlNテンプレート基板１，２、もしくはAlN単結晶基板上に、金属層３，４を成膜する工程と、金属層３，４の上に開口部６’を有するパターンマスク膜６を形成する工程と、マスク開口部６’に露呈した部位の金属層３をアンモニア混合ガス雰囲気中で加熱処理を行い金属窒化物層７を形成する工程と、金属窒化物層７を核としてIII族窒化物半導体層８を成膜する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉２０において、サファイア基板７を１，０５０℃、アンモニア雰囲気下で、５分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 （もっと読む）

【課題】連続運転不要な気相合成法により得られる、高品質で大面積のダイヤモンド多結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンドと異なる成膜用種基板を用意し、気相合成法により厚さ５００μｍ未満のダイヤモンド多結晶を成膜した後、ダイヤモンド多結晶と種基板を分離してダイヤモンド多結晶自立板とし、ダイヤモンド多結晶自立板上に、さらに気相合成法によりダイヤモンド多結晶を追加成長して、板厚５００μｍ以上のダイヤモンド多結晶基板とすることにより、基板両面研磨後、波長４００ｎｍの光透過率が３５％以上であるダイヤモンド多結晶基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａと裏面１１ｂとを有する下地基板１１と、裏面１１ｂに形成された第１の層１２と、第１の層１２に形成された第２の層１３とを備えた積層基板１０が準備される。そして、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。第１の層１１ａは、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなる。第２の層１２は、第１の層１１の熱伝導率よりも高い材質よりなる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板をサセプター上に載置し、気相成長する場合に、ＳｉＣ基板がサセプターに固着せず、剥がすときにＳｉＣ基板の損傷を防止することができるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣ基板は、第５族元素の炭化物と、第６族元素の炭化物と、第１３族元素の窒化物とからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む組成の薄膜を主面に有する気相成長用基板である。この薄膜は、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＭｏＣ、ＷＣ、ＣｒＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはＢＮを含む組成を有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】成長用基板を繰り返し使用し、製造コストを低くすることができる窒化物半導体基板及び窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素、窒化ガリウム、及び窒化アルミニウムのうちのいずれかからなる単結晶基板を成長用基板１０とし、成長用基板１０上に窒化アルミニウムからなる剥離層１１と、窒化ガリウムからなる半導体層１２を形成する。あるいはさらにIII−Ｖ族窒化物半導体層を形成する。表面に半導体素子を形成した後、剥離層１１を溶解除去することにより、成長用基板１０を分離、除去する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物結晶を成長させる際にフラックスとして用いるアルカリ金属やアルカリ土類金属の酸化を抑えて、結晶性、結晶成長の再現性を向上できるIII 族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】結晶成長容器10内でIII 族窒化物結晶を製造する際に、予め、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とIII 族元素との合金、たとえばＮａＧａ26を形成し、合金表面をＧａ22などの不活性物質で被覆し、この被覆された合金を用いて窒素を含む溶液を形成して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光照射によりパターン化シード層を形成するとともに、パターン化シード層上に形成されたＺｎＯウィスカーパターン、それらの作製方法及び用途を提供する。
【解決手段】ＺｎＯウィスカーパターンを作製する方法であって、基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域と無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層の領域を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をＺｎＯナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該ＺｎＯ結晶層の上にＺｎＯウィスカーを結晶成長させることによりＺｎＯウィスカーパターンを作製することからなるＺｎＯウィスカーパターンの作製方法、ＺｎＯウィスカーパターン及びその高伝導性部材。
【効果】デバイス作製に有用なＺｎＯウィスカーパターンを提供できる。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板の製造方法は、（ａ）窒化ガリウムより熱膨張係数の小さい物質からなる偏平な基材基板１０上に窒化ガリウム膜１２を成長させて冷却させることで、基材基板１０と窒化ガリウム膜１２を上方へ凸状に反らせると同時に窒化ガリウム膜１２にクラックを発生させるステップと、（ｂ）上方へ凸状に反った基材基板１０上のクラックが発生した窒化ガリウム膜１２上に窒化ガリウム単結晶層１４を成長させるステップと、（ｃ）窒化ガリウム単結晶層１４が成長した結果物を冷却させることで、上方へ凸状に反った結果物を再び偏平に又は下方へ凸状に反らせると同時に、クラックが発生した窒化ガリウム膜１２を境界に基材基板１０と窒化ガリウム単結晶層１４とを自己分離させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系結晶基板の製造の際に基板面内にオフ角のばらつきが存在していることを考慮した上で、III−Ｖ族窒化物系半導体エピタキシャル成長用に好適なIII−Ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法は、θ°のオフ角のついた基板を下地基板とし、下地基板上にIII−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の厚膜を成長させた後、III−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の厚膜を下地基板から剥離させ、低指数面から特定の方向に±β°のばらつきを持ってα°だけ傾いた表面を持つIII−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の自立基板を製造する方法であって、剥離後の自立基板の直径をＤ、自立基板裏面の反りの曲率をＲとしたとき、次式の関係を満たすようにIII−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の厚膜を成長させる。
α±β ＝ ｎ・θ ± ｓｉｎ^−１（Ｄ／２Ｒ） （ｄｅｇ） ここで、ｎは、定数。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハ全体における厚みのバラツキを小さくすることが可能なサセプタを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ２２を収容する平面視略円形の凹部２１ａが設けられ、凹部２１ａには半導体ウェーハ２２を支持する平面視略円形の凸部２１ｄが設けられ、凸部２１ｄの直径ｄ_１が凹部２１ａの直径ｄ_２よりも小とされ、かつ凸部２１ｄの直径ｄ_１が、凹部２１ａに半導体ウェーハ２２が載置された際に凸部２１ｄと半導体ウェーハ２２との境界全体に気相成長反応に供される反応ガスが流通可能となる大きさに設定されていることを特徴とするエピタキシャル膜形成装置用のサセプタ２１を採用する。 （もっと読む）

【課題】注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からなる基板１上にイオン注入処理をおこなう注入工程と、塩化水素ガスを含む雰囲気で熱処理することにより、イオン注入された前記基板１上のイオン注入によるダメージをエッチング除去するダメージ除去工程とを備え、前記ダメージ除去工程におけるエッチング除去量が、前記基板１の深さ方向に対する注入されたイオンのガウス分布の最大濃度深さＲｐの５〜１２０％の厚みであるシリコンウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】転位が少なく、また、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい、窒化ガリウムのような化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に複数の球形のボール２０をコーティングする工程と、球形のボール２０がコーティングされた基板上１０に化合物半導体エピ層３０を成長させつつ、球形のボール２０下部にボイド３５を形成する工程と、ボイド３５に沿って基板１０と化合物半導体エピ層３０とが自家分離されるように、化合物半導体エピ層３０が成長した基板１０を冷却させる工程と、を含む化合物半導体基板の製造方法。球形のボール処理により転位減少効果を持つ。また、自家分離を利用するので、基板と化合物半導体エピ層との分離にレーザーリフト・オフ工程を適用しなくてもよい。 （もっと読む）