半導体ウェハ（１）を横方向に分断する本発明の方法では、成長基板（２）を準備し、この成長基板（２）に半導体層列（３）をエピタキシ成長させる。ここではこの半導体層列には、分離層（４）として設けられた層と、成長の方向に見てこの分離層に続く少なくとも１つの機能半導体層（５）とが含まれている。引き続いてこの機能半導体層（５）を通して分離層（４）にイオン打ち込み、半導体層をこの分離層（４）に沿って分断し、上記の成長基板（２）を含む半導体ウェハ（１）の部分（１ａ）が切り離される。
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【課題】半導体積層構造物と、これを用いて高品質の窒化物半導体結晶基板及び素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体積層構造物１００は、窒化物半導体結晶面である上面を有する基礎基板１０１と、上記基礎基板上で間隔を置いて水平方向に延長された流通孔パターン１０５を囲う成長防止膜１０３と、上記流通孔パターン１０５の間の領域で上記基礎基板１０１の上面と接触するよう上記基礎基板上に形成され、上記成長防止膜１０３を覆う窒化物半導体結晶層１０７を含む。上記半導体積層構造物は、低欠陥高品質の窒化物半導体結晶層、窒化物半導体結晶基板及び窒化物半導体素子を得ることに利用される。 （もっと読む）

連続的堆積処理でＳｉ膜を成膜する方法が供される。当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する工程、前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する工程、及び前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングすることによって前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程、を有する。Ｓｉ膜は基板上に、選択的又は非選択的に堆積されて良い。堆積は自己制限的であっても良いし、非自己制限的であっても良い。他の実施例は、連続的堆積処理でＳｉＧｅ膜を成膜する方法を供する。
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本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成方法に関し、エピタキシー用支持体(9, 9')とその形成方法にも関する。この方法は、ａ）支持基板となる第１基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、ｂ）後工程のエピタキシャル成長層(6, 6')の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、ｃ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、ｄ）結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6, 6')を成長させる工程、及び ｅ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程を備えている。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
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本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成法に関する。この方法は、ａ）支持基板(1)内に原子種を注入して基板内に薄肉支持層(13)と基板残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、ｂ）薄肉支持層(13)の表面に直接又はその上に移載された中間層(5, 23, 31, 31)を介してエピタキシーを行うことによりエピタキシャル成長層(6)を成長させる工程、及びｃ）外部エネルギーの意図的な印加により脆弱ゾーン(12)に沿って基板残余部分(11)を薄肉支持層(13)から分離する工程を備えたことを特徴とする。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
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【課題】 母材型基板を用いてダイヤモンド部品を製造する際に、ダイヤモンド部品のサイズが大きい場合や形状が複雑である場合にも、母材型基板から短時間でダイヤモンド部品を分離回収することができる方法を提供する。
【解決手段】 母材型基板上に中間犠牲層を被覆し、その上にダイヤモンド層を堆積した後、エッチングにより中間犠牲層を除去してダイヤモンド部品を分離するに際して、母材型基板として多孔質体を用いるか、エッチング溶液に超音波振動を印加する。また、電解溶液に浸漬して電気分解することにより、中間犠牲層を電解除去することもできる。 （もっと読む）

【課題】低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方
法を提供すること。
【解決手段】 （ａ）六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する２つの主面がい
ずれもＣ面から成る一次ウエハとし、（ｂ）一次ウエハをＭ面に沿って切断して複数の窒
化物半導体バー４を得て、（ｃ）複数の窒化物半導体バー４を、隣り合う窒化物半導体バ
ー４のＣ面同士が対向し、各窒化物半導体バー４のＭ面が上面となるように配列し、（ｄ
）配列された窒化物半導体バー４の上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続
したＭ面を主面に有する窒化物半導体層６を形成し、窒化物半導体ウエハ８を得る。 （もっと読む）

本発明は、極性が制御されたＩＩＩ族窒化物の薄膜、及びこのような極性が制御された薄膜で被覆された基板の製造方法を提供する。詳細には、本発明は、ＩＩＩ族極性の薄膜、Ｎ極性の薄膜、又はＩＩＩ族極性部分とＮ極性部分の両方が的確な位置に選択的にパターン化された薄膜の成長を促進するために基板表面を最適化する基板前処理ステップを提供する。本発明の方法は、特に、ＣＶＤ法での使用に好適である。 （もっと読む）

【課題】 安価で、かつ種結晶の欠陥に起因する品質の低下を低減した単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種結晶となるＳｉＣ単結晶２８をＣ原子供給基板１７に対向させ密閉容器１６内で高温熱処理を行い、前記ＳｉＣ単結晶２８と前記Ｃ原子供給基板１７との間に金属Ｓｉ融液１８を介在させ液相エピタキシャル成長させる。種結晶となるＳｉＣ単結晶２８は、Ｃ原子供給基板１７よりも面積を小さくして、複数設置する。この種結晶２８の上面部分に単結晶ＳｉＣ２０が生成されたときに、その単結晶ＳｉＣ２０の、前記Ｃ原子供給基板１７に対向する方向と垂直な方向における周囲に金属Ｓｉ融液１８を存在させるようにする。こうして、単結晶炭化ケイ素２０を、前記Ｃ原子供給基板１７に対向する方向と垂直な方向（面積が広がる方向）に液相エピタキシャル成長させ、種結晶２８よりも広面積の基板２７を得る。 （もっと読む）

【課題】これまでＡｌＮ、または、０．９以上の高ＡｌＮモル分率のＡｌＧａＮの選択横方向成長は不可能であった。
【解決手段】ＧａＮに対してすでに応用されている選択横方向成長技術を前記材料に応用する。ＡｌＮの横方向成長の困難さを克服するため、半導体成長用基板の主面の一部に、窒化物系半導体層の成長を抑制する加工部を形成し、前記加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚が、非加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚の１／１０以下であるようにしてエピタキシャル基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の反り、クラックの発生を効果的に抑制することができるとともに、半導体層各面における剥がれを防止することができる半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（１００）は、基板（１）の一面上に成長した半導体結晶層（２）と、基板（１）の他面および側面に形成され、半導体結晶層（２）が基板（１）に付与する応力と同じ方向に基板（１）に応力を付与する応力緩和層（３）とを備えることを特徴とする。この場合、半導体結晶層（２）の基板（１）に対する応力が相殺される。それにより、半導体基板（１００）の反りおよびクラックの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服すること。
【解決手段】 下地基板の上に規則正しく種パターンを設けてその上にファセットよりなるピットを形成し維持しながらＧａＮをファセット成長させファセット面よりなるピット底部に閉鎖欠陥集合領域Ｈを形成しそこへ転位を集めてその周囲の単結晶低転位随伴領域Ｚと単結晶低転位余領域Ｙを低転位化する。閉鎖欠陥集合領域Ｈは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。 （もっと読む）

【課題】ナトリウム金属等を含むフラックスを使用して単結晶を育成するのに際して、高温で単結晶を育成した場合であっても、反応容器内のフラックスによる反応容器の膨潤や浸潤を防止できるようにすることである。
【解決手段】アルカリ金属とアルカリ土類金属との少なくとも一方を含むフラックスを使用して単結晶を育成するのに使用する反応容器２５であって、窒化チタンと窒化ジルコニウムとの一方または双方を主成分として含むセラミックスからなる反応容器２５を提供する。 （もっと読む）

【課題】 一般式：Al_xIn_yGa_1-x-yNで表される窒化物半導体結晶であって、低転位密度化のために初期核密度を低下させた窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に前記窒化物半導体の多数の初期核を形成し、成長に従って互いに融合させ、もって平滑な結晶とする工程を有し、前記初期核による前記基板の表面被覆率が0.8以下の期間において、式：ρ＝f/h²（fは表面被覆率であって、０≦f≦１を満たし、hは前記fを測定した時点における前記初期核の平均高さを表す。）により表される初期核密度ρが６×10⁵ cm^-2以下とする。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する。
【解決手段】下記の各工程を行い、多結晶ＳｉＣ基板６の表面に単結晶ＳｉＣ層７が形成された単結晶ＳｉＣ基板を形成する。（１）Ｓｉ母材層に表面Ｓｉ層と埋め込み酸化物層が形成されたＳＯＩ基板を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜５に変成させるＳｉＣ膜生成工程。（２）上記表面に単結晶ＳｉＣ膜５が形成されたＳｉ母材層を、多結晶ＳｉＣ基板６の表面に単結晶ＳｉＣ膜５が対面するよう積層して接合して積層体を形成する接合工程。（３）上記積層体のＳｉ母材層と埋め込み酸化物層を除去する除去工程。（４）上記多結晶ＳｉＣ基板６の表面に、単結晶ＳｉＣ膜５をシード層として当該単結晶ＳｉＣ膜５上に単結晶ＳｉＣ層７をエピタキシャル成長させる成長工程。 （もっと読む）

【課題】窒化物からなる半導体層の形成に係る作業工数を減らして生産効率を向上させるとともに、製造コストの抑制を図る事が可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板１の主面の表面に溝パターン２を形成させた後、このサファイヤ基板１の溝パターン２が形成された面に、溝パターン２を埋めるようにＳｉＯ_２膜３を形成させ、さらに、サファイヤ基板１の主面の表面が現れるまでＳｉＯ_２膜３を研磨させ、最後に、研磨により現れたサファイヤ基板１の表面上にＧａＮ膜４を選択的に成長させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体成長用基板とIII族窒化物半導体膜は製造条件または製造装置が異なる等の理由により、半導体成長用基板が大気中の酸素雰囲気に晒されるような場合においても、成長用基板表面の汚染、酸化、表面欠陥の発生を効果的に防止するための基板表面保護方法ならびに該基板表面上へIII族窒化物成長方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板表面に、基板より再蒸発温度が低いＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧa_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）からなる表面保護膜を形成し、半導体成長前に当該表面保護膜を取り除いて半導体を基板上に成長させる。 （もっと読む）

本発明は、表面のパターン処理の方法、および制御された析出成長物を用いたビアの製造、ならびにそのような本発明による方法によって調製されたパターン化された基板に関する。本発明による方法は、上部に材料をパターン化する必要のある、少なくとも一つの表面を有する基板を提供するステップであって、前記表面は、異なる表面特性を有する少なくとも第1および第2の表面領域を有し、前記第1の領域には、さらに保護析出成長物が設置されるステップと、少なくとも前記第2の表面領域に、少なくとも一つの材料を設置するステップであって、前記設置された材料は、前記第1の表面領域には実質的に設置されないか、前記第1の表面領域に設置される場合、前記設置された材料は、前記第1の表面領域から選択的に除去されるステップと、を有する。
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極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。
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【課題】 結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶を安定性よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素基板上に形成された薄膜結晶を種として成長させるようにした。好ましくは、薄膜結晶が単結晶エピタキシャル成長層であると良い。 （もっと読む）