【課題】 針状及び棒状のいずれかの形状を有する金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体及びその製造方法、並びに金属酸化物粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】 一定方位への規則的な結晶配向構造を有する金属含有材料を含む結晶面を有する基板を金属酸化物が析出可能な反応溶液中に浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に金属酸化物結晶を析出させることを特徴とする金属酸化物構造体である。該金属含有材料を含む結晶面が、単結晶材料及びエピタキシャル結晶材料の少なくともいずれかから形成される態様。該金属含有材料を含む結晶面が、金属、金属酸化物、又は金属窒化物を含有する態様が好ましい。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、Ａ）アルカリ金属（Ｉ族元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有する窒化物バルク単結晶層、及びＢ）気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層Ａ）及びＢ）は層Ａ）の非Ｎ極性面及び層Ｂ）のＮ極性面で結合する。ゆえに、
形成したテンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、（０００２）面からのＸ線ロッキングカーブの半値幅が８０以下という良好な値であり、形成した基板は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥおよびＨＶＰＥといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力ＬＥＤといった良好なオプトエレクトロニクス機器やＭＯＳＦＥＴといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。
（もっと読む）

【課題】 表面凹凸を有する半導体基板に対しても良好な印刷が可能な半導体基板およびその製造方法を提供する。また、該半導体基板を用いて形成された、優れた光電変換特性を有する光電変換素子を得ることによって、高効率化された太陽電池等の提供を可能にする。
【解決手段】 凹部を設けた下地板表面に半導体融液を接触させて板状の半導体基板を成長させる半導体基板およびその製造方法であって、該凹部を含む領域に半導体融液を接触させることを特徴とする半導体基板およびその製造方法、および上記の製造方法で形成された半導体基板を用いた光電交換素子に関する。本発明における光電変換素子は、半導体基板に形成された電極印刷部が受光面側に用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用温度において、半導体素子用基板の内部に各層の熱膨張係数差に起因する応力が発生しないようにすること。
【解決手段】 サファイア元基板１の主面１Ａ、１Ｂの少なくとも一方に３族窒化物半導体の熱膨張係数Ｋ４より小さい熱膨張係数Ｋ２を有する材料であるシリコン単結晶からなる補助層２を半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成して補助層付基板を作製した後、サファイア元基板１の主面又は補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層である化合物半導体層４を成長させることにより３族窒化物半導体素子用基板を製造する。補助層付基板と化合物半導体層４とは同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２は室温で形成されているので、サファイア元基板１と補助層２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生ない。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂ナノプレート、このＢｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂ナノプレートの配列体及びその製造方法並びにそれを用いた装置を提供する。
【解決手段】 気相成長法を用い、ＳｒＴｉＯ₃ （００１）面基板上にＶＯ_X からなるフラックス層を堆積し、フラックス層上にＢｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂を堆積する。直方体形状のＢｉ₄ Ｔｉ₃ Ｏ₁₂単結晶ナノプレートがフラックス層上に直立して形成され、この直方体の３辺の方向は単結晶基板の特定の結晶方向と一致し、形状がほぼ一定であり、且つ、互いに接触せずに密に配列する。ボットムアップ法によるナノ構造体であり、低コストの強誘電体メモリー等への応用が可能である。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、多孔度が１０〜９０％で、表面が表面粗さ０．１〜１００ｎｍ、厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 欠陥密度の小さいＳｉＣ半導体基板を形成する。
【解決手段】 ＳｉＣ単結晶の下地ウェハ表面に多孔質層を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、アニール処理を行ってその多孔質層表面の空孔を閉塞した後に（ステップＳ３）、その上にＳｉＣのホモエピタキシャル層を形成する（ステップＳ４）。最後に多孔質層の部分を切断して下地ウェハの側からホモエピタキシャル層の側を分離する（ステップＳ５）。多孔質層表面の空孔閉塞後にホモエピタキシャル層を形成することによりその欠陥密度が大幅に小さくなり、これを各種デバイスのＳｉＣ半導体基板として用いることによりその製造歩留まりを向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 １度未満のオフアクシス角を有するＳｉＣ基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。
【解決手段】 ＳｉＣ基板上に当該基板と同じポリタイプのＳｉＣホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記ＳｉＣ基板の表面上に成長させるステップと、１μｍまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が（０００１）基底面に対して０．１度より大きいが１度未満の角度で傾斜している方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。中間薄膜層（中間層３）のうちの少なくとも１つにおいて単結晶性薄膜層（超電導層４）と対向する上部表面（被研磨面１０）は研磨加工されている。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

希釈磁性半導体（ＤＭＳ）ナノワイヤを製作する方法について示した。この方法は、触媒がコーティングされた基板を提供するステップと、前記基板の少なくとも一部を、塩化物系蒸気搬送体を介して、半導体およびドーパントに暴露するステップと、を有し、ナノワイヤが合成される。この新しい塩化物系化学気相搬送処理方法を用いて、単結晶希釈磁性半導体ナノワイヤＧａ_１−ｘＭｎ_ｘＮ（ｘ＝０．０７）が合成される。ナノワイヤは、直径が〜１０ｎｍ乃至１００ｎｍであり、全長は最大数十μｍであり、キューリー点が室温を超える強磁性体であり、２５０Ｋ（ケルビン）まで磁気抵抗を示す。
（もっと読む）

本発明は、完全配向されたＺｎＯナノロッドアレイ、及び新たな結晶成長速度、形態及び配向を有する新しいＺｎＯナノウォールアレイを、基板にコーティングされたＺｎＯナノ粒子から低温で形成する方法を提供する。このＺｎＯナノロッドアレイの形成方法は、ＺｎＯナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのＺｎＯナノ粒子を基板にコーティングし、Ｚｎナイトレート、Ｚｎアセテート又はこれらの誘導体とヘキサメチレンテトラミンとを含む栄養溶液中でＺｎＯナノ粒子を結晶に成長させることを含む。また、ＺｎＯナノウォールアレイの形成方法は、ＺｎＯナノ粒子を合成し、緩衝層及びシード層として機能するこのＺｎＯナノ粒子を基板にコーティングし、Ｚｎアセテート又はその誘導体とクエン酸ナトリウムとを含む栄養溶液中でＺｎＯナノ粒子を結晶に成長させることを含む。
（もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からＩＩＩ族窒化物、とくに窒化ガリウム（ＧａＮ）の自立基板を実現する方法であって、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が２”を超えるＩＩＩ族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 （もっと読む）