【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌＮ単結晶層またはＡｌを含むIII族窒化物単結晶層を０．００５μm以上１０μm以下の厚みで形成したＡｌＮテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したＡｌＮテンプレート基板、もしくはＡｌＮ単結晶基板上に、ストライプ状の開口部を有するパターンマスクと、前記開口部に形成された金属窒化物層と、前記金属窒化物層上に形成されたIII族窒化物半導体層を有し、前記III族窒化物半導体層は前記金属窒化物層を核としたＥＬＯ成長による連続膜である、III族窒化物半導体。 （もっと読む）

【課題】気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造において種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。
【解決手段】種基板１４に、剥離層を形成し、種基板を配置してなるサセプター１１に、窒化ガリウム結晶を形成する原料ガスを供給し、前記サセプターにおける前記種基板において、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制し、窒化ガリウム自立基板２２を気相成長させることを含んでなり、前記サセプターが、前記種基板を固定するポケット部分１２と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプター１３とを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなり、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物単結晶の基板からの剥離の成功率を高め、クラックの発生を抑制することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶の複数の帯状の種結晶膜３を形成し、この際基板に非育成面１ｂを形成する。複数の種結晶膜３上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。複数の種結晶膜３が互いに非育成面１ｂによって分けられており、複数の種結晶膜３が、それぞれ、一方の端部３ａ、他方の端部３ｂおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部３ｃを備えている。種結晶膜３の一方の端部３ａの幅Ｗａが他方の端部３ｂの幅Ｗｂよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ成長装置１内にある基板ホルダ３に基板１１をセットする。反応炉内は常圧とし、ヒータ４により基板１１を加熱、昇温させる。初期核は、反応ガス導入管５によりＮＨ3ガスをキャリアガスであるＮ2ガスと共に導入し、金属Ｇａ６が載置された原料載置室７を有する反応ガス導入管８によりＧａＣｌガスをキャリアガスであるＮ2ガスとＨ2ガスと共に導入して、成長させる。初期核の形成後は、ＧａＣｌガス分圧とＮ2ガス分圧を高くした以外は初期核を形成した条件で結晶成長させる。得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】厚膜層の成長過程で厚膜層にヒビやクラックが発生することを抑制可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材２上に窒化物半導体からなる下地層を設けて下地基板３を形成し、下地基板３の下地層上に金属膜を形成した後、水素ガスまたは水素含有化合物ガスを含む雰囲気中で下地基板３を熱処理することで、下地層中に空隙を形成すると共に金属膜に微細孔を形成し、その微細孔を形成した金属膜上に窒化物半導体を成長させて厚膜層５を形成した後、厚膜層５を下地基板３から剥離して窒化物半導体基板１を得る窒化物半導体基板の製造方法において、基材２として、窒化物半導体基板１の径よりも大きい径のものを用い、下地基板３の中央部で厚膜層５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】表面加工を施したテンプレート基板を種基板に用い、フラックス法で結晶成長を実施するに際して、クラックのない窒化物結晶を再現性よく高い歩留まりで得る方法を提供することである。
【解決手段】基板１上にIII 族金属窒化物単結晶からなる種結晶膜を成膜し、この際基板に種結晶膜によって被覆されていない非育成面１ｂを形成する。種結晶膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶を育成する。基板１が、基板の外縁に沿って全周にわたって設けられた外縁部１３と、外縁部１３の内側に設けられた中央部１２とを含む。中央部の全体にわたって種結晶膜からなる複数の帯状部１９が配列されており、外縁部の全周にわたって種結晶膜からなる複数の分離部２５が配列されている。外縁部１３の種結晶面積比率が中央部１２の種結晶面積比率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。これにより、貫通らせん転位１ａが存在しない表面を有するＳｉＣ成長層４を得ることが可能となる。したがって、ｐ層とｎ層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜であって、該薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e₃₃がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であることを特徴とする。この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有する薄膜共振子に用いることができる。この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】均一な超電導体を製造する超電導体製造用種結晶および種結晶を用いた超電導体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】ＲＥ¹Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_y系超電導体の製造に用いる種結晶（１０）であって、ＭｇＯの結晶体（１１）と、このＭｇＯの結晶体（１１）上に形成したＲＥ²Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_y系超電導体の薄膜（１２）を有し、ＲＥ¹は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれた少なくとも１以上の元素をさし、ＲＥ²は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのうち前記ＲＥ¹として選ばれた元素と比較して超電導体の融点温度について同じ又はより高い元素の群から選ばれた少なくとも１以上の元素をさす。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体結晶層の製造方法は、基体の上に設けられたシリコン結晶層の上に、第１の厚さを有する窒化物半導体結晶層を形成する工程を備える。前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第２の厚さから減少せることを含む。 （もっと読む）

【課題】下地基板の表面品質を均一にし、窒化物厚膜成長の歩留と品質の向上を実現することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスのエピタキシャル成長に用いる窒化物半導体基板の製造方法において、基材１上に窒化物半導体からなる第１の層２が設けられた下地基板１０上に金属膜層（若しくは炭化膜層）３を形成し、金属膜層（若しくは炭化膜層）３を窒化した後、表面酸化処理を施し、窒化物半導体からなる第２の層５を成長させ、しかる後、基材１から第２の層５を剥離して窒化物半導体基板４０を製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】 従来の方法と比較して、短時間で凹部の全体に導電材を埋め込むことができる技術を提供する。
【解決手段】 本願に係る導電材の埋め込み方法は、半導体装置の製造過程において表面に形成される凹部２２に導電材を埋め込む方法に関する。この方法は、凹部２２の少なくとも底面に露出する下地層１０の表面に不純物２４ａを定着させる不純物定着工程と、不純物２４ａが定着した下地層１０を利用して導電材をＶＬＳ成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むＶＬＳ成長工程とを有する。この方法では、ＶＬＳ成長によって凹部２２に導電材を埋め込むため、短時間で導電材を埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層５と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板１の前記外周領域に設けられたテーパ部１２の上に前記化合物半導体層５が成長することを阻止する成長阻止層４を形成するステップと、
前記成長阻止層４が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層５を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベース基板上に形成される非ｃ軸配向ＡｌＮ結晶粒を利用して、ＡｌＮを横方向成長させ、結晶性が改善された単結晶ＡｌＮを製造する方法を提供する。
【解決手段】１０００〜１６００℃で加熱処理したベース基板を準備し、ベース基板を９００〜１１００℃に加熱し、ベース基板の結晶成長面上でハロゲン化アルミニウムガスと窒素源ガスとを供給し反応させて、ｃ面単結晶からなる結晶成長面にｃ面以外に配向した単結晶ＡｌＮからなる結晶粒が分散しているラテラル成長用前駆体基板を作製し、その後、ラテラル成長用前駆体基板を１２００〜１７００℃にし、結晶成長面のｃ面単結晶からなる領域上にＡｌＮ単結晶を突起部の高さよりも高くなるように優先的に成長させて、凹部が分散して存在する結晶成長面を有するラテラル成長用基板を作製し、さらに、ＡｌＮ単結晶を横方向に成長させることで、結晶性が改善されたＡｌＮ単結晶を成長させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 常圧窒素環境下で新規の薄膜成長技術を確立し、該技術に基づいて高純度な窒化アルミニウム材料を製造する新規の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム製造方法は、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物を、第１図（a）に示す窒化リチウムおよびアルミニウムに関する二元系状態図における斜線領域内の組成および温度で少なくとも２時間保持する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の種結晶基板を用いて表面にピットを発生させることなく大型のＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、複数の種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置し、それらの種結晶基板１の主表面１ｍ上に、液相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる第１の結晶成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の主表面上に、ハイドライド気相成長法により、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる第２の結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】大領域のガリウム含有窒化物結晶の成長のための方法を提供する。
【解決手段】転位密度が約１０^７ｃｍ−２よりも低い少なくとも２つの結晶２０１、２０２を提供する工程と、ハンドル基板を提供する工程と、少なくとも２つの結晶２０１、２０２をハンドル基板に対してウェーハ接合する工程と、少なくとも２つの結晶２０１，２０２を成長させて、溶合結晶として合体させる工程と、を含み、第１の結晶２０１と第２の結晶２０２との間の極性配向不整角度γは、０．５度未満であり、方位配向不整角度αおよびβは１度未満である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法と、それを用いて作られた炭化珪素基板とを提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素から作られた第１および第２の材料基板１１、１２のそれぞれは、第１および第２の裏面と、第１および第２の側面と、第１および第２の表面とを有する。第１および第２の裏面は支持部３０に接合されている。第１および第２の側面は、第１および第２の表面の間に開口を有する隙間を介して互いに対向している。開口上で隙間を閉塞する閉塞部７０が形成される。第１および第２の側面からの昇華物を閉塞部７０上に堆積させることで、開口を塞ぐ接合部ＢＤａが形成される。閉塞部ＢＤａが除去される。第１および第２の表面の上に炭化珪素単結晶が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）