【課題】 窒化物半導体のエピタキシャル成長中における、種基板の裏主表面及び側面への窒化物半導体の成長を抑制し、スライス時の基準面を確保することができる窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種基板となる窒化物半導体自立基板を準備する工程と、前記種基板の裏主表面全体及び側面の少なくとも一部にＳｉＯ_２又はＳｉ_３Ｎ_４からなる被膜を形成する工程と、前記種基板の表主表面上に、前記種基板と同種の窒化物半導体をエピタキシャル成長する工程と、前記エピタキシャル成長を行ったエピタキシャル成長基板の前記被膜上に析出した堆積物及び前記被膜を除去する工程と、前記エピタキシャル成長基板を、前記被膜を除去した主表面を基準面として、平行にスライスして２分割する工程とを含み、１枚の種基板から２枚の窒化物半導体自立基板を製造する窒化物半導体自立基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない化合物半導体層を種基板上にエピタキシャル成長できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電解めっきにおいて種基板１０を膜厚方向に貫通する貫通転位１０１〜１０５をそれぞれ通して種基板１０の厚さ方向に電流を流すことにより、種基板１０の第１の主面１１上の貫通転位１０１〜１０５が存在する位置に金属膜２０１〜２０５を選択的に形成するステップと、金属膜２０１〜２０５の融点より低いエピタキシャル成長温度で、金属膜２０１〜２０５を覆うように種基板１０の第１の主面１１上に化合物半導体層３０をエピタキシャル成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ極性面（＋ｃ面）を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な炭化珪素単結晶インゴットを容易に製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶上に炭化珪素ガスを供給して炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法であって、前記種結晶２ａの結晶成長面に、シリコンを含む薄膜であって炭化珪素単結晶を成長させる温度より低い温度で融解する薄膜２ｂを形成する。薄膜を形成した前記種結晶２ａを薄膜加熱処理することにより、炭化珪素種結晶２ａの表面に形成された薄膜２ｂが融解し、前記結晶２ａの少なくとも結晶成長面全体において融解層６を形成し、これに接触している炭化珪素種結晶２ａの最表面が融解層６中に溶け出す。これにより結晶２ａの最表面に残存する結晶ダメージ層５がエッチングされ、種結晶２ａの結晶ダメージの無い高品質な表面が露出するので、欠陥が低減された種結晶の表面が結晶成長面となり、高品質の炭化珪素単結晶インゴットが得られる。 （もっと読む）

【課題】多層膜の成膜により生じた反りを矯正すること。
【解決手段】単結晶基板２０と、単結晶基板２０の片面に形成された２つ以上の層を有しかつ圧縮応力を有する多層膜３０とを含み、単結晶基板２０をその厚み方向において２等分して得られる２つの領域２０Ｕ、２０Ｄのうち、少なくとも単結晶基板２０の多層膜３０が形成された面側と反対側の面側の領域２０Ｄ内に、熱変性層２２が設けられている多層膜付き単結晶基板、その製造方法および当該製造方法を用いた素子製造方法 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体基板の表面に形成された規則的な凹凸を有する四元系III−Ｖ族化合物半導体層の上に、有機金属気相成長法を用いて、上記凹凸の熱変形を抑制する保護膜となるIII−Ｖ族化合物半導体層を、第一の成長温度で所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長させた後、上記第一の成長温度よりも高い第二の成長温度で連続して同一組成の半導体層を、トータルの厚さが上記凹凸の高さよりも大きくなるまで成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】昇華法による高品質のＳｉＣ結晶の製造方法、製造装置および積層膜を提供する。
【解決手段】昇華法によるＳｉＣ結晶の製造装置１００において、種結晶１１の裏面１１ｂ上に、カーボン硬質膜、ダイヤモンド膜、タンタル膜および炭化タンタル膜からなる群より選ばれた少なくとも一種の膜１２を形成し、前記種結晶１１の表面１１ａ上に結晶１３を成長させることにより、膜１２と、種結晶１１と、結晶１３とを備えた積層膜を形成する。前記積層膜は、膜形成時に隙間が発生しにくく、かつ熱が加えられても熱分解しにくい膜１２を備えているため、種結晶１１においてこの膜１２と反対側に形成された結晶１３は、種結晶１１の昇華を抑制して製造されたものとなるので、高品質の結晶１３を備えた積層膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法による単結晶の製造において、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止できる種結晶固定方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。種結晶１０は、蓋体１２０側に種結晶１０を保護する保護層１５を有する。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 基板を準備し、該基板上に窒化物半導体ドットを形成し、窒化物半導体ドット上に窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の成長方法である。このように成長された窒化物半導体層を基板から分離して、窒化物半導体基板として使用できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物結晶の不純物濃度を低減できる下地基板、下地基板付窒化物結晶、下地基板の製造方法および窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０は、昇華法により窒化物結晶２１を製造するために用いられる下地基板であって、主面１１ａと、主面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する母材１１と、母材１１の裏面１１ｂに形成された保護層１２とを備え、保護層１２は、窒化物結晶２１の融点よりも高い融点を有する金属、窒化物、炭化物、窒化物の合金、および炭化物の合金からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質を主成分とし、残部が不可避的不純物である。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法において、簡便な方法によりテンプレート基板のサファイア基板を分離すること。
【解決手段】ＧａとＮａの混合融液中にサファイア基板１００とＧａＮ層１０１とからなるテンプレート基板１０２を置き、混合融液の温度を８５０℃、窒素の圧力を２．５ＭＰａとして、ＧａＮ層１０１の一部をサファイア基板１００が露出するまでメルトバックし、ＧａＮ層１０１を複数の立設した柱状に残した。次に、圧力を３ＭＰａに加圧し、ＧａＮ層１０１上にＧａＮ層１０３を結晶成長させた。次に、降温によってサファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差による応力を生じさせ、ＧａＮ層１０１にクラックを発生させた。これにより、ＧａＮ層１０３とサファイア基板１００とを分離させた。 （もっと読む）

【課題】
超硬合金を始めとする工具材料、或いは鉄族金属から成る構造材料などの基礎部材上に、部材成分等の影響を受けない状態でダイヤモンド膜を形成する技術を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る析出用基体は、硬質材料からなる基礎材に、種子ダイヤモンド結晶をマトリックス中に保持含有する被覆層が表面に接合されたＣＶＤダイヤモンド析出用基体であって、(1) 前記種子ダイヤモンド結晶としてのダイヤモンド粒子の平均粒径が1μm以下であり、(2) マトリックスがＳi、Ｔi、Ｚr、Ｈf、Ｖ、Ｎb、Ｔa、Ｃr、Ｍo、Ｗからなる第一金属群から選ばれる１種以上の第一金属種及び／又は、該第一金属種とホウ素、炭素又はチッ素から選ばれる非金属物質との化合物である第一金属化合物を含有し、上記ダイヤモンド粒子は該マトリックス中に分散され、(3) 上記硬質材料と被覆層との接合部に、上記第一金属種の金属原子及び硬質材料を構成する金属原子、或いはその一方の拡散によるに拡散層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

異なる構造の薄膜（１）に対するアモルファス又は結晶性構造の結晶（３）の転移は、結晶に薄膜を適用し、それを結晶化するためにそれを焼き鈍しするための加圧（６）及び加熱（７）の組合せによって達成され得る。特徴的に、ブロック（５）は、薄膜を屈曲させ、組立体のクラックを開始し、圧力が取り除かれた際に薄膜を開放するように端部に配置され、それによって結晶（３）を取り除き又はそれを破壊するための複雑な方法を取り除く。この方法は、いくつかの膜に使用される結晶（３）が結晶化されることを可能にし、達成される良好な製造率を可能にし、費用を削減する。
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【課題】本発明は、反りの改善したテンプレートを得ることと共に、テンプレート上に成長させた結晶のクラックを抑制し、結晶の品質を向上することを目的とするものである。
【解決手段】テンプレート１の基板の上面にマスク材を設ける第1の工程と、前記基板の上面に結晶薄膜を成長させる第２の工程と、によりテンプレートを製造する。結晶薄膜は、マスク材の上には成長しないため、基板に溝を形成せずに結晶薄膜を分割することができ、反りの改善したテンプレートを得ることができる。さらに、このテンプレート上に、厚膜のＧａＮ結晶を育成させた場合、テンプレートの基板に溝を有していないため、基板にＧａＮ結晶が嵌合されるように形成されないため、テンプレート上に成長させたＧａＮ結晶のクラックを抑制することができ、ＧａＮ結晶の品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる微傾斜窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】＜０００１＞方向から、


方向または


方向に主に向かって約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板はオフカットスライスおよびラッピングまたは微傾斜へテロエピタキシャル基板上の成長により形成する。 （もっと読む）

【課題】非常に高い温度に耐えられない分野で使用可能であり、その実施に関する熱負荷の低下にも寄与し、４５０℃未満の温度で行なわれ、触媒の構成元素のためにナノワイヤの不純物をもたらさず、結晶性に関して組織され、欠陥をほとんど有しないシリコン及び／又はゲルマニウムナノワイヤを組み立てる方法を提供する。
【解決手段】生じるナノワイヤの成長によって基板上にシリコン及び／又はゲルマニウムのナノワイヤを組み立てる方法であって、シリコンを含む前駆体とゲルマニウムを含む前駆体とを、前記基板に存在する酸化銅を含む化合物と接触させることを含む方法。 （もっと読む）