【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】下地基板を確実に支持して、安定して複数の薄板を形成する。
【解決手段】下地基板が取り付けられる被取付部１３０を有し、下地基板を着脱可能にかつ主面が融液中を潜るように下地基板を支持する支持機構と、主面上に薄板が形成されていない処理前下地基板を支持機構に取り付け、かつ、主面上に薄板が形成された処理後下地基板１００Ｂを支持機構から取り外す着脱機構１２０と、着脱機構１２０による処理後下地基板１００Ｂの取り外しと処理前下地基板の取り付けとの間に被取付部１３０を清掃する清掃機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】下地板を用いた薄板の製造において、下地板を融液から引き上げるときの薄板の剥がれおよび割れを防止する。
【解決手段】主面１１０と、主面１１０を取り囲む側面とを有する下地板１００が準備される。側面は、先端部１２１と、先端部１２１につながる側方部１３１と、先端部１２１に対向する後端部１４１とを有する。後端部１４１は側方部１３１に後端角部１５１を介してつながっている。後端角部１５１は、側方部１３１と後端部１４１との間の角が面取りされた部分である。次に、薄板の材料の融液中に主面１１０を浸漬することによって、主面１１０上に薄板が成長させられる。そして、融液から先端部１２１を引き上げた後に後端部１４１を引き上げることによって、融液から主面１１０が取り出される。融液から取り出された主面１１０から薄板が取り外される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】例えばＧａＮ等の結晶を成長させる場合において、同時に複数の結晶を製造させ、結晶製造の生産性を向上させることが可能な結晶製造装置及び結晶製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数の基板２００を保持する基板保持台２１７と、処理室２０１内に所定のガスを供給するガス供給部と、処理室２０１内のガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持台２１７は、複数の支柱２１７ａと、支柱２１７ａの長手方向に複数設けられる基板保持棚２１７ｂと、複数の基板保持棚２１７ｂにそれぞれ立設される基板保持部支持体２１７ｃと、基板保持部支持体２１７ｃにそれぞれ設けられ、基板２００を保持する基板保持部２１７ｄと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いたシリコンシートの製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際に、形成途中のシリコンシートが液面から受ける影響を小さくし、シリコンシートを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液４に下地板１を浸漬させた後に下地板１をシリコン融液４から脱出させて、シリコン融液４の凝固により下地板１上にシリコンシート２を形成するシリコンシート２の製造装置であって、下地板１の表面に形成されたシリコンシート２がシリコン融液４から脱出し終えるときの下地板１の移動速度が、下地板１がシリコン融液４に没入し始めるときの下地板１の移動速度に比べて大きくなるように、下地板１の速度を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
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【課題】基板の浸漬角度も任意に変更することができ、浸漬条件の自由度を向上させることができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】浸漬機構６は、水平の第１の回転中心１２を中心に旋回する一対の腕部材１３と、腕部材１３の先端近傍に水平な第２の回転中心を有する回転軸部材１４と、回転軸部材１４に下地板を保持する台座を有し、一対の腕部材１３は、回転軸部材１４を挟持し、回転軸部材１４とは反対側にバランサー１５が配置されている。バランサー１５は円筒状部材で構成され、一対の腕部材１３を繋いでいる。 （もっと読む）

本発明は、前駆体蒸気（１０１）が少なくとも１つの供給管路（１４１、１４２）に沿って堆積反応炉の反応室（１１０）に導かれ、反応室内に前駆体蒸気の鉛直流を作り出してこれを鉛直に配置された１回分の基板（１７０）間に鉛直方向に入り込ませることによって、鉛直に配置された基板（１７０）の表面に材料が堆積される方法および装置に関する。 （もっと読む）

【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液１１０２を保持するための主坩堝１１０１と、融液１１０２を加熱するための主坩堝加熱装置１１０４と、融液１２０２を保持するための副坩堝１２０１と、融液１２０２を加熱するための副坩堝加熱装置１２０４と、固体原料１４０２を投入するための固体原料投入装置１４０１と、副坩堝１２０１から主坩堝１１０１に融液１２０２を供給するための融液搬送部１３０１と、固体原料投入装置１４０１から副坩堝１２０１への固体原料１４０２の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置１５０６とを備えた溶融炉１０００である。 （もっと読む）

【課題】 III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 シリコンをエッチング可能なエッチング材を利用して半導体下地層の表面を洗浄する工程と、洗浄後の半導体下地層をアルコールに浸漬する工程と、浸漬された状態で半導体下地層をガス置換室に搬入する工程と、ガス置換室内を大気から置換ガスに置換する工程と、ガス置換室に連結する反応室に液体から取り出した半導体下地層を搬入する工程と、反応室内で半導体下地層の表面に前記半導体層を結晶成長させる工程を備えている。置換ガスは、シリコン濃度が０．２ppm以下である。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】析出用基板を案内する移送用ガイド体と、析出用基板を保持する搬送手段との位置関係の調整を容易に、短時間で行うことができる基板保持装置およびこの基板保持装置を備える析出板製造装置を提供する。
【解決手段】中継用ガイド体５４は、鉛直方向Ｚおよび交差方向にそれぞれ位置調整可能である。この中継用ガイド体５４は、移送用ガイド体に接続可能に構成され、析出用基板を移送方向Ｘに案内する。搬送手段５５は、析出用基板を保持可能に構成され、移送される析出用基板を保持する保持位置、および析出用基板を融液２４に浸漬する浸漬位置の間を移動する。これら中継用ガイド体５４および搬送手段５５は、チャンバの収容空間２７を出入り自在に構成される移動体５６に搭載される。 （もっと読む）

【課題】固体基板上のＣＶＤリアクタとそのウェハ上にエピタキシャル層を蒸着させる装置のリアクタ・サイクルの低減と、構成部品の低コストおよび長寿命と、高精度の温度制御とを提供する。
【解決手段】リアクタ内にウェハ・キャリヤ１１０を装着し、装着位置と蒸着位置Ｄの間を移動する。蒸着位置では、ウェハ・キャリヤは、中間サセプタを必要とせずに、回転式スピンドル１２０の上端に取り外し可能に取り付けられる。リアクタは、単一ウェハまたは同時に複数のウェハを処理できる。１つの変形形態では、スピントルを通るウェハ支持アセンブリの熱放散の低減と、そのための新規の加熱機構。 （もっと読む）

【課題】薄板の単位時間当たりの製造量を維持し、不活性ガスの使用量の削減と、真空排気系および搬送系の簡素化を実現できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置１０００は、浸漬機構１１００と、下地板交換機構１００３と、薄板分離機構１２００と、主室１０１０とを備えている。浸漬機構１１００は、融液１００２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１００２が凝固することにより薄板Ｐを形成する。下地板交換機構１００３は、表面上に薄板Ｐが付着された下地板Ｓを浸漬機構１１００から取り外す。薄板分離機構１２００は、薄板Ｐを浸漬機構１１００から取り外された下地板Ｓから分離する。主室１０１０は、浸漬機構１１００と下地板交換機構１００３と薄板分離機構１２００とが内部に配置されている。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化された方法および装置に関する。具体的には本発明の方法は、化学蒸着（ＣＶＤ）リアクタ内の分離弁フィクスチャ（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｖａｌｖｅ ｆｉｘｔｕｒｅ）の表面への不必要な材料の形成を実質的に防ぐことに関する。本発明は、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と反応させることによって単結晶ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を形成するシステムおよび方法において使用される分離弁の表面へのＧａＣｌ₃および反応副生物の堆積／凝縮を制限する装置および方法を提供する。
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液体供給材料、例えばシリコンのメルトプールから連続的に結晶リボンを製造する装置及び方法。シリコンは、溶融され且つ成長トレイ内へ流されて液体シリコンのメルトプールを提供する。当該メルトプールからチムニーを介して上方へ熱を流れさせることによって、熱が受動的に除去される。熱の損失をチムニーを介して生じさせながら、シリコンを液体相に保つために、成長トレイに熱が同時に適用される。熱がチムニーを介して失われるときに、シリコンが“凍結”（すなわち、凝固）し始め且つテンプレートに付着するように、テンプレートがメルトプールと接触せしめられる。当該テンプレートは、次いで、メルトプールから引き出されて結晶シリコンの連続するリボンが製造される。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でチャンバ内の酸素濃度を低減することができる基板製造装置を提供する。
【解決手段】 基板１２の原料を加熱溶融した融液１１を貯留する坩堝２は、チャンバ３によって形成される収容空間９に備えられる。バッファ空間２５を形成するバッファ室６は、収容空間９に連通し、かつ冷却体が通過可能な連通孔１７、ガスが排気される排気孔３４、および外部空間に連なり、かつ冷却体が通過可能な搬送孔２３が形成される。バッファ空間２５は、連通孔１７、排気孔３４および搬送孔２３に連通する。搬送孔２３は、開閉手段２４のシャッタ３３によって開閉可能であって、下地板４が通過するときに開状態となる。収容空間９には、ガス供給手段１５によって不活性ガスが供給される。ガス噴出手段３５は、搬送手段７がバッファ空間２５において下地板４を搬送するときに、冷却体に向けて不活性ガスを噴出する。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に原料の入った坩堝本体１４を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、攪拌１０２を回転することにより精製した後、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から坩堝本体１４の下部に配置した貯留槽に精製した原料融液９２を流下させる。流下した原料融液９２を、坩堝本体１４下部において昇降テーブル３１上に搭載した種子結晶板１０１の上面に接触させた状態で、昇降テーブル３１とともに種子結晶板１０１を下降させることによって結晶を成長させる。 （もっと読む）