【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性を確保することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３とそれを加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、メインチャンバー２の底部に設置されルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する湯漏れ受皿８とを具備する単結晶育成装置１であって、ルツボ３と湯漏れ受皿８との間に設置され、ルツボ３から漏れてきた湯漏れ融液１７を誘導して湯漏れ受皿８へ落下させるための誘導構造を有する下部誘導部材４を有し、湯漏れ受皿８は、湯漏れ受皿８内の空間に充填された受皿充填断熱材１６を有し、受皿充填断熱材１６の容積は、ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、受皿充填断熱材１６は、下部誘導部材４で誘導された湯漏れ融液１７が落下する位置に、落下した湯漏れ融液１７を湯漏れ受皿８の下部に導くための誘導路１６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】二重坩堝構造の導入により、１回性でない再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備えるシリコンインゴット成長装置について開示する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置は、シリコン原料が装入されるシリコン溶融用二重坩堝；前記シリコン原料を溶融させてシリコン溶湯を形成するために前記シリコン溶融用二重坩堝を加熱する坩堝加熱部；前記シリコン溶融用二重坩堝の回転及び昇降運動を制御する坩堝駆動部；及び前記シリコン溶融用二重坩堝の上側に配置され、前記シリコン溶湯にディッピングされたシード結晶を引き上げてシリコンインゴットを成長させる引上駆動部；を含み、前記シリコン溶融用二重坩堝は、上側が開放される容器形態であり、内部底面と内壁とを連結する傾斜面を備える黒鉛坩堝と、前記黒鉛坩堝の内側に挿入されて結合され、内部に前記シリコン原料が装入されるクォーツ坩堝とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶のライフタイムを低下させることなく、さらには作業性も損なわれない照明器具及び該照明器具を用いてシリコン単結晶を保管する保管方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくともシリコン単結晶を取り扱う場所に設けられる照明器具であって、該照明器具から発せられる照明光の６００ｎｍ以上の波長における発光スペクトルの最大強度が、６００ｎｍ未満の波長における発光スペクトルの最大強度の４０％以下のものであることを特徴とする照明器具を提供する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器に好適に適用できる、蛍光寿命の短いシンチレータ用単結晶を提供すること。
【解決手段】 一般式（１）：
Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ}Ｃｅ_ｘＲＥ_ｙＡｌ_５−ＺＭ_ＺＯ_１２ （１）
（式（１）中、０．０００１≦ｘ≦０．１５、０．６≦ｙ≦３、０≦ｚ≦４．５であり、ＭはＧａおよびＳｃから選択される少なくとも１種であり、ＲＥはＹ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種である）で表され、
蛍光寿命が１００ナノ秒以下の蛍光成分を有する、シンチレータ用ガーネット型単結晶。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶育成の際に少量の原料融液が漏れた場合でも、迅速に湯漏れ（融液漏れ）を検出できる単結晶製造装置、及び湯漏れ検出方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりルツボ５内に収容された原料融液４から単結晶を引き上げる際に使用する単結晶製造装置１であって、少なくとも、前記ルツボ５を支持する支持軸７に、該支持軸７の歪み量を測定する歪み量測定器１１を取り付け、前記歪み量測定器１１により支持軸７の歪み量を測定する。測定された支持軸７の歪み量からルツボ５内の原料融液量を算出し、原料融液量の減少量を求める。この原料融液量の減少量が、結晶成長による融液減少量よりも多い場合、この多い分の原料融液量が湯漏れとして検出される。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ装置において、ルツボからの湯漏れを高感度かつ高精度に検出できる単結晶引上げ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの底部に設置され前記ルツボから漏れてくる融液を収容する湯漏れ受け皿と、該湯漏れ受け皿に配設され湯漏れを検出する湯漏れ検出器とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶引上げ装置であって、少なくとも、前記湯漏れ検出器は、前記湯漏れ受け皿の上面に敷設された金属製部材と、該金属製部材の電気抵抗を測定する抵抗測定手段とを有し、該抵抗測定手段が測定した前記金属製部材の電気抵抗の変化により湯漏れを検出するものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ装置に用いられる断熱板の取り付け、取り外しを安全かつ効率的に行うことができる単結晶引上げ装置の断熱板移載治具を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ装置において、断熱板を昇降、移送するチェーン又はワイヤーの先端に取り付けられ、断熱板を支持する断熱板移載治具３１であって、少なくとも、断熱板の貫通孔内を通過可能な下板２７を有する本体部３６と、下板２７に水平回転可能に一端が取り付けられ、断熱板を支持する２つ以上の支持アーム２３、２３’、２３’’とを備え、支持アーム２３、２３’、２３’’が水平回転することによって、支持アーム２３、２３’、２３’’が取り付けられた下板２７が断熱板の貫通孔を通過可能、又は、支持アーム２３、２３’、２３’’により断熱板を支持可能になるものである単結晶引上げ装置の断熱板移載治具３１。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ装置におけるルツボからの湯漏れを高感度かつ高精度に検出できる単結晶引上げ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの底部に設置され前記ルツボから漏れてくる融液を収容する湯漏れ受け皿と、該湯漏れ受け皿に配設され湯漏れを検出する湯漏れ検出器とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶引上げ装置であって、前記湯漏れ検出器が、異なる高さ位置で温度を測定する２以上の温度測定手段と、該２以上の温度測定手段の測定値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段とを有するものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）

本発明は、シリコンインゴットの引き出し装置及び方法に関する。本発明は、コールドるつぼ内に形成されたシリコン融液が流入されるチャンバと、前記チャンバに垂直方向に移動可能に設けられ、前記シリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを引き出す１次引き出し装置と、前記１次引き出し装置を水平方向に移動させる移動装置と、前記チャンバの下部に垂直方向に移動可能に設けられ、前記１次引き出し装置が側方に移動した状態で前記シリコンインゴットを引き出す２次引き出し装置と、を含む。このような本発明によれば、引き出し装置の高さが減少することによって、設備にかかる製造費用を節減することができ、引き出し装置が設けられる空間をも低減することができる効果がある。
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【課題】石英ガラスルツボ内への異物侵入を、ルツボの実際の使用時期まで確実に回避し、汚染されない状態でのルツボの取り扱いを可能にし、多結晶シリコンやドーパント等を充填する工程において、内面が汚染されない状態での石英ガラスルツボの取り扱いを可能にし、更に、石英ガラスルツボ内にドーパント等を充填する工程を容易とする方法を提供する。
【解決手段】椀状の底部１０１、及び、底部１０１から延在し、底部１０１から離間する側に開口した周壁部１０２からなる有底円筒状の石英ガラスルツボ１を密閉するための蓋３であって、石英ガラスルツボ１の蓋３は、石英ガラスルツボ１の周壁部１０２の開口側の縁部２に着脱自在であり、かつ、ドーパントをルツボ１内に挿入するための、開閉可能な挿入部７を具える。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータの寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な単結晶半導体を製出可能である単結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶半導体を成長させる単結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をカーボンヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記半導体融液に浸漬したシードを引き上げ、単結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】包装済ルツボのハンドリングを人手に頼ることなく機械を介して実現する、包装済ルツボのハンドリングに適したクレーン装置を提供する。
【解決手段】包装済の石英ガラスルツボを配置した吊り上げ場所の上方と梱包用コンテナを配置した吊り降ろし場所の上方との間の経路上を往復動可能に、かつ該経路から前記吊り上げ場所および吊り降ろし場所のそれぞれにおいて前記経路に対して昇降可能に設置されるクレーン装置であって、前記昇降方向に延びる４本のアームを有し、該４本のアームを四角形の頂点に配置するとともに、該四角形の対角線上のアーム対を相互に進退可能に設け、各アームは先端に前記アームの進行方向に延びる爪を有するものとする。 （もっと読む）

誘導法により多結晶シリコンインゴットを製造する方法が、インダクタで囲まれる冷却るつぼの溶融チャンバ内にシリコン原料を装入すること、融液表面を形成すること、及び、溶融することを含み、なお、インダクタの上面よりも下であるが、その高さの１／３よりも下ではない融液表面位置をもたらすように、シリコン原料の質量装入量及びインゴットを引き抜く速度を設定し、融液表面を同じ高さに保持する。この場合、インダクタの供給出力パラメータを所定範囲内に維持することによって、融液表面位置が同じ高さに保持される。本方法は、太陽電池の製造に好適な多結晶シリコンインゴットを鋳造することをもたらし、注目すべきより高い効率及びより低いエネルギー原単位を有する。 （もっと読む）

【課題】停電時や機械故障発生時などの異常発生時でも、ワイヤーロープの素線切れや破断の発生を防止しつつ、育成した結晶の回転を安全に停止することができる単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】第１の動力源の回転出力を利用して、先端に種結晶１７を有するワイヤーロープ１９を回転させるための第１の回転手段と、ワイヤーロープ１９の回転を減速して停止させるための第１の回転停止手段と、ワイヤーロープ１９の回転時に異常の発生を検出する異常発生検出手段と、第２の動力源の回転出力を利用してワイヤーロープ１９を回転させるための第２の回転手段と、ワイヤーロープ１９の回転を減速して停止させるための第２の回転停止手段と、異常を検出したとき、ワイヤーロープ１９を回転させるために利用する回転出力を、第１の動力源の回転出力から第２の動力源の回転出力へと切り替える切替手段とを備える単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法および装置を提供する。
【解決手段】処理容器７内に坩堝１を収納させ、この坩堝１を処理容器７内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理容器７内に固体原料処理液８を流入させ、坩堝１内には、種基板支持体３で支持された種基板２と、この種基板２上に生成された結晶基板１０と、これらの種基板２および結晶基板１０を覆った固体原料４とが収納された状態とし、坩堝１を切断部で切断している。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝のより長期的な使用を可能とし、しかも稼働効率の改善を図ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法では、内面に剥離材をコーティングし焼成した坩堝に溶融原料を供給する工程と、前記坩堝内で前記溶融原料を固化させ、溶融原料の残量が３０％以下となる段階で、結晶片を溶融層に浸漬し、結晶の表面に突出部を形成する工程と、前記突出部を利用して前記結晶を前記坩堝から取り出す工程を、同じ坩堝を再利用して繰り返し行う。また、本発明に係る結晶成長方法では、前記突出部を把持する吊り具を使用し、前記吊り具に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。また、前記坩堝に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）