【課題】酸化ガリウムの融点（１９００℃）よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｇａ原子とＯ原子と昇華しやすい原子または分子を含む化合物膜（以下酸化ガリウム化合物膜と呼ぶ）を加熱し、酸化ガリウム化合物膜中から昇華しやすい原子または分子を昇華させることで、酸化ガリウムの結合エネルギーよりも低い熱エネルギーにより酸化ガリウムの単結晶を成長させる。昇華による酸化ガリウム化合物膜の消失を防ぐために、間隔を設けて別の酸化ガリウム化合物膜を配置する。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子１０１を作製し、次に結晶シリコン粒子１０１の表面に研磨加工を施して結晶シリコン粒子１０１の表層部に加工変質層を形成し、次に窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱して結晶シリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させ降温して凝固させて単結晶化する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜成長に適した平坦な表面を持つ酸化亜鉛単結晶基板を得る。
【解決手段】 研磨し洗浄した基板１をチェンバーに投入し、真空としたチェンバー内において、酸化亜鉛を溶解することができる成分であるフラックスをこのフラックスが溶融する温度及び圧力を制御しつつ堆積し、薄膜２を形成し、その後、上記フラックス成分を除いて、表面が平坦な酸化亜鉛単結晶基板１Ａを得る。成膜工程では、堆積時の基板温度を酸化亜鉛とフラックスの共晶温度以上共晶温度＋１５０℃以下の範囲に制御した条件で堆積するものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ処理を実施することなく、0.5ｎｍ（ＲＭＳ）以下の表面粗さの単結晶炭化シリコン層を有するＳｉＣウエハを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面に緩衝層２を形成する（Ｓ１）。緩衝層２を通して炭素イオンＣ＋を注入することによりシリコン基板１内にシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成する（Ｓ２）。シリコン基板１から緩衝層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させる（Ｓ３）。シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成する（Ｓ４）。熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させる（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および／または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、（Ａ）式Ｓｉ_ｎＲ_ｍで表されるポリシラン化合物 並びに（Ｂ）シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンロッドの製造方法及び単結晶シリコンロッド構造体を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にホールを形成する工程と、ホール内にシリコンを選択成長させる工程と、ホール及び絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、シリコン層にホールに対して非放射状方向にロッドパターンを形成する工程と、シリコン層を溶融させてホールに対応する位置に結晶核が生成されるように、ロッドパターンが形成されたシリコン層上にレーザビームを照射してシリコン層を結晶化する工程と、を含む単結晶シリコン製造方法である。これにより、欠点のない単結晶シリコンロッドを形成しうる。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_２Ｏの前駆物質およびＯ_３の前駆物質のいずれかと、ＤＥＺｎの前駆物質とを供給し、４００℃以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するＺｎＯ層１２をサファイヤ基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板またはガラス基板からなる基板１０の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンのみからなる自立型で、欠陥が少なく結晶性に優れた立方晶系単結晶炭化シリコン基板を作製する。
【解決手段】シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３と表面シリコン膜４とからなるＳＯＩ基板１を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜４を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜５に変成し、単結晶炭化シリコン膜５の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜６を形成し、単結晶炭化シリコン膜６の上に気相成長法により非晶質炭化シリコン膜７を形成し、シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３を除去し、基板を加熱して非晶質炭化シリコン膜７を単結晶化し、単結晶炭化シリコン膜５，６と非晶質炭化シリコン膜７を単結晶化して生成した単結晶炭化シリコン膜とからなる積層構造を立方晶系単結晶炭化シリコン基板とする。 （もっと読む）

【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温でＣｕ_２Ｏ薄膜を高結晶化させる方法及び結晶性が高く、ホール移動度の高いＣｕ_２Ｏ薄膜が、高分子フィルムよりなる基板上に積層されてなる積層体を提供する。
【解決手段】基板上にＣｕ_２Ｏ薄膜が積層されてなる積層体１０が、ガラスチャンバ１内に配置されている。この基板は高分子フィルムよりなっている。Ａｒガス雰囲気において、電極２，３間に高周波電力を印加し、積層体１０のプラズマ処理を行う。これにより、Ｃｕ_２Ｏ薄膜が高結晶化し、Ｃｕ_２Ｏ薄膜のホール移動度が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を品質的に高価に成長させることができる半導体層構造並びに半導体層構造の経済的な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法において、炭素イオンをシリコンウェハの規定の深さに注入し、次いで該シリコンウェハを熱処理し、それにより該シリコンウェハ中に埋め込まれた単結晶炭化ケイ素層が形成し、そしてその炭化ケイ素層の上方と下方とに非晶質の遷移領域が形成し、引き続き上方のシリコン層と、単結晶炭化ケイ素層の上方にある非晶質の遷移領域とを分離し、それにより単結晶炭化ケイ素層が露出され、そして引き続き露出された単結晶炭化ケイ素層の表面を化学的機械的に平坦化して、０．５ｎｍ未満（ＲＭＳ）の表面粗さにする。 （もっと読む）

【課題】ＧaＡs(111)Ａ面基板上に形成されたＧaＮ層を有するエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｇaを含む有機金属およびＨClを含む第１の原料ガスと、ＮＨ₃を含む第２の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、或いは、ＨClを含む第１の原料ガスと、ＮＨ₃を含む第２の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、前記反応管内部に配置された容器内に収納された金属Ｇaと第１の原料ガスに含まれたＨClとを反応させてＧaClを生成させて、反応管内に設置されたＧaＡs(111)Ａ面基板上に400℃以上600℃以下の温度で厚み60ｎｍ以上のバッファ層を気相成長させる。次いで、バッファ層を形成した前記基板の温度を、ＮＨ₃ガスを前記基板に供給しながら、上昇させてバッファ層の結晶性を向上させる。更に、第１および第２の原料ガスを、850℃以上1030℃以下に加熱された反応管内に供給し、バッファ層上にＧaＮ層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】セラミックスを含む配向膜を低コストで製造できる配向膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に向けて粉体を噴射して該基板上に堆積させるエアロゾルデポジション法を用いることにより、少なくとも表面における結晶配向が制御された種基板１上にセラミックス膜１０を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）において形成されたセラミックス膜１０を熱処理することにより、セラミックス膜に含まれる結晶粒を配向させる工程（ｂ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ₃結晶の分極方向を容易に制御できるようにする。
【解決手段】まず、サファイアＡ面基板の上にアモルファス状態のＬｉＮｂＯ₃膜を成膜する（ステップＳ１）。ＬｉＮｂＯ₃膜の成膜には、電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いたスパッタ法を用いることができる。次に、成膜したＬｉＮｂＯ₃膜を加熱して結晶化させ、ａ軸配向のＬｉＮｂＯ₃結晶薄膜を形成する（ステップＳ２）。この際、３２０℃以上の温度で加熱することが好ましい。 （もっと読む）

１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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【課題】 良好な圧電特性を有する圧電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜は，
ペロブスカイト型の圧電体膜であって、
擬立方晶（１００）に優先配向しており、
モノクリニック構造（図のＭで示される領域）を有し、
分極軸方向は、擬立方晶＜１１１＞方向と，擬立方晶＜１００＞方向との間である。 （もっと読む）

本発明は、線形焦点式レーザビームを用いた固形物のレーザドーピング方法、および該方法に基づいて製造された太陽電池エミッタである。本発明に係るレーザドーピング方法では、まず第１に、ドーパントを含む媒体を、固体材料の表面に接触させる。そして、レーザパルスを照射することによって、媒体と接触する固体材料の表面下の領域を溶解させる。その結果、ドーパントが、溶解した領域に拡散し、また、冷却されて、該溶解した領域が再結晶する。レーザビームの焦点は、固体材料上に線形的に合わせられ、その線形焦点の幅は、１０μｍよりも小さいことが好ましい。
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