【課題】 透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の製造において、β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶をその（１０１）面に平行な方向に成長させ、（１０１）面内における＜１０−１＞方向と成長方向とのなす角度φ（０°≦φ＜９０°）を９０°未満とする。ＦＺ（Floating Zone）法等の他の結晶成長方法を用いた場合であってもβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶２５の双晶化を効果的に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有し、かつ着色を改善したＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下のＦｅを含有し、前記Ｆｅが２価のＦｅイオンからなり、３価のＦｅイオンを含まないペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶を含む光学材料。前記ペロブスカイト型ＬａＡｌＯ３結晶のＥＳＲスペクトルにおいて、ｇ値が２．０２に相当する箇所に信号ピークが無い。平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下のＬａＡｌＯ３粒子を型に充填し、不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、１６００以上１８００℃以下の温度で焼成する工程を有する光学材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】長手方向の抵抗率分布が同一な単結晶をより確実に製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料シリコン素材９を加熱して溶融帯１１を形成し、溶融帯１１にドーパントを供給しながら溶融帯１１を凝固させて、直径が同一な直胴部１０ａと、直径が拡大又は縮小する直径拡縮部１０ｂ，１０ｃとを有する単結晶１０を製造するＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、直胴部１０ａに対応する溶融帯１１にドーパントを供給しながら直胴部１０ａを形成する直胴部形成工程と、直胴部形成工程の前及び／又は後に、直径拡縮部１０ｂ，１０ｃに対応する溶融帯１１にドーパントを供給しながら直径拡縮部１０ｂ，１０ｃを形成する直径拡縮部形成工程と、を備え、直径拡縮部形成工程において、所定の変更条件に基づいて、直胴部形成工程におけるドーパントの供給条件に対して直径拡縮部形成工程におけるドーパントの供給条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。
【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも１回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはＦＴＩＲ又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶のインゴットにおいて、結晶成長軸方向の抵抗率分布の傾きを小さくすることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決方法】チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。また、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により、形成されたインゴット１の引き上げの終端Ａ２から引き上げの初端Ａ１に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット２を生成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】フローティングゾーン法を用いてシリコン単結晶３を製造する装置１０であって、酸素を含有するシリコン原料素材１および種結晶２上に育成したシリコン単結晶３を収容する炉Ｃと、炉内のシリコン原料素材１と種結晶２との間に位置し、シリコン原料素材１を溶融して溶融帯Ｍを形成し、種結晶２上にシリコン単結晶３を育成するための誘導加熱コイル８と、シリコン原料素材１と誘導加熱コイル８との間に位置し、不活性ガスを吹き付けてシリコン原料素材１の溶融により発生するＳｉＯガスを外方拡散させる不活性ガス吹付け手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】面内抵抗が均一なＦＺ法（フローティングゾーン法）によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン原料を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯からシリコン単結晶１０を成長させるＦＺ法により不純物をドープしたシリコン単結晶インゴットから得られるシリコンウェーハの製造方法であって、製品ウェーハの抵抗保証直径Ｗ１よりも25mm以上大きな直径Ｗで、前記シリコン単結晶１０の直胴部１２を形成する工程と、該直胴部１２の外周面１２ａを製品規格直径Ｗ２まで研削する工程とを含む。前記不純物は、リン、又はボロンであり、前記不純物のドーピングは、前記溶融帯に前記不純物をガスドープする。 （もっと読む）

【課題】製造される半導体単結晶の径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なＦＺ法（フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法）による半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともドーパントガスを溶融帯域に噴出して半導体結晶にドーパントをドープし所望の抵抗率にするガスドーピングを使用したＦＺ法による半導体単結晶の製造方法において、少なくとも、予め前記半導体単結晶を製造して該半導体単結晶の径方向の面内抵抗率分布を取得し、製品となる半導体単結晶を製造するとき、直胴部を形成中に、該製品となる半導体単結晶への前記ガスドーピングによるドーパントのドープ量を、前記予め取得した径方向の面内抵抗率分布に応じて調節し、製品となる半導体単結晶の径方向の面内抵抗率分布を制御することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

【課題】常温において電気磁気効果を呈する電気磁気効果材料及び電気磁気効果材料からなる電子素子を提供する。
【解決手段】電気磁気効果材料を、下記式(1)で表され、式(1)中のＲの一部が正二価以下の元素により固溶置換されている酸化物とする。
(ＲＭ₂Ｏ₄)_m(ＲＭＯ₃)_n (1)
(式中、Ｒは、Ｙ、Ｄｙ、Ｌｕ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｓｃ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＧａからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、ｍは１または２であり、ｎは０以上の整数である。)。この電気磁気効果材料を用いて電子素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】長尺状の多結晶材料と加熱源を、多結晶材料の長手方向に相対的に移動させることによって多結晶材料を局所加熱で半溶融状態にして多結晶材料の長手方向に単結晶を成長させる方法において、映像観察装置によって多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に観察し、半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御することにより単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】低不純物汚染（高純度）の多結晶シリコンロッドであってかつ単結晶化効率の高いＦＺ用多結晶シリコンロッドの製造を可能とする方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコンインゴット１０のショルダ部１０ｓおよびテイル部１０ｔを切り落として得られたボディ部１０ｂから平板状シリコン１１を切り出し、更に、短冊状に切断してシリコン棒（芯線）１２を得る。このようにして切り出した芯線の表面は、切断加工時に生じた残留歪みを除去する目的で、エッチング処理を施すことが好ましい。結晶成長軸方位が＜１００＞の場合、晶壁線（ｈ１〜ｈ４）は４本となるが、シリコン棒（芯線）１２は、その面が、晶壁線と特定範囲のオフアングルθを成すように切り出される。このときのオフアングルθは、５度乃至４０度の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１本の結晶棒の成長軸方向全体にわたって電気抵抗率がほぼ一定であるか、軸方向プロファイルを有する結晶が取得可能なＦＺ法による半導体結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】濃厚ドーパントガス供給手段２４から供給された濃厚ドーパントガスをＡｒガス供給手段２２から供給されたＡｒガスで希釈した混合ドーパントガスを混合ドーパントガス供給手段２０によりチャンバー１１内に供給するように構成され、さらに、結晶製造条件を制御する結晶製造条件制御手段２６と、結晶成長状態を検出する検出手段２７と、各制御手段に信号を与えるコントローラ２８を備えたＦＺ法による半導体結晶製造装置１において、原料半導体棒１４と晶出側半導体棒９との間に溶融帯域を形成し、直胴部を形成する工程中に、前記検出手段２７により検出された結晶成長状態の変化に応じて、前記晶出側半導体棒へのドーパント添加量を制御する。 （もっと読む）

【課題】大型の単結晶の育成を容易にする単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】中空状の単結晶原料２１と種結晶２２との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯３１を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置であって、種結晶２２を保持することができる種結晶保持部１９と、エネルギー伝送路となる中空部を有する単結晶原料を種結晶２２に対して接触可能に保持することができる原料保持部１１，１８と、ハロゲンランプ１７及び楕円鏡１６より構成され、溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより溶融帯を加熱する第１加熱部と、レーザー光源４１から光ファイバー４２を介し、単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて溶融帯へ第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギー（レーザー）を照射することにより溶融帯３１を加熱する第２加熱部とを備える。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により製造された有転位又は多結晶のシリコン結晶素材であって、ＦＺ法単結晶製造の原料棒として用いられ、クラックや破断が生じることなく、ＦＺ炉内に懸垂保持するための被把持部を有する大口径の有転位又は多結晶のシリコン結晶素材を提供すること。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造に用いられるシリコン結晶素材であって、ＣＺ法により製造された有転位又は多結晶シリコンであり種結晶部と、この種結晶部から結晶成長した漸次拡径する肩部と、円柱状の直胴部と、漸次縮径する尾部と、を有する。そして、ＣＺ炉内で結晶成長させて炉内から取り出される前に、所定時間かけて所定温度にまで徐冷される徐冷工程を経て製造され、３００℃下における残留応力が０．６ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。その製造方法は、ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法で製造する際に、結晶の成長条件を一時的に変更して、直胴部２の外周面に凸部３又は凹部を、又は直胴部２の肩部５にくぼみ部を形成する。 （もっと読む）