【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造時のように２０００℃以上の高温での使用環境下において、開封部の形状変化を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンを主成分とするルツボ本体部とルツボ本体部の側壁部５に融点２１００℃以上の金属または合金からなるリング状補強部材３を具備するルツボ１であって、前記リング状補強部材３は、タングステンまたはタングステンを主成分とする合金からなることが好ましく、また、ルツボ本体部の高さＬ１とリング状補強部材の高さＬ２の比（Ｌ２／Ｌ１）が０．００１〜１であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低コストで、ボイドのような欠陥のないタンタル酸リチウム単結晶の製造に適したルツボを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法で融液から酸化物単結晶を育成するのに使用するイリジウムルツボであって、側面の板厚と底面の板厚をそれぞれｔ及びｔ’とした場合、ｔ>ｔ’であり、前記ｔ’値が0.5ｔ≦ｔ’≦0.95ｔ、前記ｔ値が1.5ｍｍ〜10.0mmであり、さらに前記イリジウムルツボの底面の形状が丸味を帯びていることが好ましい。。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】成長炉内に、原料からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なる出力を放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーで発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているＳｉＣ単結晶の製造装置より濡れ性の低い多結晶発生阻害部が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げ中の高温下において沈み込みが抑制されたシリカガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカガラスルツボの製造では、中空状のモールドを回転させながらモールド内にシリカ粉を供給してシリカ粉層を形成し、シリカ粉層を加熱溶融してシリカガラス層を形成する。シリカ粉層を形成する工程は、ルツボの上端から当該上端よりも下方の第１の中間位置までの範囲に属するルツボ上部に相当するモールド内の所定の位置に第１のシリカ粉を供給する工程と、第１の中間位置からルツボの下端までの範囲に属するルツボ下部に相当するモールド内の位置に第２のシリカ粉を供給する工程と、第１及び第２のシリカ粉に覆われたモールドの内面に第３のシリカ粉を供給する工程とを含み、第１のシリカ粉の粒度分布は第２のシリカ粉の粒度分布よりも広く且つより多くの微粉を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱強度が高く長時間の引き上げに使用することができ、さらに低コストで製造可能なルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複合ルツボ１０は、石英ガラスルツボ本体１１と、ルツボの上端部に設けられた補強層１４を備え、補強層１４は、アルミナとシリカを主成分とするムライト質な材料で構成されている。石英ガラスルツボ本体１１は、ルツボの外表面側に形成された不透明石英ガラス層１２と、ルツボの内表面側に形成された透明石英ガラス層１３とを備えており、不透明石英ガラス層１２と補強層１４はルツボの外層を構成しており、透明石英ガラス層１３はルツボの内層を構成している。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造等、高温での使用環境下において、ふくれの発生を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】高融点金属に酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子を分散させたことを特徴とするルツボ１であって、前記高融点金属はタングステン、モリブデンまたはタングステンモリブデン合金のいずれか１種であることが好ましく、また、前記酸素吸着金属粒子またはその酸化物粒子はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルの金属粒子またはその酸化物のいずれか１種以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、高温でのサスセプタと石英るつぼとの反応により発生する酸化ケイ素、一酸化炭素及び／又は二酸化炭素などの放出ガスを効果的に排気する方法およびサスセプタを提供する。
【解決手段】シリコンチャージが溶融する石英るつぼを保持するためのサスセプタ４４は、その下部でるつぼを受け入れるようなサイズの概ねボウル形の構造であり、前記構造が、るつぼの上部の上方へ延びる内面５２を有し、前記構造の前記内面５２に複数の溝４６，４８，５０が形成されてなり、前記複数の溝４６，４８，５０を通じて、前記サスセプタ４４および前記るつぼが加熱されるときにるつぼの外面から放出されるガスが上昇し、上方の開放端開放端から放出される。前記の溝および開放端は石英るつぼ外面に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。
【解決手段】炉内に原料フッ化金属と固体含金属スカベンジャとを収容し、炉内を昇温し原料フッ化金属を溶融させ、次いで溶融したフッ化金属を単結晶化するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記固体含金属スカベンジャを、原料フッ化金属の融点以上の温度に保持される炉内の高温部位と、溶融したフッ化金属を単結晶化する工程を通じて、固体含金属スカベンジャの融点以上乃至原料フッ化金属の融点未満、例えば「原料フッ化金属の融点−１５０℃」以下の保持される炉内の低温部位とに分割して収容、好ましくは、低温部位／高温部位の質量比率が０．３〜１．０となるように収容することを特徴とするフッ化金属単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引上げる際に用いる石英ガラスルツボにおいて、ルツボ上部の径方向内側への倒れ込みの発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上することのできる石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引上げる際に用いる石英ガラスルツボ１であって、第１の曲率を有する底部１ｂと、前記底部の周囲に形成され、第２の曲率を有する底部コーナー１ｃと、前記底部コーナーから上方に延設され、上端が開口する直胴部１ａとを有し、前記底部コーナーの外周面には、周方向に沿って環状に溝部２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ルツボ上部の径方向内側への倒れ込み、及び直胴部の座屈変形の発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置において、ルツボ形状のサセプタ２と、該サセプタに収容される石英ガラスルツボ３とからなるルツボ構造１であって、前記石英ガラスルツボは、円筒状に形成され、上端に開口部を有するルツボ直胴部２ｂと、前記ルツボ直胴部の下端側に形成されたルツボ底部２ｃと、前記ルツボ直胴部における外周面の少なくとも一部に、周方向に沿って螺旋状に形成されたリブ４とを有し、前記サセプタは、円筒状に形成され、上端に開口部を有するサセプタ直胴部３ｂと、前記サセプタ直胴部の下端側に形成されたサセプタ底部３ｃと、前記サセプタ直胴部の内周面に、周方向に沿って螺旋状に形成された前記リブに係合可能な螺合溝５とを有し、前記石英ガラスルツボは、前記サセプタに螺合され収容される。 （もっと読む）

【課題】ルツボ上部の径方向内側への倒れ込み、及び直胴部の座屈変形の発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上することのできる石英ガラスルツボ及びルツボ構造を提供する。
【解決手段】円筒状に形成され、上端に開口部を有する直胴部３ａと、前記直胴部の下端に形成された底部３ｃと、前記直胴部の開口部の周囲において、径方向外側に環状に延設されると共に、サセプタ２の上端２ｂに係合可能なフランジ部３ｂとを有し、前記直胴部の高さ寸法は、前記直胴部と前記底部とが前記サセプタ内に収容され、前記フランジ部が前記サセプタの上端に係合した状態で、前記底部の下端と、前記サセプタの底部２ｃとの間に所定の間隙が形成される長さに形成されている。 （もっと読む）

【課題】 単結晶の育成速度の優れた坩堝および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】 坩堝１０は、単結晶育成装置に配置されるものである。坩堝１０は、収容体１１と、中空体１２とを含む。収容体１１は、開口を有し、原材料を収容する。中空体１２は、収容体１１の内に収容され、収容体１１の開口側に向かって径が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の育成において、直胴部の品質低下を防止しつつ、テール部の育成時における析出の発生を安定的に防止する。
【解決手段】シリコン融液２１を加熱するヒータ１５と、シリコン単結晶２０とヒータ１５との間に設けられた熱遮蔽体２２とを有する引き上げ装置１０を用い、直胴部及びテール部の育成時における熱遮蔽体２２と湯面２１ａとの距離をそれぞれＡ，Ｂとし、直胴部及びテール部の育成時における引き上げ速度をそれぞれＣ，Ｄとした場合、Ａ／Ｂを１以上１．６以下とし、Ｃ／Ｄを０．６以上とし、（Ａ／Ｂ）×（Ｃ／Ｄ）で与えられる値Ｆを０．８以上１．３以下とする。これにより、大口径のるつぼ、例えば内径が８５０ｍｍ以上のるつぼを用いた場合であっても、テール部の育成時において析出の発生や直胴部の品質低下を安定的に防止することが可能となる。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】高温強度、特に底部と側壁部とを連結する角部の高温強度に優れるタングステン製ルツボを提供すること。
【解決手段】純度９９．９％以上のタングステンからなり、底部２と側壁部３とが角部４を介して連結された上部開放の有底筒状のタングステン製ルツボ１であって、前記タングステンは、粒径が１０μｍ以上１００μｍ以下のタングステン結晶粒の割合が粒子数の割合で９０％以上であるもの。また、焼結工程やＨＩＰ焼結により製造する。 （もっと読む）

【課題】上下方向や横断面半径方向におけるドーパント濃度差の発生を防止できる半導体単結晶（インゴット）の引上げ方法及び装置を提供する。
【解決手段】インゴット４の成長に用いる第１るつぼ１に加えて、第１るつぼに補充する融液６を貯留する第２るつぼ２と、第２るつぼを昇降する第２るつぼ支持体５を設ける。第２るつぼ支持体を上昇させて第２るつぼの融液を、引き上げにより固化する量のみを第１るつぼへ逐次供給する固化量融液逐次供給と、インゴットの引き上げ固化とを繰り返しながらインゴットを成長させ、インゴット下方向でドーパント濃度が高くなることを防ぐ。第１るつぼ底面中央部分に突部１ｂを設けて固化の遅いインゴット中央部分の融液量を少なくし、インゴット横断面内の中央部分でのドーパント濃度が高くなることを防ぐ。 （もっと読む）