【課題】結晶化プレートに設けられている結晶化ウェル内に生成されているタンパク質の生成度合いを観察する場合、強磁場から結晶化プレートを取り出す必要がなく、結晶ができていない場合でも、結晶成長が乱されず、しかも、観測の質を向上させることができる結晶化プレートの観察装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リザーバと結晶生成部と柱状空間とを具備するリング体からなる結晶化プレートを超強磁場に配置した状態で、上記結晶生成部で生成される結晶を観察する結晶化プレートの観察装置であって、上記リング体の内周に形成されている柱状空間に設けられ、上記結晶生成部に光を当てる光源と、上記結晶生成部からの光の像を電気信号に変換する受光素子と、上記結晶生成部からの光を上記受光素子に向けて反射する反射手段であって、上記柱状空間に設けられる反射手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内の溶融液面において、育成中結晶の外周近傍から外側に向けて流れる離心流（外向流）を形成し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、前記単結晶とルツボ３とを互いに逆方向に回転させ、前記単結晶の回転速度を、該単結晶と溶融液との固液界面における結晶外周の周方向線速度が１５０ｍｍ／ｓ以上となるように制御し、前記ルツボの回転速度を、０〜５ｒｐｍの間で制御することによって、前記溶融液の液面にルツボ中央側から外側に向けて流れる離心流を形成する。 （もっと読む）

【課題】引き上げる単結晶の大きさに拘わらず、１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度を有する単結晶を有転位化させることなく育成することができる単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、炉内圧力を４０〜８０ｔｏｒｒ、ルツボ回転数を３〜８ｒｐｍの間で制御すると共に、上下一対の電磁コイル１３，１４により印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比（上部磁場／下部磁場）を０．７〜０．９５の間で制御し、かつ、シリコン溶融液Ｍの液面Ｍ１を０（ｍｍ）位置とし、前記液面Ｍ１に対して垂直である鉛直方向における前記液面Ｍ１から上方向を正の方向、前記液面Ｍ１から下方向を負の方向としたとき、前記単結晶Ｃの中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が０（ガウス）となる０磁場水平位置を−１０〜＋１００ｍｍの間に制御する。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学特性が材料中で連続的に変化している透光性多結晶材料を製造する。
【解決手段】磁場内に置くと力を受ける単結晶粒子群を含むスラリーを磁束密度が空間に対して変化している磁場内で固定化してから焼結する。例えば、Ｅｒを添加したＹＡＧの単結晶粒子群と希土類を添加しないＹＡＧの単結晶粒子群を含むスラリーを、磁場強度が不均一に分布している磁場内で固定化すると、強磁場の位置では、Ｅｒを添加したＹＡＧがリッチで結晶方向が揃っているレーザ発振領域となり、弱磁場の位置では、希土類が添加されていないＹＡＧがリッチで光を透光する領域となる。レーザ発振するコアと、コアの周辺にあって励起光をコアに導くガイドを併せ持った多結晶材料を同時に製造できる。 （もっと読む）

【課題】単結晶におけるピンホール欠陥の形成を妨げ、単結晶を引き上げる工程の際に有効である少なくとも１つの手段を含む方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを製造するための方法であって、るつぼ４内で加熱された溶融物から種結晶で単結晶８を引き上げるステップと、ある加熱パワーでるつぼ底部の中央に熱を与えるステップとを備え、単結晶８の円筒部分が引き上げられる過程において、加熱パワーは少なくとも１回２ｋＷ以上に上げられ、次に再び下げられ、さらに引き上げられた単結晶８から半導体ウェハを切断するステップを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の育成において、直胴部の品質低下を防止しつつ、テール部の育成時における析出の発生を安定的に防止する。
【解決手段】シリコン融液２１を加熱するヒータ１５と、シリコン単結晶２０とヒータ１５との間に設けられた熱遮蔽体２２とを有する引き上げ装置１０を用い、直胴部及びテール部の育成時における熱遮蔽体２２と湯面２１ａとの距離をそれぞれＡ，Ｂとし、直胴部及びテール部の育成時における引き上げ速度をそれぞれＣ，Ｄとした場合、Ａ／Ｂを１以上１．６以下とし、Ｃ／Ｄを０．６以上とし、（Ａ／Ｂ）×（Ｃ／Ｄ）で与えられる値Ｆを０．８以上１．３以下とする。これにより、大口径のるつぼ、例えば内径が８５０ｍｍ以上のるつぼを用いた場合であっても、テール部の育成時において析出の発生や直胴部の品質低下を安定的に防止することが可能となる。 （もっと読む）

半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】径方向全域にわたりＯＳＦおよびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中の単結晶を囲繞する水冷体１１と、この水冷体１１の外周面および下端面を包囲する熱遮蔽体１０と、上下に分割されてルツボを囲繞する上側ヒータ４ａおよび下側ヒータ４ｂとを配置し、各ヒータ４ａ、４ｂの出力を調整してルツボ底中心部での融液温度を１４９０℃以下に制御しつつ、原料融液９に横磁場を印加しながら、単結晶８の温度が融点から１３００℃までの範囲にて、引き上げ軸方向の温度勾配を単結晶中心部ではＧｃ、外周部ではＧｅとするとき、Ｇｃ／Ｇｅ＞１を満足する条件で引き上げを行う。これにより、径方向全域で無欠陥領域となる引き上げ速度の許容範囲が拡大し、径方向全域にわたり無欠陥領域となる単結晶８を歩留り良く安定して育成できる。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に多量のドーパントを添加した場合にあっても、結晶成長中のセル成長を未然に回避して低抵抗の単結晶シリコンを製造し得る手法について提案する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 （もっと読む）

シリコン結晶化装置は、シリコンを収容する坩堝（１１）と、前記坩堝に収容される前記シリコンを溶融させ、続いて前記溶融シリコンを凝固させるように設けられている加熱／熱放散機構（１３〜１５）と、前記坩堝内の前記溶融シリコンを、前記溶融シリコンの凝固過程で撹拌するように設けられている電磁撹拌装置（１７）とを備える。制御機構（１８）は、前記加熱／熱放散機構を制御して、前記溶融シリコンを指定凝固速度で凝固させ、前記電磁撹拌装置を制御して、前記溶融シリコンを前記溶融シリコンの前記指定凝固速度に応じて撹拌することにより、前記溶融シリコンの速度と前記指定凝固速度との比が、第１の閾値を上回るようになるように設けられている。
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【課題】８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有するシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｓを製造する製造方法は、単結晶製造装置１において、坩堝６中の溶融されたシリコン原料Ｆに１０００ガウス以上５０００ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を８ｒｐｍ以下に制御して単結晶Ｓの成長を実行する。さらに下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、単結晶Ｓ中の酸素濃度を更に低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】炭素添加したシリコン融液を用いてシリコン単結晶を育成する方法において、シリコン単結晶の外周部における炭素濃度の低下を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。また、面内ＢＭＤ密度を均一化した、高いゲッタリング能力を有し得るシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液１３をるつぼ１２中に準備し、るつぼ１２中のシリコン融液１３に対して磁束密度０．２〜０．４Ｔの磁場を印加しつつ、シリコン融液１３に接触させたシリコン種結晶１７を、０．５２〜０．８４ｒａｄ／ｓの回転速度で回転させながら引き上げて、シリコン種結晶１７上にシリコン単結晶１６を育成することを含む、シリコン単結晶１６の製造方法。また、その製造方法で製造したシリコン単結晶１６のインゴットを用いたシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に低速回転領域におけるルツボの回転精度を向上することができ、育成する単結晶の不純物濃度をより高度に制御して、不純物濃度のバラツキが抑制された単結晶を製造することができる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ回転軸１８に配設され、ルツボ９，１０の回転数を測定する回転数測定器２１と、該回転数測定器２１で測定したルツボ９の回転数に基づいてルツボ回転駆動機構１９の回転駆動をフィードバック制御する回転制御手段２とを具備し、単結晶８の育成中に、回転制御手段２によってルツボ９，１０の回転精度を±２％以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】ｐ⁺型で炭素を添加した結晶において、全面がＣＯＰ領域で、かつ結晶面内にリング状ＯＳＦ領域が発生せず、高酸素濃度でＩＧ能力の高い単結晶を効率的に育成することが可能な、シリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶内の抵抗率が０．０１２〜０．１Ωｃｍになるようにホウ素を添加し、かつシリコン単結晶内の炭素濃度が５×１０¹⁵〜１０×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³になるように炭素を添加して石英るつぼからｐ⁺型シリコン単結晶を引上げた後、シリコン単結晶を引上げた石英るつぼ内にシリコン原料を供給して溶融させ、石英るつぼから新たにシリコン単結晶を引上げることにより、複数本のシリコン単結晶を育成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低酸素シリコン単結晶を製造するのに適しておりかつ酸素濃度を制御するために努力をあまり必要としない方法を提供する。
【解決手段】るつぼに融液を提供し、磁界中心Ｃにおける磁気誘導Ｂを有する水平方向磁界を融液に提供し、ガスをシリコン単結晶と熱遮へい体の間を融液自由面に向かって送り、融液自由面の、実質的に磁気誘導Ｂに対して垂直に延びた領域上を流れるようにガスを制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに酸化熱処理を施すことにより、ウェーハの径方向及び厚さ方向の全域にわたってＣＯＰを消滅させる。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２３を浸漬して回転させながらシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１に中性子を照射することによりシリコン単結晶１１にリンをドープする。るつぼ１３から、内部の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン単結晶１１であって、サイズが１００ｎｍ以下でありかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１への中性子の照射によりシリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキを５％以下にする。 （もっと読む）

【課題】径方向全域にわたって結晶欠陥のきわめて少ない単結晶が得られる引き上げ速度の範囲を拡大し、安定した育成ができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】強制冷却体１１および熱遮蔽体１２を具備する引き上げ装置を使用してＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際に、水平磁場１３を印加するとともに、単結晶９の成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配Ｇを、下記（１）式および（２）式を満たすように制御し、結晶欠陥の少ない単結晶９を育成できる引き上げ速度で単結晶９の引き上げを行う。温度勾配の制御を、熱遮蔽体１２の下端開口部の開口径を調整することにより行うことが望ましい。ここで、Ｇｃ：単結晶９の中心部の温度勾配、Ｇｅ：単結晶９の外周部の温度勾配、Ｇｍａｘ、Ｇｍｉｎ：結晶半径方向でのＧの最大値または最小値である。（Ｇｍａｘ−Ｇｍｉｎ）／Ｇｃ≦０．１・・・（１）、Ｇｃ≦Ｇｅ・・・（２） （もっと読む）

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。 （もっと読む）