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Fターム[4G146BA01]の内容

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【課題】多くの利点を有する磁気インクおよび磁性トナーを提供する。
【解決手段】磁性トナー組成物は、炭素ナノ発泡体およびポリマーを含む。炭素ナノ発泡体は、好ましくは全トナー組成物の約0.1〜約45重量%の量で存在し、ポリマーは、好ましくは全トナー組成物の約30〜約98重量%の量で存在する。一方、磁気インク組成物は、炭素ナノ発泡体および流体キャリアを含む。炭素ナノ発泡体は、好ましくは全トナー組成物の約0.1〜約45重量%の量で存在し、より好ましくは、全トナー組成物の約0.1〜約10重量%の量で存在する。 (もっと読む)


単層カーボンナノチューブの製造法が提供される。金属層の一面に接触した一層以上のフラーレン、及び金属層の他の面に接触した固体炭素源を含む配置が調製される。次に、フラーレン/金属層/固体炭素源の配置が、フラーレンが昇華する温度より低い温度に加熱される。単層カーボンナノチューブが、金属層のフラーレン側で成長する。 (もっと読む)


【課題】電界放出特性にすぐれる二層ナノチューブを高い選択性と収率にて製造するための触媒とその方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、鉄、コバルト及びニッケルから選ばれる少なくとも1種の遷移金属元素1モル部に対して、亜鉛、銅及びスズから選ばれる少なくとも1種の典型元素0.01〜5モル部及び硫黄0.01〜5モル部からなる二層カーボンナノチューブを製造するための触媒が提供される。また、本発明によれば、上記触媒を炭素と共に水素及び炭化水素から選ばれる少なくとも1種と不活性ガスとからなる雰囲気中で蒸発させた後、凝縮させることを特徴とする二層カーボンナノチューブの製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】プロセス容器等を必ずしも必要とせず、溶接用アークトーチ若しくは類似した構造を持つ装置を用いたアーク放電によって、炭素を主成分とした被アーク材を蒸発させてすすを発生させ、そのすすを回収するための方法を提供し、その製造装置を提供するものである。
【解決手段】第1電極であるアークトーチ1のトーチ電極10と、第2電極である黒鉛板を用いた被アーク材2を対面配置する。トーチ電極10と被アーク材2端部との間に電位を印加してアーク放電を発生させ、アーク放電にさらされた被アーク材2端部の黒鉛を蒸発させてナノカーボンを含むすすを発生させ、すすの放出方向を制御しながら回収する。 (もっと読む)


【課題】 比較的マイルドな工程を用いて高純度、高収率でナノダイヤモンド粉末を得ることのできるダイヤモンド精製方法及びこれにより得られるナノダイヤモンドを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド精製方法は、ダイヤモンド表部を覆う表部炭素不純物その他の不純物を有する粗ダイヤモンドを、酸素を含んだ雰囲気下で加熱酸化する加熱酸化工程と、前記表部炭素不純物とダイヤモンドとの硬度差に基づく解砕により前記表部炭素不純物を剥離する剥離工程と、前記剥離された表部炭素不純物とダイヤモンドとの比重差または形状差に基づき表部炭素不純物とダイヤモンドとを分離する分離工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 固体電解コンデンサの陰極に用いる陰極材料を改良し、固体電解コンデンサにおける等価直列抵抗を十分に低減させるようにする。
【解決手段】 弁作用金属又は弁作用金属を主成分とする合金からなる陽極1と、上記の陽極を陽極酸化して形成される誘電体層2と、上記の誘電体層の上に形成される電解質層3と、上記の電解質層の上に形成される陰極4とを備えた固体電解コンデンサにおいて、上記の陰極に、カーボン粒子の表面の少なくとも一部がカーボンより導電性の高い金属及び/又は金属化合物で被覆された被覆カーボン粒子を含有するカーボン層41を形成した。 (もっと読む)


【課題】
フラーレン類の製造において収率を向上させる手法の提供
【解決手段】
カーボン電極を使用したアーク放電によりフラーレン類を製造する方法であって、フラーレン類の生成する反応室を冷却する冷却液温度を40〜60℃に制御することを特徴とするフラーレン類の製造方法、並びに、カーボン電極、該電極に通電する手段、反応室及び該反応室を冷却液により冷却する冷却手段を備えたアーク放電型フラーレン類の製造装置であって、冷却液温度を40〜60℃に制御する手段を備えたことを特徴とするフラーレン類の製造装置。 (もっと読む)


グラファイト炭素体の形成方法において、コークスおよびピッチの原料ブレンドを圧縮および抵抗加熱する。好ましくは、原料は、原料コークス、高融点ピッチ、およびピッチに由来する炭素繊維を含む。所望により、原料は、か焼されたコークス、グラファイト、炭素繊維、コールタールまたは石油ピッチ、もしくはコーキング触媒、例えば硫黄も含む。物体を成形する際、機械的圧力をかけながら抵抗加熱し、得られるプリフォーム物体の密度および炭素化度を増加させる。次いで、プリフォームをグラファイト化温度に加熱し、グラファイト系炭素体、例えばグラファイト電極またはピンを形成する。所望により、高温プレス加工の後、プリフォーム電極またはピンに、炭素化し得るピッチを使用して1回以上の緻密化工程を施し、グラファイト化工程の前に、プリフォームの密度をさらに増加させることができる。
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量子ドットはとりわけナノエレクトロニクスにおいて有利に利用可能なその電気的特性の量子化を示す。しかし、量子ドットの精確な構造、製造及び組み込みは非常に難しく、十分には成功していない。本発明の量子ドット(QP)は、ダイヤモンド状構造を有する電気絶縁性炭素層(DLCQP)の中にグラファイト状構造(GLC)を有する円柱状領域として埋め込まれた構造を特徴としている。この電気絶縁性炭素層(DLCQP)は、2つの電気絶縁性の、この特性をイオン通過の後でも示す絶縁層(IL、IL)との間に設けられている。従って、初めて幾何学的かつ局所的に精確に定められた量子ドットがナノエレクトロニクスにとって非常に関心の高いDLC材料において提供されるのである。この量子ドットは8nmより下の寸法を有することができ、とりわけ単一電子トランジスタ(SET)の実現に適している。集積されたナノワイヤによってシンプルな接続が行われる。製造は簡単なやり方でイオンビーム(IB)による層パケット(LS)の照射によって行われる。この場合、量子ドット(QP)及びナノワイヤ(NW)は、イオントラック(IT)においてダイヤモンド状構造を有する非導電性炭素(DLC)をグラファイト状構造を有する導電性炭素(GLC)に変換することによって生じる。 (もっと読む)


【課題】特性が異なる2つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを含む第1領域11と、粒径が2nmを超えるグラファイトクラスターを含まない第2領域12とを有し、これら領域11,12が表面に露出し、第1領域11がa)および/またはb)を満たす炭素系薄膜を提供する。a)金属元素を含む。b)プレート状グラファイト構造および/またはオニオン状グラファイト構造を含む。好ましい金属元素は、Fe,Co,Ni,Al,Cu,Auである。この薄膜は、例えば、炭素系非晶質薄膜への上記元素のイオンの選択的注入と、上記薄膜への電子線照射により得ることができる。 (もっと読む)


【課題】水とエタノール等の有機溶剤との分離性能及び耐酸性に優れた炭素膜と、当該炭素膜を使用し、酸性環境下においても、水とエタノール等の有機溶剤との分離を、高効率で長期に渡って安定して行うことができる分離方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材の表面に形成された樹脂層からなる炭素膜の前駆体を、酸素不活性雰囲気下で熱分解することにより炭化して得られる炭素膜であって、前記炭化後に少なくとも1度、水溶液にした時に酸性を示す分子を吸着させる処理が施された炭素膜。 (もっと読む)


吸着能や強度が優れる活性炭成形体の製造方法が開示されている。補強材として炭素繊維を活性炭に加え、バインダーとしてのピッチと、炭素繊維を含んでいる炭素繊維とを混合した混合物を、フレームを備えているモールド中で成形し、これを熱処理して、フレームが挿入された活性炭成形体が製造される。フレームは金属製で、活性炭混合物の熱処理工程における耐性を発揮し、目的に応じた種々の形状をとる。
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白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも2つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード(もしくは他のデバイス)を形成する。第1の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第2の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム(デバイスもしくはフィルム)を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 (もっと読む)


【課題】 50mA/平方センチメートル以上、好ましくは100mA/平方センチメートル以上の高充放電電流における静電容量が高い電気化学キャパシタ用分極性電極を与えることのできる炭素組成物、該炭素組成物の製造方法、これらの炭素組成物を用いて成形された電気化学キャパシタ用キャパシタを提供する。
【解決手段】 活性炭100質量部に対して、0.1質量部〜30質量部のフラーレンを含有する炭素組成物とその製造方法。フラーレンが1分子あたりの炭素数が60であるフラーレンC60であり、かつ球状であるのが好ましく、活性炭にフラーレンを担持させる手段は、フラーレンを有機溶媒を溶解した溶液中で活性炭を分散させ、減圧濾過するのが好ましい。この炭素組成物を用いて電気化学キャパシ夕用分極性電極が成形される。 (もっと読む)


【課題】従来の炭素粒子とは異なる新規な構造を有し、形状が揃っており、かつ、溶媒への分散性が優れ、取り扱いが容易な球状炭素粒子を提供する。
【解決手段】粒径が5nm以上100μm以下であり炭素結晶壁で包囲された空間部を有する球状炭素粒子であって、当該粒子外周の少なくとも一部にはその炭素結晶端が露出した構造又は炭素網面のループ状構造を有することを特徴とする球状炭素粒子。 (もっと読む)


製造チャンバー(107)において、円筒形のグラファイトロッド(101)を回転装置(115)に固定し、グラファイトロッド(101)の長さ方向を軸として回転し、また長さ方向に左右に移動させることを可能とする。グラファイトロッド(101)の側面にレーザー光源(111)からレーザー光(103)を照射し、プルーム(109)の発生方向にナノカーボン回収チャンバー(119)を設ける。レーザー光(103)のパルス幅を、0.5秒以上1.25秒以下とする。
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【課題】 白金粒子などの触媒粒子Bの分散性に優れるとともに、触媒粒子Bのシンタリングを防止することができるカーボン担体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、カーボンの酸化を促進させる触媒粒子Aが担持されてなるカーボン粒子を、加熱処理させてなるカーボン担体により上記課題を解決する。 (もっと読む)


複数のカーボンナノホーン集合体を機械的に混合し、混合したカーボンナノホーン集合体の表面に触媒を担持させる。あるいは、混合したカーボンナノホーン集合体の表面に気体を吸着させる。
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【課題】 カーボンナノチューブ先端の極めて小さな曲率半径に基づく電子放出効率を有する、ディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の電子放出源を形成する所定の位置に、カーボンナノチューブを生成する触媒微粒子43を担持し、基板上に触媒微粒子43を介して基板に直立して成長するカーボンナノチューブ44とカーボン不純物45とを含む粗生成物46を堆積するディスプレイ装置に用いる電子放出源の製造方法であって、粗生成物46が堆積された基板を、炭素と反応して吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で、カーボン不純物45が選択的に酸化される温度に加熱して、粗生成物46からカーボン不純物45を取り除いて、直立したカーボンナノチューブ44のみを残す。 (もっと読む)


【課題】 カーボン不純物が含まれるナノカーボン粗生成物から、ナノカーボンを高純度で且つ容易に精製できる精製方法を提供する
【解決手段】 ナノカーボン粗生成物を、炭素と反応して吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で、カーボン不純物が選択的に酸化される温度に加熱して精製する。ナノカーボンがカーボンナノチューブであり、吸熱酸化反応を生ずる酸化剤が二酸化炭素ガスであり、カーボン不純物がアモルファスカーボンである場合、600℃以下の加熱温度で、(c)に示すように、アモルファスカーボン7が酸化除去され、カーボンナノチューブの層7のみが残留する。 (もっと読む)


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