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Fターム[4G146BA01]の内容

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【課題】 本発明の目的は、表面が活性化された炭素系材料及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明にかかる表面が活性化された炭素系材料の製造方法は、エラストマー30と、炭素材料40と、を混合し、かつ剪断力によって該炭素材料40を分散させて複合エラストマーを得る工程(a)と、複合エラストマーをエラストマーが気化する温度で熱処理し、複合エラストマー中に含まれるエラストマーを気化させる工程(b)と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】
ポリイミドかポリベンズイミダゾールのどちらか、又はポリイミド及びポリベンズイミダゾールの双方から成る粉末状のプレポリマ有機前駆体由来のモノリシック及び金属ドープモノリシック多孔性カーボンディスクの製造方法を開示する。この粉末を圧密(圧縮)してディスクにし、熱分解して、所望のカーボンディスクを形成する。また、カーボンをプレポリマ有機前駆体に加えて、多孔性カーボン−カーボン合成ディスクを調製する。 (もっと読む)


【課題】 高温のフィラメントを使用せずに、固体のカーボンターゲットを用いて表面や装置(デバイス)に垂直なカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、プラズマが優位に存在する堆積チャンバー内で炭素あるいは炭素系のターゲットを用いて試料上に配向されたカーボンナノチューブを成長する方法に関する。前記試料(16)は前記ターゲット(15)に接触して配置されており、前記試料及びターゲットはいずれも自由表面を有しており、前記プラズマによって前記試料の自由表面にカーボンナノチューブの成長を引き起こす。 (もっと読む)


【課題】 膜厚方向における物性の均一性を向上させることができる炭素膜の改質方法とこの方法により得られた改質炭素膜とを提供する。
【解決手段】 1000eVを超えるエネルギを有しているフォトンが全体の80%を超えているシンクロトロン放射光3を炭素膜5に照射することによって炭素膜5を改質する方法である。また、この方法によって得られた改質炭素膜である。このようなシンクロトロン放射光3はフィルタ2の透過光であり得る。 (もっと読む)


【課題】 水素含有炭素膜が形成されている基板からの剥離を有効に防止できるなどの新たな特性を有する水素含有炭素膜を提供する。
【解決手段】 炭素と水素とを含む水素含有炭素膜であって、水素含有炭素膜中における水素の含有量が50原子%よりも多く65原子%よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が1.3g/cm3よりも大きく1.5g/cm3よりも小さい水素含有炭素膜である。また、水素含有炭素膜中における水素の含有量が0原子%よりも多く50原子%よりも少なく、水素含有炭素膜の密度が1.4g/cm3よりも大きく1.9g/cm3よりも小さい水素含有炭素膜である。 (もっと読む)


【課題】 直径の小さな(例えば、1nm未満の)単層カーボンナノチューブを高い割合で含む単層カーボンナノチューブ集合体、及び直径の小さな単層カーボンナノチューブを選択的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 本カーボンナノチューブ製造方法は、アーク放電法に基づく製造方法であって、単層カーボンナノチューブを生成する雰囲気ガスとして、ネオン及び水素を含み、そのうちのネオンの含有割合が35〜65モル%である混合ガスを使用する。好ましくは、アーク放電の発生に使用する陽極が、鉄触媒を含有する。得られた単層カーボンナノチューブ集合体に含まれる単層カーボンナノチューブは、80質量%以上が1nm未満の直径である。好ましくは、前記単層カーボンナノチューブは、直径分布のピークが0.7〜0.9nmの範囲内にある。 (もっと読む)


【課題】 ダイヤモンド基材に形成する細孔の個数・形状を高精度にコントロールし、直径0.1μm以下の直径を有し、テーパ―の無い細孔を持つダイヤモンドの細孔加工方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基材1に酸化物被膜2を形成し、該酸化物被膜2に集束イオンビーム3の照射を行って孔5を形成して該ダイヤモンド基材1の一部を露出させ、露出させた該ダイヤモンド基材1にプラズマによるエッチングを行うことを特徴とする、ダイヤモンドの細孔加工方法である。 (もっと読む)


【課題】 純度の高いカーボンナノチューブを製造する方法、及び未精製又は純度の低いカーボンナノチューブを精製する方法を提供する。
【解決手段】 本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、カーボンナノチューブを含む炭素質材料を用意する工程、及び前記炭素質材料に、鉄材と過酸化水素とを添加して、カーボンナノチューブを精製する工程を含む。前記鉄材として、鉄粉末を用いることが好ましい。鉄粉末は、炭素質材料の合計100質量部に対して、0.5〜20質量部の割合で用いられることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 高い硬度を有する高硬度ダイヤモンド結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒素含有量が3ppm以下の合成ダイヤモンド結晶を形成する工程と、合成ダイヤモンド結晶に中性子を照射する工程と、中性子の照射後に合成ダイヤモンド結晶を800℃以上2000℃以下の温度で1時間以下熱処理する工程とを含む高硬度ダイヤモンド結晶の製造方法である。ここで、中性子の照射量が5×1017/cm2以上2×1019/cm2以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】 ダイヤモンド結晶の耐酸化性を改善するため、ホウ素をドープしたダイヤモンドを合成する方法であって、グラファイトと触媒/溶媒金属と任意のダイヤモンド種結晶とホウ素源との十分に高密度な核(混合物)を形成する工程を含む。この混合物は、ダイヤモンドを形成する高圧/高温(HP/HT)状態でダイヤモンドを形成するのに十分な時間曝される。このように形成されたダイヤモンド製品は回収され、ダイヤモンド構造中には置換されたホウ素を含むものである。前記十分に高密度な核は、空気/窒素(N)を実質上含有しないものである。1実施形態において、前記ホウ素は非晶質Bである。
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【課題】 アーク放電法による単層カーボンナノチューブの欠点を改良し、得られる単層カーボンナノチューブの純度を向上させる。
【解決手段】 窒素ガス雰囲気中で、2つの炭素電極間にアーク放電を生じさせ、前記炭素電極を蒸発させることにより単層カーボンナノチューブを含むススを発生させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造法。 (もっと読む)


【課題】 安全且つ簡便で工業的利用に適した窒化ほう素または炭素の微小体の製造方法を提供する。
【解決手段】 遷移金属の酸化物で構成される粉末と、ほう素を含有する粉末或いは炭素を含有する粉末とを混合した粉末を、窒素を含有する雰囲気で、熱処理することにより、窒化ほう素またはグラファイトの微小体を得る。熱処理温度は好ましくは、800℃〜1700℃或いは600〜1600℃の範囲とする。前記微小体は好ましくは、ワイヤ状又は円筒状である。 (もっと読む)


【課題】 ナノメートルスケールの新しい微細構造を有する新規な吸着材を提供する。
【解決手段】 炭素原子の大きさに相当する厚みの単層で中空円錐形状の構造を持つ単層カーボンナノホーン構造体からなる吸着材とする。 (もっと読む)


【課題】 化学的安定性が高く、かつ、発光材料、高温ガスセンサー、導電材料、触媒、電界放出材料などに使用できる、炭素膜で被覆された酸化ガリウムナノケーブル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ガリウム粉末と活性炭粉末との混合物を、不活性ガス気流中で加熱することによって、酸化ガリウムナノワイヤーを炭素で被覆する。この酸化ガリウムナノワイヤーは長さが100nm以上の結晶性酸化ガリウムでなり、ナノサイズの炭素膜で被覆される。例えば、長さ数μm、直径約50nmの炭素膜で被覆された酸化ガリウムナノケーブルが得られる。炭素膜で被覆した酸化ガリウムナノケーブルは、化学的に安定で、発光材料、高温ガスセンサー、導電材料、触媒、電界放出材料などに利用できる。 (もっと読む)


本発明は、カーボンナノチューブの製造に関し、より具体的には、本発明は、高品質の多層カーボンナノチューブ(MWNT)を製造するためのアーク放電法における改善に関し、この改善は、カソードに面したアノードの下部部分に冷却手段を提供することにより、アノードの温度が次第に高くなることが防止されている点、およびこのアノードの先端が、アーク放電の開始の際のより良好な制御を達成するために、狭い端部セクションを備える点にある。
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本発明は、カーボンナノチューブの官能基化(誘導体化)の新規なプロセス、並びに、延長として、フラーレン及び他の炭素表面に関する。一般に、このようなプロセスは還元的経路を含む。幾つかの具体例においては、カーボンナノチューブは、無水液体アンモニア中でアルカリ金属及び有機ハロゲン化物と反応する。他の具体例においては、無水液体アンモニア中でカーボンナノチューブをアルカリ金属及びモノマー種と反応させることによって、ポリマーをカーボンナノチューブ側壁から成長させる。
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本発明は、特性の異なる炭素をデバイスに適用しやすい形態で複合化した新たな炭素系材料を提供する。この炭素系薄膜は、非晶質炭素を含み、膜厚方向に伸長する複数の第1相1と、グラファイト構造を含み、上記複数の第1相1の間に介在する第2相2と、を含み、以下のa)〜e)から選ばれる少なくとも1つが成立する炭素系薄膜10を提供する。第2相2が第1相よりも、a)単位体積あたり多くのグラファイト構造を含む、b)密度が大きい、c)電気抵抗率が低い、d)第2相2の弾性率が第1相1の弾性率以上、e)第2相2においてグラファイト構造の基底面が膜厚方向に沿って配向している。 (もっと読む)


プロセスは、化石燃料を燃焼する炉から排出されるCO2、SO2、Nox及びCO等の温室効果ガスを集める工程;ガスの浄化及びスクラブが行われる金属イオン封鎖装置にガスを供給する工程;スクラブされたガスを、ガスの体積を減少させるために圧縮機へ移送する工程;ガスを荷電成分にイオン化するプラズマアークにガスを導入する工程;自由電子源を供給する工程;自由電子を高濃度自由電子ゾーンで捕獲する工程;プラズマアークから架電成分を高濃度自由電子ゾーンに導入し、イオンを、炭素、酸素ガス、窒素、炭化水素、及び他の元素成分の元素フラグメントに転換する工程;炭素及び他の元素の元素フラグメントを集める工程;酸素ガスを炉へ送って、さらなる化石燃料を燃焼させる工程、を含んでいる。 (もっと読む)


課題 従来、切削工具などに用いられてきたダイヤモンド焼結体は、焼結助剤として鉄系金属元素を含むため、耐熱性に問題があった。また、鉄系金属を含まないダイヤモンド焼結体では、機械的強度が不足して、工具材料としては使用できず、導電性もないため、放電加工ができず、加工が困難であった。
解決手段 非晶質もしくは微細なグラファイト型炭素材料のみを出発原料とし、ホウ素を添加して超高圧高温状態でダイヤモンドへの変換と焼結を同時に行い、耐熱性および機械的強度に優れ、さらに放電加工可能な導電性を有するダイヤモンド多結晶体を得る。 (もっと読む)


本発明は、アーク放電法、レーザ気化法、気相蒸着法、気相連続合成法のように固相炭素、黒鉛又は炭化水素のような炭素源から形成された炭素を触媒の存在又は不在下で再結合して炭素ナノチューブを製造する際に、反応系に炭素源を基準として1乃至2000重量%の水を添加することで、高純度の炭素ナノチューブを製造する方法を提供する。本発明によれば、反応系内に水を添加することで炭化水素それ自体の熱分解による煤の形成を抑制し、生成された煤の水による還元反応を誘導して、触媒の不活性化を防止することで、高純度の炭素ナノチューブを経済的且つ容易に製造することができる。
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