【課題】 アーク放電法で長時間にわたり安定してカーボンナノチューブを高純度で得られる装置と方法を提供する。
【解決手段】 上記課題は、炭素を主成分とする陽極と陰極との間でアーク放電を行わせて、カーボンナノチューブを製造する装置であって、陽極と陰極とを相対移動させる電極移動手段と、陽極と陰極との距離を変化させるギャップ調整装置と、陰極表面に堆積したカーボンナノチューブ含有堆積物の酸化度合いを調整できる堆積物酸化装置と、カーボンナノチューブ含有堆積物の堆積状態および酸化度合いを検出する合成状態検出装置と、前記合成状態検出装置からの出力信号によりギャップ調整装置および／又は堆積物酸化装置を制御する合成状態制御機構を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブがその特性をより適切に発揮し得る状態で分散されたカーボンナノチューブ分散体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ分散体製造方法では、分散対象となるカーボンナノチューブを水等の液状媒体とともに容器に入れ（ステップＳ１０）、その容器内で攪拌体を高回転数（好ましくは１０，０００ｒｐｍ以上）で回転させることによって該容器の内容物を攪拌する高速攪拌処理を行う（ステップＳ２０）。この高速攪拌処理後の結果物に対してさらに超音波処理を行ってもよい（ステップＳ３０）。かかる超音波処理を行うことにより、カーボンナノチューブがより高度に分散された分散体を製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、所望するカイラリティを有する円筒形カーボン構造（特に、シングルウォールカーボンナノチューブ）を調製する方法に関する。本発明の方法は、触媒成分を基材上に供給すること、炭素成分を供給すること、及び円筒形カーボン構造を製造するために触媒成分と炭素成分を接触させることの諸ステップを含む。次に、炭素成分の供給を停止し、円筒形カーボン構造のカイラリティを決定する。次に、触媒成分が洗浄され、円筒形カーボン構造が所望する特性（例えば、長さ）を満たすまでプロセスが繰り返される。成長したシングルウォールカーボンナノチューブは、触媒成分の洗浄後、最初に製造されたナノチューブとカイラリティを有する。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ表面を官能化する方法において、ナノチューブ表面を非共有結合でナノチューブ表面と結合する少なくとも１つの官能化種を含む１以上の蒸気に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して官能化したナノチューブ表面を生成する。官能化したナノチューブ表面を、官能化層と反応してナノチューブ表面からの脱離に対して官能化層を安定化する安定化層を形成する少なくとも１つの蒸気安定化種に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して安定化したナノチューブ表面を生成してもよい。安定化したナノチューブ表面を、安定化したナノチューブ表面上に材料層を堆積する少なくとも１つの材料層前駆体種に曝してもよい。 （もっと読む）

【課題】一様な長さを有する高純度の単層カーボンナノチューブを安全に高収率で製造することができ、しかも長さの制御が可能な単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】各種の方法により合成された単層カーボンナノチューブを含むカーボン系材料を硝酸などの酸で処理することにより、金属不純物を除去するとともに、単層カーボンナノチューブのチューブ壁に欠陥を生成する。次に、このカーボン系材料を硝酸、過酸化水素、過硫酸塩化合物などの酸化剤で処理することにより単層カーボンナノチューブを切断する。次に、このカーボン系材料をアンモニアガスなどの還元性ガスで処理することにより、カーボン不純物を除去するとともに、単層カーボンナノチューブの欠陥を回復させる。 （もっと読む）

【課題】安価な炭素原料を使用して、適度の温度で単層(single-wall)カーボンナノチューブ類から多量の連続した巨視的炭素繊維を高収率、単一工程で製造する方法を提供することである。
【解決手段】単層カーボンナノチューブおよび無定形炭素汚染物質を含む混合物の精製法が開示される。該方法は、無定形炭素を除くのに十分な酸化条件下で該混合物を加熱した後、少なくとも約８０重量％の単層カーボンナノチューブを含む生成物を回収する工程を包含する。長さが約５ないし５００ｎｍの管状炭素分子の製造法も開示される。該方法は、単層ナノチューブ含有材料を切断して長さが５−５００ｎｍの範囲の管状炭素分子混合物を作り、そして実質的に等しい長さの分子の一部を単離する工程を包含する。このナノチューブは、単数又は複数で送電ケーブル、太陽電池、電池に、アンテナ、モレキュラーエレクトロニクス、プローブおよびマニプレーターとして、ならびに複合材料に用いることができる。 （もっと読む）

次記の工程を含む、実質的に同一の直径を有するカーボンナノチューブを分離する方法：カーボンナノチューブの試料の提供；試料内の個々のナノチューブの分離、少なくとも一部の分離したナノチューブとタンパクフィブリルとの複合体を形成するための、試料とタンパクフィブリルを含む溶液との混合、及び複合体を形成したナノチューブの分離。好適には、タンパクはコラーゲンである。分離されたナノチューブは、電子工学、医学及び材料科学の分野で使用可能である。
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本発明は、カーボン・ナノスフィアを高分子材料中へ導入した新規な複合材料に関するものである。高分子材料は、グラファイト材料に親和性のあるどのような高分子または重合可能な材料であってもよい。カーボン・ナノスフィアは、中空のグラファイト状ナノ粒子である。カーボン・ナノスフィアは、鋳型ナノ粒子を使用したカーボン前駆体から製造することができる。カーボン・ナノスフィアのユニークなサイズ、形状、および電気的性質は、これらのナノ材料を導入した複合材料に有利な性質を与える。 （もっと読む）

【課題】デザインや形態の制約を必要とせず、加工コストの低減やエネルギー生産システムの提供が可能なＰ・Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型半導体内包フラーレンの外殻の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させてフラーレン外殻に開口部を形成する開口部形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレンを高温高圧状態にして、アルミン酸ストロンチウムを開口部より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程と、このアルミン酸ストロンチウムが収納されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻開口部を光反応させ、四塩化チタンと亜鉛を用いて外殻開口部の環の縮小閉口を行なう外殻開口部の環の縮小閉口工程と、このＰ型半導体内包フラーレンを加熱して開口部を閉鎖する開口部の閉鎖工程とでＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を構成している。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ電子電界エミッタ構造を含む改良された電界放出デバイスを実現する。
【解決手段】 接着性カーボンナノチューブ膜（単層あるいは多層ナノチューブを含む）が、比較的平坦な導電性基板上に形成される。本発明は、強く接着するカーボンナノチューブ膜を実現する。さらに、放出特性を向上させるために、膜中のナノチューブの一部（例えば、少なくとも５０体積％）を、ほぼ同じ方向に整列させ、それらの長軸を、基板表面に垂直な向きにすることが可能である。一実施例では、単層カーボンナノチューブが、炭素溶解性元素（例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ）あるいはカーバイド形成元素（例えば、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ）のような炭素と反応する材料を含む基板上に形成される。また、アルミニウムのような低融点材料を有する基板を使用することも可能である。 （もっと読む）

【課題】 方向や径が揃ったカーボンナノチューブ膜を短時間で作製することができ量産性に優れたカーボンナノチューブ膜作製装置とする。
【解決手段】基板３が収容されるチャンバ１内をプラズマ化して塩素ガスのガスプラズマ１９を発生させ、塩素ラジカルによりグラファイト製の被エッチング部材１１をエッチングすることにより気相中に塩化炭素の前駆体を生成し、基板３側の温度を被エッチング部材１１側の温度よりも低くすることで前駆体の炭素成分をカーボンナノチューブ膜として基板３に成膜させる。 （もっと読む）

【課題】水を制限領域内に閉じ込めることができる新規な煤を用い、目的とするガスを貯蔵する新規な方法を提供する。
【解決手段】所定の炭素を主成分とする煤を準備し、前記煤中に水を吸蔵させることによって、前記煤を活性化する。次いで、前記水を吸蔵した前記煤を、所定のガス雰囲気中に配置し、前記ガス雰囲気中のガス成分と反応させて所定のガス凝縮体を生成し、前記ガス凝縮体を含む前記煤を所定温度以下にまで冷却するとともに、前記ガス雰囲気中から離隔し、前記ガス凝縮体を保持する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブに担持された白金ナノ触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブを熱処理した後、塩酸溶液と硫酸−硝酸の混合溶液で処理して不純物を除去し、カーボンナノチューブ表面に酸化基を置換する前処理段階と、白金前駆体としてメチルトリメチルシクロペンタジエニル白金を使用し、これを気化器に入れ６０〜８０^ｏＣで加熱して気化させる気化段階と、反応器の内部にはカーボンナノチューブを設置し、気化器を通した６０〜８０^ｏＣで予熱された窒素と、追加の酸素を同時に流しながら反応器の温度を上昇させてカーボンナノチューブの表面に白金粒子が担持される担持段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた電気特性、熱特性、機械特性を有する、面積基準の円相当平均径が１５０μｍ未満の微細炭素集合体の繊維集合体を、経済的に有利に効率よく得ることができる微細炭素繊維集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】 面積基準の円相当平均径が１５０μｍ以上の微細炭素繊維集合体を気流粉砕及び／又は気流解繊した後、１８００〜３０００℃にて熱処理を行なう、面積基準の円相当平均径が１５０μｍ未満の微細炭素繊維集合体の製造方法である。 （もっと読む）

試料中の単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）含有量を定量する方法および工程が開示される。ＳＷＮＴ煤煙はどのような公知の方法によって製造してもよい。ＳＷＮＴを含有すると思われる試料と既知濃度の標準物質とのマジック角回転（ＭＡＳ）^１３Ｃ ＮＭＲを得て、試料と標準物質とについての曲線下の面積を計算する。これにより、炭素ＳＷＮＴの形成に関与する^１３Ｃ原子の濃度が計算される。最後に、^１３Ｃ同位体の自然分布（約１．１％）を考慮に入れることで、ＳＷＮＴの形成に関与する全ての炭素原子の総濃度が計算される。
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【課題】純度の高いカーボンナノチューブを製造する方法、および未精製または純度の低いカーボンナノチューブを精製する方法を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、カーボンナノチューブを含む炭素質材料を用意する工程、および前記炭素質材料に、鉄材と過酸化水素とを添加して、カーボンナノチューブを精製する工程を含む。前記鉄材として、鉄粉末を用いることが好ましい。鉄粉末は、炭素質材料の合計１００質量部に対して、０．５〜２０質量部の割合で用いられることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は炭素化学関連、ナノ・ダイヤモンドである。本材料の質量化は次：炭素‐90.2-98.0 重量パセント；水素‐0.1-5.0 重量パセント；窒素‐1.5-3.0 重量パセント；酸素‐0.1-4.5 重量パセント；そしてダイヤモンド立方形種類炭素含とХ線アモルファス位相での質量パセント割合は(82 - 95)：(18 - 5)。本発明は否定酸素バランスの炭素系爆発物のデトネーション含、本爆発物は縮合位相囲炭素系物質爆発物起爆を含んで、還元剤含縮合位相カバー(縮合位相還元剤と使用炭素系物質の質量比は0.01：1)、また200-2800Cの温度と5-15MPaの圧力で, 2-4パセントの含水硝酸と圧搾空気窒素と併用デトネーション製品加工での化学洗浄。 （もっと読む）

光起電デバイスを製造する方法であって、カーボンナノチューブを合成するステップと、合成されたカーボンナノチューブを、有効バンドギャップを生成するように表面欠陥を設けるべく改作するステップと、カーボンナノチューブとの間の効率的なエネルギ伝達を促進する有機半導体材料を、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯのエネルギ・レベルの間に形成されるエネルギ・バンドギャップが、改作されたカーボンナノチューブの有効バンドギャップの範囲内にあるように選択するステップと、改作されたカーボンナノチューブと選択された有機材料とを組み合わせて複合材料を形成するステップと、を含んでいる方法。
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【課題】水を制限領域内に閉じ込めることができる新規な煤を用い、目的とするガスを所定の容器から別の容器へ選択的に透過させることが可能な新規な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 第１の容器中の第１のガスの圧力をＰａとし、第２の容器中の第２のガスの圧力をＰｂとした場合に、Ｐａ＞Ｐｂなる条件を満足させるとともに、前記水を吸蔵した前記煤の一方の端を、前記第１のガスを封入した前記第１の容器に接続し、前記煤の他方の端を、前記第２のガスを封入した前記第２の容器に接続する。次いで、前記煤を所定の温度まで冷却し、前記煤を前記第１の容器内における前記第１のガスと反応させて、前記煤の、少なくとも前記第１の容器側において、前記第１のガスに関するガス凝縮体を生成し、前記煤の、少なくとも前記第２の容器側において、前記ガス凝縮体を分解して、前記第１のガスを前記第２の容器側に放出する。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブの電子分布を明らかにし、化学反応サイト（部位）を特定し、かつ、化学反応サイトの化学的特性を把握することによって、物理的特性や化学的特性を所望の特性に制御することができる炭素ナノチューブを提供すること。
【解決手段】炭素７員環３を有する炭素ナノチューブの内面において、その炭素７員環に結合している化学結合上で化学修飾をする。さらに、この炭素ナノチューブが、炭素５員環２を有する構造をもつ炭素ナノチューブの外面においてその炭素５員環に結合している化学結合上で化学修飾された構造を含む入れ子構造となり、前記化学修飾部位間で橋かけ構造を有するものである。 （もっと読む）