【課題】化学蒸着法により製造するカーボンナノチューブにおいて、アモルファス含量の少ないカーボンナノチューブを製造する方法および装置を提供することを課題とする。
【解決手段】固体触媒と炭素含有ガスをカーボンナノチューブ形成反応条件下で接触させてカーボンナノチューブを製造した後、酸素と不活性ガスとの混合ガスと間欠的接触させ、副生したアモルファスカーボンを酸化処理することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】他の材料と接した場合に親和性が向上し、電子機器や電子部材等に好適に利用することができる、新規なＣＮＴ系材料を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ系材料に対し、紫外線を照射し、この紫外線との組合せによりカーボンナノチューブ系材料の表面を改質し得る含ケイ素化合物を供給して、カーボンナノチューブ系材料の表面を改質する。 （もっと読む）

【課題】 アーク放電法で長時間にわたり安定してカーボンナノチューブを高純度で得られる装置と方法を提供する。
【解決手段】 上記課題は、炭素を主成分とする陽極と陰極との間でアーク放電を行わせて、カーボンナノチューブを製造する装置であって、陽極と陰極とを相対移動させる電極移動手段と、陽極と陰極との距離を変化させるギャップ調整装置と、陰極表面に堆積したカーボンナノチューブ含有堆積物の酸化度合いを調整できる堆積物酸化装置と、カーボンナノチューブ含有堆積物の堆積状態および酸化度合いを検出する合成状態検出装置と、前記合成状態検出装置からの出力信号によりギャップ調整装置および／又は堆積物酸化装置を制御する合成状態制御機構を設けたことを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】アーク放電法により中空陽極を用いてカーボンナノチューブを製造する際に、使用陽極に応じ、カーボンナノチューブ合成能率と純度を良好に保てる電流を容易に設定できる手段を提供する。
【解決手段】中空陽極を用いて大気中でアーク放電をさせてカーボンナノチューブを製造する装置であって、該中空陽極の固有抵抗値が２０００μΩ・ｃｍ以下、内径（ＩＤ）が２〜８ｍｍΦ、そして該内径（ＩＤ）と該中空陽極先端から給電部までの長さ（Ｅｘ）との比Ｅｘ／ＩＤが２〜１０であり、アーク電流（ｌａ）を０．８×{２０×（ＯＤ−ＩＤ）−４×Ｅｘ−ρ／３０＋C}≦ｌａ≦１．２×｛２０×（ＯＤ−ＩＤ）−４×Ｅｘ−ρ／３０＋C｝ 但しＯＤは中空陽極の外径（ｍｍΦ）、ＣはＯＤ、ＩＤ、Ｅｘ、ρに依らない定数であることとし、さらに、大気圧下にて放電用ガスをＡｒとした場合には、Ｃを６０とすることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
ナノサイズ金属材料とカーボンナノチューブとを含むマトリックス材を提供する。
【解決手段】
カーボンナノチューブ作製に適した条件下で、ナノサイズ金属材料をカーボンソースに接触させて、ナノサイズ金属材料上にカーボンナノチューブを生成させることにより、ナノサイズ金属材料とカーボンナノチューブとを含むマトリックス材を作製させる。 （もっと読む）

【課題】 高い耐熱性、透明性および導電性を有し、密着性に優れたカーボンナノチューブコーティング膜およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】基材の上にバインダーを塗布する工程、カーボンナノチューブまたはカーボンナノチューブとバインダー（ただしカーボンナノチューブよりもバインダーが少量となるようにする）を分散させた塗液を、最初に塗布したバインダーよりもカーボンナノチューブが少量となるように塗布する工程、を順に含み、カーボンナノチューブの一部がバインダーに埋め込まれて固定されており、他の一部はバインダーから露出していることを特徴とするカーボンナノチューブコーティング膜の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、所望するカイラリティを有する円筒形カーボン構造（特に、シングルウォールカーボンナノチューブ）を調製する方法に関する。本発明の方法は、触媒成分を基材上に供給すること、炭素成分を供給すること、及び円筒形カーボン構造を製造するために触媒成分と炭素成分を接触させることの諸ステップを含む。次に、炭素成分の供給を停止し、円筒形カーボン構造のカイラリティを決定する。次に、触媒成分が洗浄され、円筒形カーボン構造が所望する特性（例えば、長さ）を満たすまでプロセスが繰り返される。成長したシングルウォールカーボンナノチューブは、触媒成分の洗浄後、最初に製造されたナノチューブとカイラリティを有する。 （もっと読む）

【課題】算術平均粒子径ｄｎが４５０〜１０００ｎｍ程度の比較的大きな粒子径の炭素微小球の製造方法を提供すること。
【解決手段】炭化水素ガスを外熱式加熱炉に供給して熱分解する炭素微小球の製造方法において、
1. 炭化水素ガス濃度を５０〜１００ｖｏｌ％、
2. 外熱式加熱炉の昇温速度を１００℃／秒以下
3. 外熱式加熱炉の炉内温度を８００〜１１００℃、
4. 熱分解する炉内滞留時間を８．０〜３０秒、
に設定制御することを特徴とする炭素微小球の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小型化した電子装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ型半導体の特性を有するナノチューブ１３及びナノチューブ１３を挟んで対向する導体１４、１６及び導体１５、１７から成る第１半導体装置１０と、Ｎ型半導体の特性を有するナノチューブ２３ｂの両端にＰ型半導体の特性を有するナノチューブ２３ａ、ｃが隣接する構造のナノチューブ２３及びナノチューブ２３を挟んで対向する導体２４、２６及び導体２５、２７から成る第２半導体装置２０とを備える。第１半導体装置１０のソース電極１１に電圧Ｖ１が印加され、第２半導体装置２０のソース電極２１に電圧Ｇ１が印加される。導体１４と導体１６又は導体１５と導体１７に異なる電圧を印加すると、第１半導体装置１０から電圧Ｖ１が出力される。導体２４と導体２６及び導体２５と導体２７に異なる電圧を印加すると、第２半導体装置２０から電圧Ｇ１が出力される。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の均一性を向上させることができる炭素系微細繊維状物質の製造方法を提供すること。
【解決手段】ディスプレイ１００は、電子が放出される側に設けられた背面板１１０と、画像が表示される側に設けられた前面板１２０と、背面板１１０と前面板１２０とに挟まれたスペーサ１３０とを有し、背面板１１０は、基板１１１と、基板１１１上に形成されたストライプ状の陰極母線１１２と、陰極母線１１２上に形成され電子を放出する炭素系微細繊維状物質１１３とを備え、前面板１２０は、基板１２１と、基板１２１上に形成され電子を捕捉する陽極電極１２２と、陽極電極１２２上に形成された蛍光体層１２３とを備え、炭素系微細繊維状物質１１３は、形成後に少なくとも１回の加熱工程を経るものとした。 （もっと読む）

【課題】用途に制限のないカーボンナノコイルを、装置内を汚染することなく成長させるために、低融点の金属を用いずにカーボンナノコイルを成長させる方法を提供すること。
【解決手段】触媒を成膜した基板上にカーボンナノコイル成長用原料ガスを供給し、ＣＶＤ法でカーボンナノコイルを成長させる際に、基板と触媒膜との間にＴｉ−Ｏ−Ｎ結合を有する膜を設けて触媒上にカーボンナノコイルを成長させる。 （もっと読む）

【課題】粉状あるいは粒子状の被反応物を反応ガスと接触させる連続バッチ的反応プロセスにおけるサイクルタイムを短縮した高生産性の気相反応方法及びを装置を提供する。
【解決手段】把持体２に支持した粉状あるいは粒子状の被反応物を反応室３０に装填し、該反応室３０に反応ガスを導入して加熱下に気相反応を行い、該反応室３０から前記把持体２と共に反応生成物を取り出す一連の操作を、新たな被反応物を順次供給しながら連続バッチ的に繰り返す気相反応方法と装置において、反応室３０に開閉可能なゲート扉３０１ａを介して隔離された予備加熱室２０を設け、反応室３０で行う気相反応工程と平行して、予備加熱室２０で前記新たな被反応物を昇温処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂、金属、セラミックスなどに添加することによる導電性、熱伝導性、摺動性等の特性付与能力が高く、且つ生体に対する安全性が高く、取り扱い性に優れるカーボンナノチューブを提供する。
【解決手段】粗カーボンナノチューブを２５００〜３２００℃で１０〜１２０分間、不活性ガス雰囲気中で熱処理し、次いで不活性ガス雰囲気中で冷却し、さらにカーボンナノチューブを抗酸化剤に接触させて、活性酸素発生能が実質的に無いカーボンナノチューブを得る。 （もっと読む）

【課題】微細炭素繊維の特性を活かした高熱伝導率の金属／微細炭素繊維複合材料を提供する。
【解決手段】下記工程（１）〜（３）を含む工程により得られる、金属のマトリックス中に微細炭素繊維が分散した複合材料（以下、金属／微細炭素繊維複合材料という）であって、工程（１）における混合スラリーが微細炭素繊維に対する分散剤を実質的に含有しないことを特徴とする、金属／微細炭素繊維複合材料である。
〔工程〕
工程（１）：金属粉末、微細炭素繊維、及び炭素数１〜３のアルコール（以下、低級アルコールという）を含有する金属〔（ａ）成分〕／微細炭素繊維〔（ｂ）成分〕混合スラリーを調製する工程
工程（２）：工程（１）で得られた（ａ）成分／（ｂ）成分混合スラリーを用いて
（ａ）成分／（ｂ）成分混合グリーン成形体を調製する工程
工程（３）：工程（２）で得られた（ａ）成分／（ｂ）成分混合グリーン成形体を焼結する工程 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブなどの炭素材料中に不純物として含まれるアモルファスカーボンや金属微粒子などをこの炭素材料に損傷を与えることなく選択的に除去して精製を行うことができる炭素材料の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブなどの炭素材料を水蒸気および／または塩化水素を含む雰囲気中に保持することにより精製を行う。水蒸気および／または塩化水素を含む雰囲気は例えば２５０℃以上６５０℃以下の温度に加熱し、あるいは紫外線などの電磁波を照射し、圧力は例えば０．１気圧以上１０気圧以下とする。保持時間は例えば１０分〜１０時間とする。炭素材料をＣＶＤ装置の反応室で成長させ、続いてこの反応室で炭素材料の精製を行うようにしてもよい。 （もっと読む）

本発明は、炭素繊維、特にカーボンナノファイバーをエッチングするための方法、並びに、この方法により得ることができるカーボンナノファイバーおよびそれらの使用に関する。 （もっと読む）

本発明は炭素化学関連、ナノ・ダイヤモンドである。本材料の質量化は次：炭素‐90.2-98.0 重量パセント；水素‐0.1-5.0 重量パセント；窒素‐1.5-3.0 重量パセント；酸素‐0.1-4.5 重量パセント；そしてダイヤモンド立方形種類炭素含とХ線アモルファス位相での質量パセント割合は(82 - 95)：(18 - 5)。本発明は否定酸素バランスの炭素系爆発物のデトネーション含、本爆発物は縮合位相囲炭素系物質爆発物起爆を含んで、還元剤含縮合位相カバー(縮合位相還元剤と使用炭素系物質の質量比は0.01：1)、また200-2800Cの温度と5-15MPaの圧力で, 2-4パセントの含水硝酸と圧搾空気窒素と併用デトネーション製品加工での化学洗浄。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブの成長方法に関し、特に先端開口のカーボンナノチューブの成長方法に関する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブの成長方法は、触媒が形成された基材を準備する段階と、前記基材を反応容器に設置する段階と、カーボンを含むガスを前記反応容器に導入してカーボンナノチューブを成長させる段階と、前記カーボンナノチューブの成長過程において、前記反応容器に導入されたカーボンを含むガスの濃度を速く減少して、前記カーボンナノチューブの成長を急に終止させる段階と、前記カーボンナノチューブを前記触媒から分離させる段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノフィラメント及び水素貯蔵可能な単層ナノチューブを提供する。
【解決手段】低温低圧で水素を貯蔵するのに適した、カーボンナノファイバーなどのカーボン構造物は、選択的酸化及び／または酸還流方法により製造される。この方法は、結晶性カーボンを含む不純混合物を酸化性気体存在下、混合物中の相当な量のアモルファスカーボン不純物を選択的に酸化し除去するのに充分な温度と時間で加熱する工程を含む。混合物中の金属含有不純物も、所望のカーボンとその付随不純物を酸に接触させることにより除去して、カーボンファイバー以外のカーボン不純物や金属不純物を実質的に含まないカーボンファイバーを得ることが可能である。他の側面によれば、低圧低温で水素を貯蔵可能な精製カーボン構造物が得られる。 （もっと読む）

【課題】 超微粒子カーボンを、低コストで、しかもフラーレンの収率の良い状態で、また不要な金属の混入が生じることなしに、製造できるようにする。
【解決手段】 可燃性の炭化水素ガスと、支燃性の酸素と、前記炭化水素ガスから発生する水素の還元反応を抑制するための二酸化炭素とをガス混合容器１４で混合して原料ガスを作成し、この原料ガスを密閉容器１１内で燃焼反応させる。 （もっと読む）