説明

Fターム[4G146MB24]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 炭化物、炭素・硫黄含有化合物−その他 (870) | 性質、用途 (247) | 治具、耐火物、焼結体 (45)

Fターム[4G146MB24]に分類される特許

1 - 20 / 45


【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】アチソン炉を用いて、安価にかつ大量に、しかも安全に高純度炭化珪素粉末を製造することができ、かつ、高純度炭化珪素粉末を製造する際の消費電力量を低減することができる高純度炭化珪素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、B及びPの各々の含有率が1ppm以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、高純度炭化珪素粉末を得る、高純度炭化珪素粉末の製造方法。上記シリカとカーボンからなる粒子は、好ましくは、粒子内のいずれの地点においても、シリカの含有率が90質量%以下であり、かつ、カーボンの含有率が10質量%以上のものである。 (もっと読む)


【課題】SiCやSiの固体微粒子を含む液から比較的大粒径の固体微粒子を分離して回収するだけでなく、その固体微粒子より小粒径である超微細な固体微粒子を効率よく固液分離し、それら全ての固体微粒子を回収する方法を提供する。
【解決手段】SiC及び/又はSiの固体微粒子回収方法は、SiC及び/又はSiの固体微粒子を含む液を、遠心分離又は/及び液体サイクロンにより該固体微粒子中の比較的大粒径の固体微粒子を分離して回収し、比較的小粒径の固体微粒子が残存する液を排出する第一工程と、第一工程から排出された液に、有機凝集剤を添加して該比較的小粒径の固体微粒子が凝集して形成される凝集体が含まれる液を、遠心分離又は濾過して該凝集体を回収する第二工程とを有する方法である。 (もっと読む)


【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、1500℃を超え2600℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 FRPを有効利用して低コスト、効率的かつ簡便に得ることのできるSiC製造方法を提供すること。
【解決手段】 FRP<1>を粉末化する粉末化工程<P1>と、粉末化工程<P1>により得られたFRP粉末<2>を加熱処理する加熱処理工程<P2>とにより構成される、極めて簡素なものである。したがって本製法によれば、粉末化工程<P1>においてFRP<1>が粉末化されてFRP粉末<2>が得られ、ついで加熱処理工程<P2>においてFRP粉末<2>が加熱処理されることによって、容易に目的のSiC<3>を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】膜厚が厚くなっても亀裂や欠陥を生じ難く剥離し難い被膜を表面に有し、黒鉛基材の耐酸化性が十分に向上された耐酸化性炭素材料を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】耐酸化性炭素材料を製造する方法であって、SiOxCyHz(ただし、xは1以上2以下の数、yは1以上6以下の数、zは3以上 8以下の数である)で表わされる組成式を有する溶融性シリコーン樹脂とAl粉末とを含む分散液を、炭素材料に含浸し、被覆処理した後、硬化処理し、次いで、非酸化性雰囲気下、800℃〜1300℃の温度下で焼成処理することを特徴とする耐酸化性炭素材料の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】水系押出成形体の成形精度の向上、特に厚肉長尺型成形体の乾燥工程における変形、寸法変化を抑制できる混合混練物の組成および成形体の乾燥加熱矯正法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセス用SiC部材の製造方法として、SiCの粉体と、水溶性樹脂を主成分とするバインダーと、水とを含む混練材料を混練して混合混練物を得る混練工程と、前記混合混練物を押出成形して成形体を得る成形工程と、高湿環境下で、前記成形体全体を均温化して乾燥体を得る乾燥工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素/ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が1.0〜100μmであり、かつ、13C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20%以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】発塵を抑制しつつ、窒素雰囲気下における温度耐性を向上させることができる炭素材料、治具及び炭素材料の製造方法の提供。
【解決手段】炭素基材表面に炭化金属層が形成された炭素材料において、上記炭化金属層は、炭化モリブデン又は炭化鉄から構成されている。モリブデン粒子又は鉄粒子と、熱分解性ハロゲン化水素発生剤とを含む表面改質剤3中に埋め込まれた炭素基材2を、該炭素基材以外の炭素部材とともに加熱処理することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】超硬質多結晶炭化ホウ素材料を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶BC材料は強磁界整列技術及び焼結によって作製することができる。このB4Cのc軸は印加された磁界に垂直に高度に配向されていた。c軸に垂直/平行な表面上で測定された硬度は夫々38.86±2.13GPa及び31.31±0.79GPaであった。これらの大きな値の硬度、弾性係数及び破壊靱性によりB4C材料の応用分野が拡大する。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金をチューブ状の形状に加工し、チューブの中に炭素粉末を圧入し、その後、チューブをコイル形状に加工した後に真空熱処理炉内に設置し、タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa25を除去した後、タンタル若しくはタンタル合金チューブ内面と前記炭素粉末PITを固相拡散結合で分子接合させるとともに、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入してタンタル若しくはタンタル合金チューブの外表面に炭素を侵入させてTaCを形成する。 (もっと読む)


【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのBET比表面積比(=金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のBET比表面積/炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積)が20〜80で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が1〜10%であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積が1〜10m/gであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも1種からなること、が好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、X線回折法による、前記炭素繊維の炭素002面の面間隔d002が、3.36〜3.43であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】炭化アルミニウムの水和反応が進まないように、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたことを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムであり、また、金属アルミニウム粉末と炭素粉末とを用いて、所定の雰囲気下で加熱処理することで、炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウムを得ることを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】光透過性が低く、かつ、伝熱性が高く、半導体製造等における熱処理工程、特に、急速加熱・急速冷却熱処理に好適に用いることができる炭化ケイ素材料を提供する。
【解決手段】CVD法により成膜されたβ−SiCからなり、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面(311)/(111)のX線回折によるピーク強度比が0.8よりも大きい層が、厚さ40μm以上で形成された炭化ケイ素材料を半導体製造装置の熱処理用部材に用いる。 (もっと読む)


【課題】黒鉛などの炭素基材の表面に炭化ケイ素被膜が緻密にかつ均一に被覆された炭化ケイ素被覆炭素基材を製造する。
【解決手段】未結合手を有しないSP炭素構造からなるベース部と、未結合手を有するSP炭素構造からなるエッジ部とを表面に有する炭素基材を準備する工程と、温度1400〜1600℃、圧力1〜150Paの雰囲気中で、炭素基材の表面と、SiOガスとを反応させて炭化ケイ素を形成することにより、炭化ケイ素で被覆された炭素基材を製造する工程とを備えることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】シリコンウエハーの製造工程において生じる多量のシリコン切削屑等を原料として、工業材料に適する品質の炭化珪素を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン屑に対してカーボン粉を当量以上混合し、この混合粉を、非酸化性雰囲気下、1000℃〜1400℃で、6時間〜24時間加熱してシリコン屑とカーボン粉を反応させて炭化珪素を製造し、冷却後、酸洗浄して不純物を除去し、乾燥することを特徴とする炭化珪素の製造方法であって、好ましくは、シリコンウエハーの製造工程において生じたシリコン切削屑を用い、シリコン切削屑を脱脂処理ないし脱水処理した後にカーボン粉と混合し、加熱処理後に生成物を酸浸出した後に、水またはアルコールで洗浄して不純物を除去する炭化珪素の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を利用し、高機能材料の物質となる、微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素を作製する製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の微細炭化珪素、微細窒化珪素、金属シリコン、塩化珪素等、高機能材料の前記物質は、珪藻土粒子の微小形態と多孔構造を活かして作製する。たとえば微細炭化珪素の場合は、珪藻土原土又は焼成珪藻土内部に、コロイド溶液化した活性炭や黒鉛等の粉末炭素、フラーレンやカーボンナノチューブ等の炭素物質を含浸させ、乾燥後、不活性ガス雰囲気下、1500℃まで加熱して得られる。炭素源は珪藻土内に無数に存在する珪藻土粒子の粒界や細孔内で二酸化珪素と反応を起こし、炭素源の形状を維持した、微細炭化珪素が合成される。又、炭素源の形状が維持される性質を利用し、予め炭素源を等粒に揃えておくことにより、等粒微細炭化珪素も作製できる。 (もっと読む)


【課題】耐酸化性に優れ、耐熱性を有するα型炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の(a)及び/又は(b)を満たす、カーボンファイバー及び/又はチューブと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内で、0.1気圧以下で、カーボンファイバー等を1,400℃以上の温度に加熱し、前記一酸化ケイ素を1,100℃以上の温度であって前記カーボンファイバー及び/又は前記カーボンチューブの加熱温度より低い温度に加熱してα型炭化ケイ素粒子を生成させる工程、を含む、α型炭化ケイ素粒子の製造方法。
ここで、(a)は粉末X線回折法によるグラファイト(002)面の回折ピークの半値幅が1°以下であること;(b)は600℃の大気中で加熱して重量減少が10%以下であること。 (もっと読む)


【課題】工程が簡単であり、所望の形態に製造が可能である金属カーバイドの製造方法を提供する。また、前記金属カーバイドの製造方法によって製造された金属カーバイドを提供する。さらにまた、前記金属カーバイドを利用して製造された成形品を提供する。
【解決手段】(A)金属または金属酸化物と炭素系物質の混合物に物理的力を加えることによって、金属または金属酸化物表面に炭素系物質が被覆された、および/または炭素系物質の表面に金属または金属酸化物が被覆されたハイブリッド粒子を製造する段階;及び(B)前記ハイブリッド粒子を熱処理する段階;を含む金属カーバイドの製造方法、並びにこれから製造された金属カーバイドが提供される。 (もっと読む)


1 - 20 / 45