【課題】膜厚が厚くなっても亀裂や欠陥を生じ難く剥離し難い被膜を表面に有し、黒鉛基材の耐酸化性が十分に向上された耐酸化性炭素材料を簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】耐酸化性炭素材料を製造する方法であって、ＳｉＯｘＣｙＨｚ（ただし、ｘは１以上２以下の数、ｙは１以上６以下の数、ｚは３以上 ８以下の数である）で表わされる組成式を有する溶融性シリコーン樹脂とＡｌ粉末とを含む分散液を、炭素材料に含浸し、被覆処理した後、硬化処理し、次いで、非酸化性雰囲気下、８００℃〜１３００℃の温度下で焼成処理することを特徴とする耐酸化性炭素材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】黒鉛粒を高濃度で含有する未硬化のフェノール樹脂との複合体である成形材料を、金型内で加熱・加圧成形によって賦形した成形品を無酸素の高温雰囲気で焼成して誘電加熱を可能とするカーボン凝結体成形品において、ゲート近傍の過度な吐出圧と流路の急変に伴って歪みが成形品内に残留する。この結果、焼成段階で樹脂部分に微細な亀裂が発生し、落球などの衝撃応力による耐性を著しく低下させていた。
【解決手段】この発明に係るカーボン焼結体の表面改質方法は、黒鉛粒にフェノール起源のカーボンを結合材としたカーボン凝結体の鍋状成形品の底面中央にあるゲート相当部分にシリコン化合物を含浸させた後、無酸素雰囲気の１１００〜１５００℃で加熱処理を行う工程を含んで成るものである。 （もっと読む）

【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、（ａ）被表面処理部材を準備するステップと、（ｂ）シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、（ｃ）前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、（ｄ）触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を８００℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積５０ｍ^２あたり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】 炭化物は、高硬度、低熱膨張、高熱伝導率で、耐腐食性や耐熱性、耐摩耗性に優れる等の特徴を有するため多方面で使用されており、近年、更に優れた特性を有する物質としてアルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物が注目されているが、この複合炭化物も長期間あるいは高温下で水や水蒸気雰囲気にさらされた場合には水和反応が進行して水和物へと変化する場合があり、水や水蒸気が存在する条件下では安定して使用または保管できないという課題がある。従って本発明の目的は、耐熱性、耐食性に優れ、かつ耐水和性に優れた複合炭化物を提供することにある。
【解決手段】 アルミニウムと炭素および他の元素を含む複合炭化物において、表面に酸化被膜を有することを特徴とする複合炭化物およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】音声再生装置に関し、特にマグネシウム基複合材料を利用した音声再生装置を提供する。
【解決手段】音声再生装置は、筺体及び音声装置を備える。前記筺体の前部１２及び後部１６の少なくとも一つは、マグネシウム基複合材料からなる。該マグネシウム基複合材料は、マグネシウム基材料及び該マグネシウム基材料の中に分散したナノ材料を含む。該ナノ材料は、カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化チタン、炭化ホウ素、黒鉛のいずれか一種又はその多種の混合物である。 （もっと読む）

【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのＢＥＴ比表面積比（＝金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のＢＥＴ比表面積／炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積）が２０〜８０で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が１〜１０％であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積が１〜１０ｍ^２／ｇであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも１種からなること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体１０は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット１１が接着層１２を介して４個接着されており、ハニカムユニット１１の外周面には、一対の帯状電極１３が形成されており、４個の一対の帯状電極１３と電気的に接続されている一対の導電部材１４が設置されている。 （もっと読む）

【課題】コストを抑え、エネルギーを十分に有効利用し、環境保護にも適し、炭化ケイ素原料を製造しケイ素原料の生産効率を高める新たなシステムと方法を提供する。
【解決手段】工場から排出される二酸化炭素を回収し、二酸化ケイ素と回収された二酸化炭素を利用した炭化ケイ素原料と酸素を製造するものである。他の実施形態では、炭化ケイ素原料の製造方法は、工場から排出される二酸化炭素を回収し、ケイ素と回収された二酸化炭素を利用し炭化ケイ素原料と酸素を製造するものである。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第１炭化タンタル被覆膜上に新たな第２炭化タンタル被覆膜を形成する第２炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】炭素基材に炭化金属層が形成されていない部分が生じるのを抑制することにより、被膜にむらが生じたり、被膜の密着性が低下するのを抑えることができる炭素材を提供する。
【解決手段】結着剤であるポリビニルアルコールと金属粉末とを含むスラリーを、炭素基材に塗布することにより炭素基材に金属粉末を付着させる第１ステップと、上記金属粉末が付着された炭素基材を、塩化水素ガスの雰囲気となっている容器内で熱処理する第２ステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】光透過性が低く、かつ、伝熱性が高く、半導体製造等における熱処理工程、特に、急速加熱・急速冷却熱処理に好適に用いることができる炭化ケイ素材料を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により成膜されたβ−ＳｉＣからなり、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面（３１１）／（１１１）のＸ線回折によるピーク強度比が０．８よりも大きい層が、厚さ４０μｍ以上で形成された炭化ケイ素材料を半導体製造装置の熱処理用部材に用いる。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度200℃以下で照射され、その照射量がはじき出し量として1dpa以上である。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、単結晶炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度900℃以上で照射され、その照射量がはじき出し量として5dpa以上である。 （もっと読む）

【課題】
ポリカルボシランを原料として、簡便な工程により、炭化ケイ素質の球状中空微粒子を得る方法を提供する。
【解決手段】
ポリカルボシランの溶液を炭素数１〜４の低級アルコールと水との混液に滴下することによりポリカルボシランの球状中空微粒子を析出させ、該微粒子を酸素架橋後に焼成して炭化ケイ素質の球状中空微粒子を得ることにより、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】繊維状材料が均一に複合された繊維強化Ａl複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウムを主成分として表面に酸素を含む繊維が表面に形成されたＡl粉末を成型して成形体とする第一の工程と、該成形体をＡlの融点以上で加熱する第二の工程と、続いてＡlの溶融状態を保持したまま加圧して緻密化する第三の工程とを含むことを特徴とする繊維強化Ａl複合材料の製造方法により解決される。前記第三の工程を熱間鍛造で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法により、優れた特性を有する炭化ケイ素ナノワイヤーを提供する。
【解決手段】原料粉末の構成物質に少なくともＳｉまたはＯを含み、原料粉末を不活性ガス及び少なくともＣまたはＨを含むガス気流中で熱処理を行うことを特徴とし、コア部の構成物質が炭化ケイ素であり、コア部を被覆するシェル部の構成物質が少なくともＳｉまたはＯを含むことを特徴とするコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤー及びその製造方法
【効果】本発明により、簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法で、耐酸化性の向上あるいは新たな機能の付与が可能なコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤーを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、耐熱性を有するα型炭化ケイ素粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の（ａ）及び／又は（ｂ）を満たす、カーボンファイバー及び／又はチューブと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内で、０．１気圧以下で、カーボンファイバー等を１，４００℃以上の温度に加熱し、前記一酸化ケイ素を１，１００℃以上の温度であって前記カーボンファイバー及び／又は前記カーボンチューブの加熱温度より低い温度に加熱してα型炭化ケイ素粒子を生成させる工程、を含む、α型炭化ケイ素粒子の製造方法。
ここで、（ａ）は粉末Ｘ線回折法によるグラファイト（００２）面の回折ピークの半値幅が１°以下であること；（ｂ）は６００℃の大気中で加熱して重量減少が１０％以下であること。 （もっと読む）

【課題】工程が簡単であり、所望の形態に製造が可能である金属カーバイドの製造方法を提供する。また、前記金属カーバイドの製造方法によって製造された金属カーバイドを提供する。さらにまた、前記金属カーバイドを利用して製造された成形品を提供する。
【解決手段】（Ａ）金属または金属酸化物と炭素系物質の混合物に物理的力を加えることによって、金属または金属酸化物表面に炭素系物質が被覆された、および／または炭素系物質の表面に金属または金属酸化物が被覆されたハイブリッド粒子を製造する段階；及び（Ｂ）前記ハイブリッド粒子を熱処理する段階；を含む金属カーバイドの製造方法、並びにこれから製造された金属カーバイドが提供される。 （もっと読む）