【課題】結晶品質等を向上させるのに有利な気相成長法を利用しつつ、発光層を微結晶化することで発光効率の向上も図ることのできる発光層形成用基材、発光体及び発光物質を提供する。
【解決手段】発光層形成用基材４は、単結晶基材１と、単結晶基材１上に形成された配向微結晶層３とからなる。配向微結晶層３を構成する各結晶のある結晶軸は単結晶基材１に対して特定方向に配向しており、かつ、配向微結晶層３を構成する各結晶の結晶粒径の平均が１〜１０００ｎｍとされている。発光体８は、この発光層形成用基材４の配向微結晶層３上にそれそれ気相成長法により形成された窒化物半導体よりなる、中間層５、発光層６及びクラッド層７を備えている。発光層６は、平均粒径が１〜１０００ｎｍの微結晶粒により構成されている。 （もっと読む）

【課題】一つの同じ蒸着装置による蒸着工程において、少なくとも５個の貯蔵燐光体プレートの一組を連続的に製造する。
【解決手段】それぞれの蒸着を開始する前に、耐火材料表面がそのるつぼユニットにおいてマトリックス成分及び活性化剤成分、燐光体プリカーサ成分又はマトリックス、活性化剤及びプリカーサ成分の組み合わせの液化原材料との接触にもたらされる。前記組の貯蔵燐光体プレート内の一つのプレートから別のプレートまでのスピードの偏差を１５％未満にする。前記組の前記プレートの各々の製造における蒸着開始前に、前記るつぼユニットに、粉末、結晶質粒子、非晶質粒子、球体、バー、スティック、インゴット及び巻体又はそれらの組み合わせからなる群から選択される耐火粒子を加えて、耐火表面を回復する。 （もっと読む）

【課題】 粒子径１０ｎｍ以下の燐光体ナノ粒子を製造するための方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る方法は、マトリクスとなる酸化物と、希土類とを混合して混合液を調製する混合工程（Ｓ１）と、上記混合液を加熱して、上記酸化物に希土類がドープした上記燐光体ナノ粒子を生成する加熱生成工程（Ｓ２）とを含むことによって、加熱処理を燐光体ナノ粒子の前駆体が流動している状態で行うことができる。そのため、形成される燐光体ナノ粒子同士が凝集することがなく、燐光体ナノ粒子が粗大化することがない。よって、粒子径１０ｎｍ以下の微細な燐光体ナノ粒子であっても良好に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】陽電子放出核種断層撮影装置、シングルフォトン断層法、コンピューター断層撮影装置等に有用な、高発光量・短蛍光寿命を有するシンチレータ単結晶、並びに該単結晶の製造法の提供。
【解決手段】ＲＥ_ａＲＥ’_ｂＭ_ｃ（Ｆ_１−ｄＸ_ｄ）_ｅで表されることを特徴とするハロゲン置換フッ化物シンチレータ材料。（ＲＥはＣｅ，Ｐｒのいずれか１種以上、ＲＥ’はＬａ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙから選ばれた１種又は２種以上、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｒｂ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌから選ばれた１種又は２種以上、ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉから選ばれた１種又は２種以上である。）該単結晶の製造法は、前記で表される組成の融液から、マイクロ引き下げ法により単結晶を育成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低吸湿性、高発光量フッ化物シンチレータ材料を提供すること。さらにコストダウンを図るために低融点であるフッ化物シンチレータを提供すること。
【解決手段】 Ｃｅ_ｘＡＥ_１−ｘＦ_２＋ｘで表されることを特徴とするフッ化物シンチレータ材料。 但し、ＡＥはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれた１種又は２種以上である。 （もっと読む）

希土類酸硫化物シンチレータ用セラミック体を製造する方法は、圧密化物体を形成するための熱処理と、次のガス熱間等静圧圧縮成形（ＧＨＩＰ化）を含む。Ｍが希土類元素であり、ＬｎがＥｕ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｓｍ、およびＨｏからなる群から選択される少なくとも一つの元素であり、および１×１０^-6＜Ｘ＜２×１０^-1である一般式（Ｍ_1-XＬｎ_X）₂Ｏ₂Ｓを有する粉末が最初に用意される。粉末は、熱処理が温度Ｔ_htで行われる熱処理を受けて閉鎖気孔率を有する圧密化物体を形成する。圧密化物体は、１１００℃＜Ｔ_hip＜１５００℃の温度Ｔ_hipを有するＧＨＩＰ化環境中で理論密度の９９％以上の密度にＧＨＩＰ化されて、それによって高密度化物体を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、当該基板内の位置による温度の差をより小さく抑えることにより均一な輝尽性蛍光体層を形成することができる放射線画像変換パネルの製造方法と輝度分布の均一性及び画像欠陥数が大幅に改良された放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】当該基板１を粘着シート１０２と断熱材１３０を介して金属ブロック１０３に密着させ、蒸着装置内の基板支持体に設置後、気相成長法により当該基板表面に輝尽性蛍光体層を形成させる。 （もっと読む）

本発明は、針状の結晶から形成された発光物質層が基板上に設けられている放射線変換器に関し、その結晶はTlでドーピングされたCsIからなっている。放出スペクトルを小さい方向の値へ移動するために、本発明によればタリウムの含有量が200ppm〜2000ppmの範囲にあることが提唱される。
（もっと読む）

【課題】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。
【解決手段】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶であって、周期表２族に属する元素からなる群より選択される１種以上の元素を前記単結晶の全質量に対して０．００００５〜０．１質量％含有するシンチレータ用単結晶。 （もっと読む）

【課題】 蛍光体層と保護層の経時密着力が高く、かつ高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に気相堆積法により形成した蛍光体層を有する蛍光体シートを用意する工程；該高分子フィルムの片面に、軟化点が１２０〜１６０℃の熱可塑性樹脂材料からなる接着層を塗布により形成する工程；蛍光体シートの蛍光体層の表面に接着層付き保護層形成用高分子フィルムを接着層が蛍光体層に接するようにして重ね合わせ、接着層の熱可塑性樹脂材料の軟化点より５０℃低い温度よりも高く、かつ保護層形成用高分子フィルムの１％熱収縮温度よりも低い温度で、第一の熱圧着を行なって積層体を得る工程、そして上記積層体を接着層の熱可塑性樹脂材料の軟化点以上で、かつ保護層形成用高分子フィルムの融点よりも低い温度で第二の熱圧着を行なう工程を含む、蛍光体層上に接着層を介して保護層を有する放射線像変換パネルの製法。 （もっと読む）

【課題】 高い蛍光出力を有する無機シンチレータを提供する。
【解決手段】 放射線によりシンチレーションを起こすことが可能な結晶からなる無機シンチレータであって、セリウムを発光中心として含有し、酸素濃度が３００体積ｐｐｍ〜５００体積ｐｐｍの雰囲気中で結晶を育成する育成工程を経て得られるものである下式（１）で表される無機シンチレータ。
Ｌｕ_２ｘＧｄ_{２（１−ｘ）−ｙ}ＳｉＯ_５：Ｃｅ_ｙ （１）
（ｘ及びｙは、０．０５≦ｘ≦０．４、０．００１≦ｙ≦０．０２である。） （もっと読む）

本発明は、波長変換を行う波長変換材料に関する。この波長変換材料は発光材料粒子を有する少なくとも１つの波長変換用材料を有しており、その際、発光材料の一部分または発光材料全体がナノ粒子の形態をとっている。さらに本発明は、この種の変換材料を備えた光放出光学素子およびこの種の光学素子の製造方法に関する。
（もっと読む）

【課題】 低加速電圧下においても蛍光体薄膜表面にチャージアップが起こることなく、十分な発光輝度が得られる蛍光体薄膜及びその形成方法並びにこの蛍光体薄膜を用いた薄膜蛍光体基板及びその作製方法の提供。
【解決手段】 母材酸化物と付活材としてのランタノイド元素と導電性酸化物となり得る物質とを多元蒸着し、次いで焼成することにより導電性蛍光体薄膜を形成する。透明基板、導電膜、及び導電性蛍光体薄膜から３層構造の薄膜蛍光体基板を作製する。透明基板上に導電膜を形成し、この上に導電性蛍光体薄膜を形成するか、又は透明基板上に導電性蛍光体薄膜を形成し、この上に導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】画像ノイズの発生を低減し、高画質な画像を得ることができる放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルを提供すること。
【解決手段】蒸着工程を経て、支持体２と、支持体２上に形成される蛍光体層３とから構成される蛍光体プレートを形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蛍光体層３の表面上に存在する突出部のみを平坦化させる平坦化工程を有する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層を蒸着により形成する際に、蒸着表面に形成される凹凸部をなくす方法の提供。
【解決手段】蛍光体層、例えばＣｓＩの柱状結晶を成長させた蛍光板４は、スプラッシュ(ＣｓＩが完全に蒸気化する前に、固形化の状態で真空槽内に飛び出し、その固形物が蒸着面に付着し、その結果凹凸部が形成去されること)によって凹部および／または凸部が形成された面を有する。この凹凸部をなくす方法として、例えば、平面性の良好なガラス板７を蛍光板４上に配置し、ガラス板７の上部を加圧しながらローラ８を矢印方向に転がして凸部結晶構造を崩しながら中に押し込み、ＣｓＩ表面の平坦化を図る。あるいは、工具をＣｓＩの平坦面に沿って移動させ凸部を除去した後に、凹部に蛍光体を充填して、ＣｓＩ表面の平坦化を図る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マトリックス中でナノ粒子の高い発光効率を保持しつつ、優れた経時安定性、化学的安定性、耐熱性、機械的特性等を達成しうる無機マトリックス蛍光体を提供する。さらにこれを用いた照明装置や表示装置などの光デバイスを供給する。
【解決手段】発光効率25％以上の半導体ナノ粒子が無機マトリックス中に濃度10^-5モル/
リットル以上で分散してなる蛍光体であって、そのビッカース硬度が500 MPa以上、その
比重が1.7以上である蛍光体に関する。 （もっと読む）

水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）を還元的熱硬化条件下で処理することによりナノ結晶Ｓｉ／ＳｉＯ_２複合材料を調製する方法が記載されている。また、ナノ結晶Ｓｉ／ＳｉＯ_２複合材料を酸エッチングすることによりケイ素ナノ粒子を調製する方法も記載されている。
（もっと読む）

本発明は、化学式Ａ_xＬｎ_(y-y’)Ｌｎ’_y’Ｉ_(x+3y)の無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料であって、式中、ＡがＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓから選択される少なくとも１つの元素を表し、ＬｎがＬａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕから選択され、当該化学式において原子価３＋である少なくとも１つの第１の希土類元素を表し、Ｌｎ’がＣｅ、Ｔｂ、Ｐｒから選択され、当該化学式において原子価３＋である少なくとも１つの第２の希土類元素を表し、ｘが整数でかつ０、１、２又は３を表し、ｙが０よりも大きく３よりも小さい整数又は非整数であり、ｙ’が０よりも大きくｙよりも小さい整数又は非整数である、無機希土類ヨウ化物のシンチレーション材料に関する。当該材料は、高い阻止能と、速い減衰時間、特には１００ナノ秒未満の減衰時間と、優れたエネルギー分解能（特には６６２ｋｅＶで６％未満）と、高い発光レベルを提供する。当該材料は、核医学設備、とりわけ、アンガー型γカメラ及び陽電子放射断層撮影装置において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】特有の結晶構造を有し、従来にない強い発光を示す応力発光体を提供する。
【解決手段】本発明の応力発光体は、ＳｉＯ_４およびＡｉＯ_４の四面体構造の複数の分子が、その四面体の頂点の酸素原子を共有して結合することにより形成された母体構造の空間に、Ｃａなどのアルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンの少なくとも一方が挿入された基本構造を有し、この挿入されたイオンの一部が、発光中心となる希土類金属イオンおよび遷移金属イオンの少なくとも１種の金属イオンに、置換されている。 （もっと読む）

【課題】 化学的に安定であり、かつ耐熱性、耐放射線特性に優れ、厳しい環境、極端な条件下でも安定して蛍光を発光する特性を発揮できる蛍光体を提供すること。
【解決手段】 ３価のユーロピウムイオン、テルビウムイオン、サマリウムイオン、セリウムイオン、２価のマンガンイオンから選ばれる１種の付活イオンを含む付活剤を高圧下溶媒法によるＢＮ結晶合成における溶媒に添加し、この溶媒中で結晶原料を高温高圧処理することにより付活イオンによって均一に付活されたｃＢＮないしｈＢＮ結晶を生成させ、これによって、付活剤固有の蛍光特性を発現するｃＢＮないしｈＢＮ蛍光体を合成する。 （もっと読む）