【課題】紫外線により高輝度に蛍光発光するナノサイズ蛍光体を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】紫外線励起により蛍光発光する式ＹＶＯ_４：Ａ（Ａはイットリウム以外の希土類金属を示す。）で表わされる微粒蛍光体の製造方法であって、水の存在下において、イットリウム化合物及びイットリウム以外の希土類金属の化合物に錯形成化合物を添加して溶液１を形成する工程、 バナジウム化合物を水に溶解又は分散させて、溶液又は分散液２を形成する工程、及び 前記溶液１と、前記溶液又は分散液２とを混合して、反応させる工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層と基板とを隔離する隔離層としてポリパラキシリレン膜を用いることにより、蛍光体による基板の腐食を防止すると共に、ポリパラキシリレン膜と蛍光体層との密着力が高く、長期にわたって蛍光体層が剥離することが無い、耐久性に優れる放射線像変換パネルを提供することにある。
【解決手段】金属表面を有する基板の表面にポリパラキシリレン膜を成膜し、このポリパラキシリレン膜表面にプラズマ処理を施した後、気相堆積法によって、前記ポリパラキシリレン膜上に蛍光体層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層と基板とを隔離するパリレン層を有することにより、蛍光体による基板の腐食を防止すると共に、パリレン層と蛍光体層との密着性が高く、耐久性に優れた放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】パリレン層と蛍光体層との間に、酸化硅素や酸化ジルコニウム等の所定の酸化物からなる酸化物層を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い感度を維持しながら、鮮鋭度の向上した放射線画像を形成するシンチレータパネルを提供すること。
【解決手段】基板上に蒸着により形成された蛍光体層を少なくとも有するシンチレータシート、該シンチレータシートを被覆する保護フィルムよりなるシンチレータパネルにおいて、該保護フィルムが蛍光体層からの発光光を吸収するように着色された発光光吸収層を有することを特徴とするシンチレータパネル。 （もっと読む）

【課題】輝度が高く、かつ、輝尽性蛍光体層の接着性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体層を基板上に配置した放射線画像変換パネルにおいて、前記蛍光体層が主に柱状結晶蛍光体により形成されており、かつ該蛍光体の一部が基板の最表面に入り込んでいることを特徴とする放射線画像変換パネル及びその製造方法並びにＸ線撮影システム。 （もっと読む）

【課題】高温・高圧条件下で実施される水熱合成法ではなく、より穏和な反応条件の下で、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体を製造する方法を開発すること。
【手段】キレート剤またはキレート剤溶液の存在下、アモルファスII-VI族化合物半導体を０〜２００℃、好ましくは８０〜１２０℃の温度に加熱することにより、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体結晶を生成させる方法を開示する。該製造方法では、腐食性の高い原料や、高温高圧の製造条件の使用によって生じる製造プロセスの安全面、コスト面での問題を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】粉砕工程等を必要とせず、高密度に配向可能で、発光装置、表示装置、蛍光ランプなどに最適な酸化亜鉛単結晶粉末を低コストで製造する。
【解決手段】アスペクト比が５以上の針状又は繊維状酸化亜鉛単結晶（ＺｎＯ）を主成分とする粉末蛍光体を、原料溶液（Ａ）として亜鉛イオンを含有するアルカリ性溶液、原料溶液（Ｂ）として亜鉛イオンとドーパント用元素のイオンを含有する溶液、及び該原料溶液（Ａ）と原料溶液（Ｂ）との混合溶液から選択される原料溶液作製工程と、該混合液を密閉容器中で亜臨界又は超臨界の温度及び圧力で水熱反応させる水熱反応工程とで製造する。 （もっと読む）

【課題】優れた光出力、相対的に早い減衰時間、良好なエネルギ分解能特性を有し、単結晶物質又は他の透明な固体中実体に容易に転化可能であり、効率的に、妥当な経費で、且つ許容可能な結晶寸法として生成されることが可能であり、多様な高エネルギ放射線検出器と両立するシンチレータ組成物を提供する。
【解決手段】シンチレータ組成物が、リン酸ルテチウム母材、該母材物質用のセリウム活性剤イオン、プラセオジム活性剤イオン、及びこれらの任意の反応生成物を含んでいる。これらのシンチレータを用いた放射線検出器、及び高エネルギ放射線を検出する関連する方法についても記載する。 （もっと読む）

【課題】硫化物を主体とする薄膜の、均一で再現性の高い工業的生産性に優れた製造を可能にする、スパッタリングターゲットの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】硫化物を主とする固形物と溶剤とを混合して第１混合物とする第１混合工程を含み、前記第１混合工程の温度、圧力下における前記溶剤の硫黄の溶解度は２ｗｔ％以上であり、前記混合する溶剤は前記固形分１重量部に対し０．１重量部以上１０重量部以下とし、主として硫化物から成る硫黄を含有したスパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

ＬｕＡＰシンチレーション検出器及びＬｕＡＰシンチレータ結晶の発光出力及び均質性を改善する方法を提供するものであり、その方法は、しきい値温度にされた所定の環境内にシンチレータ結晶を配置して、最初のシンチレータ結晶を生成する配置工程と、しきい値温度の所定の環境内で、最初のシンチレータ結晶をアニーリングして、アニーリングされたシンチレータ結晶を作成するアニーリング工程と、アニーリングされたシンチレータ結晶を、所定の環境内で最終温度まで冷却する冷却工程と、を含んでいる。
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【課題】生産適正に優れ、シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータプレート、シンチレータパネル及びそれらを用いた放射線フラットパネルディテクターを提供する。
【解決手段】耐熱性樹脂基板１０１ａ上に反射層１０１ｃと防蝕性反射層１０１ｄ及びシンチレータ層１０１ｂをこの順に設けて成るシンチレータプレート１０１と、封支部１０３で封止される第１保護フィルム１０２ａおよび第２保護フィルム１０２Ｂとでシンチレータパネル１ａを構成する。シンチレータ層１０１ｂの全面には空隙部１０８を設けるので、第１保護フィルム１０２ａとは実質的に接着されていない。シンチレータパネル１ａを放射線フラットパネルディテクターの構成要素とするとき、シンチレータプレート１０１は、平面受光素子面とは物理化学的に接着させないで用いることができる。 （もっと読む）

【課題】光検出器パネル（支持体）と蛍光体層との界面に局所的な剥離さえも生じることなく、光検出器パネル表面に蛍光体層を高精度に形成することを可能にし、これにより、蛍光体層で変換された光を光電変換素子によって高精度に受光／測定することができ、しかも、発行量が高い蛍光体層を得ることができる平面放射線画像検出器の製造方法を提供することにある。
【解決手段】放射線の入射によって蛍光体層が発光する光を光電変換素子で検出することにより放射線画像を撮影する平面放射線画像検出器を製造するに際し、０．１Ｐａ〜１０Ｐａの真空度で前記支持体に真空蒸着によって蛍光体層を形成した後、０．４５℃／ｍｉｎ〜６．０℃／ｍｉｎの平均冷却速度で前記蛍光体層の冷却を行い、前記蛍光体層の温度が１２０℃以下となった後に、前記蛍光体層の冷却系内から前記支持体を取り出すことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高輝度・高エネルギー効率を示す蛍光体を製造するために、付活剤（付活金属）を任意にドープすることにより蛍光体母材として利用可能なII−VI族化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】II族およびVI族元素の化合物から構成される六方晶系II−VI族化合物半導体から、六方晶と立方晶を含むII−VI族化合物半導体の結晶多形体混合物を製造する方法であって、六方晶系II−VI族化合物半導体に１０ｋｇ／ｃｍ^２〜５００ｋｇ／ｃｍ^２の範囲の圧縮圧力を加えて、六方晶系の結晶相の少なくとも一部を立方晶系に相転移させることを特徴とするII−VI族化合物半導体の結晶多形体混合物の製造方法によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、元素Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ及びＮからの、有利には組成Ｓｉ₃Ｂ₃Ｎ₇からの、無定形の、場合によっては部分結晶性の網目からなる普遍的にドープ可能なマトリックスを基礎とする発光物質（蛍光体）の新規の種類に関する。この系中での光学的励起及び発光は、任意のカチオン性活性化剤の取り込みにより、単独で又は組み合わせて、また同様に、アニオン性成分としての酸素の組み込みにより、実施に関連した全体の範囲にわたり変動されることができる。従って、発光物質のための完全な適用スペクトルが、例えば照明系又は電子ディスプレイのために開発される。 （もっと読む）

【課題】触媒や溶剤を使用することなく、Ｎ／Ｃ比が１以上の高い窒素含有率の窒化炭素を再現性よく簡便に高効率で得ることができると共に、目的生成物が白色蛍光を発する窒化炭素系蛍光体の新規な合成方法を提供する。
【解決手段】炭素、窒素及び水素からなるか、あるいは炭素、窒素、水素及び酸素からなり、かつ炭素と窒素の結合の繰り返し構造となっている化合物を用い、該化合物をその分解温度又は昇華温度以上の温度で昇華蒸気圧が飽和になる条件で加熱処理する。ここで炭素と窒素の結合の繰り返し構造（Ｃ−Ｎ）nとなっている化合物は、メラミン、尿素又はシアヌル酸であり、加熱処理条件は、温度が２５０℃から５５０℃の範囲で蓋付容器内又は低隙間容積状態でガス流入がほとんどない状態で行う。 （もっと読む）

【課題】１３族窒化物混晶半導体を含み、１３族窒化物混晶半導体の混晶比を制御することができる発光効率が高く信頼性に優れたナノ結晶粒子蛍光体および分散性を高めた被覆ナノ結晶粒子蛍光体ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】１３族窒化物半導体からなるコアと、コアを被覆し１３族窒化物混晶半導体からなるシェル膜を含むシェル層とのコア／シェル構造であるナノ結晶粒子蛍光体ならびに、該ナノ結晶粒子蛍光体が修飾有機分子により結合および／もしくは被覆されてなる被覆ナノ結晶粒子蛍光体を提供する。また、１３族窒化物半導体からなるコアと、窒素含有化合物と、１３族元素含有化合物と修飾有機分子を含む混合溶液を加熱する被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】像形成に影響を与えることなく光反射層から反射した光を制限し反射光量に面内分布を持たせ、シンチレータ層である蛍光体層に起因するMTFの面内分布を改善する。
【解決手段】放射線を光に変換するシンチレータ層２と、シンチレータ層２からの光を反射する反射層４と、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する光検出器センサ基板１からなる放射線検出装置において、反射層４から反射した光を制限し、反射光量に面内分布を持たせる反射光制限手段としての光吸収層５を設けた。反射光制限手段としての光吸収層５は、シンチレータ層に光照射強度に面内分布を持つ光源により表面処理されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】蛍光体表面の過剰な金属-VI族化合物を除去し、量子効率の高い蛍光体を与える蛍光体の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】II-VI族化合物半導体を主成分として構成される蛍光体を酸でエッチングした後に、キレート剤またはキレート剤溶液で洗浄する蛍光体の処理方法。この処理方法では、キレート剤が水酸基および窒素原子を含むこと、水酸基および窒素原子含有キレート剤が８−キノリノールであること、キレート剤溶液が水およびアルコール類から選ばれる少なくとも1種を溶媒とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したペロブスカイト関連Ti,Zr酸化物薄膜の形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたＡBO₃, Ａ₂ＢＯ₄、Ａ₃Ｂ₂Ｏ₇の（ただしA,B,Oサイトには欠損があってもよい。）金属組成式で表され、ＡがCa, Sr, Ba, BがTi, Zr,より選ばれる元素を少なくとも一つずつ用いた酸化物にCe, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Luが少なくとも一つ添加され、またこれに加えてAl, Ga, Inのうち一つ以上が添加されていてもよい有機金属薄膜または金属酸化物膜に室温で紫外ランプを照射後、400℃以下の温度に保持し紫外レーザを照射する。結晶化後、膜を酸化処理することを特徴とする蛍光体薄膜の製造方法。 （もっと読む）