【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、蛍光体に関し、より詳細には、高い発光特性及び優れた熱的・化学的安定性を有する複合結晶蛍光体とこれを利用した発光装置、面光源装置、ディスプレイ装置及び照明装置に関する。
【解決手段】本発明の一観点によると、少なくともＭ元素と、Ａｌ元素と、ケイ素、酸素及び窒素とを含有する無機組成物であり、当該無機組成物は少なくとも２種の結晶相を有する粒子を有し、当該少なくとも２種の結晶相はＭ_２ＳｉＯ_４結晶と同一の第１の結晶相と、β−サイアロン（Ｓｉａｌｏｎ）結晶である第２の結晶相とを含む複合結晶蛍光体を提供する。ここで、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選択された少なくとも１種の元素であることができる。 （もっと読む）

【課題】紫外線発生効率を向上可能な紫外線発生用ターゲットおよび電子線励起紫外光源を提供する。
【解決手段】紫外線発生用ターゲット１０は、電子線ＥＢを受けて紫外線ＵＶを発生する発光層３を備える。発光層３は、Ａｌ、Ｇａ及びＮを組成中に含んでおり、発光層３にはＳｉ等の不純物がドープされている。発光層３におけるキャリア密度は、６×１０^１６（ｃｍ^−３）以上２×１０^１８（ｃｍ^−３）以下であることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）：（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_{１−ｘ−ｙ}Ｍｅ_ｙＳｉＮ_２：Ｅｕ_ｘ、式中Ｍｅ＝Ｍｎ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｂｅ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｃｏ^２＋および／もしくはＲｕ^２＋；ｘ＝０．００５〜０．２０およびｙ＜１、ならびに／または式（ＩＩ）：（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_２−ｘＳｉ_１−ｚＭａ_ｚＮ_２：Ｅｕ_ｘ、式中Ｍａ＝Ｈｆ^４＋、Ｔｈ^４＋および／またはＺｒ^４＋；ｘ＝０．００５〜０．２０；およびｚ＜１で表される化合物、ならびに前記化合物の製造および発光団としての使用のための方法、ならびに青色発光または近ＵＶ領域に位置するＬＥＤの発光の変換のための変換発光団に関する。 （もっと読む）

【課題】電子や正孔などの電荷を、発光層を構成する窒化物半導体粒子内へ効率よく注入できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体粒子で構成されており、前記窒化物半導体粒子の粒界には金属ナノ構造体が析出している。 （もっと読む）

【課題】結晶の密度や実効原子番号を小さくすることなく、しかもシンチレータとして用いると光電子増倍管に十分適したものとなるシンチレータ用結晶及びこれを用いた放射線検出器を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるシンチレータ用結晶である。Ｌｎ_{（１−ｙ）}Ｃｅ_ｙＸ_３：Ｍ （１）（一般式（１）中、Ｌｎ_{（１−ｙ）}Ｃｅ_ｙＸ_３は母体材料の化学組成を示し、Ｌｎは希土類元素からなる群より選択される１種以上の元素を示し、Ｘはハロゲン元素からなる群より選択される１種以上の元素を示し、Ｍは母体材料中にドープされているドーパントの特定の構成元素を示し、ｙは下記式（Ａ）： ０．０００１≦ｙ≦１ （Ａ）で表される条件を満足する数値を示す。） （もっと読む）

【課題】放射光ビームや軟Ｘ線ビーム等の位置及びその強度分布、更には、これらの時間変化を高精度で長期間安定して検出することが可能で、従来の検出装置よりも低コストで製造し得るビーム検出部材およびそれを用いたビーム検出器を提供する。
【解決手段】ビームの位置や強度を検出するためのビーム検出部材２であって、ビーム７が照射されるビーム照射部６が、少なくとも珪素（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）、リチウム（Ｌｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）から選ばれた一種または二種以上の元素（Ｘ）を、Ｘ／Ｃ＝０．１〜１０００ｐｐｍ含む多結晶ダイヤモンド（Ｃ）膜４からなり、この多結晶ダイヤモンド膜４に前記ビーム７が照射されると発光８，８ａする発光機能を有する。このようなビーム検出部材２と前記発光現象を観測する発光観測手段３，３ａとによりビーム検出器１を構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、高輝度、短残光、且つ、真空紫外線劣化耐性など優れた性能特性をもつ蛍光体を提供することであり、又、それを用いたプラズマディスプレイパネルを提供することである。
【解決手段】 真空紫外線により励起されて可視光を放出する蛍光体であって、該蛍光体の熱ルミネッセンス曲線の１２０Ｋ以下の温度領域のグローピークの中で最大値を示すグローピーク強度が１２０Ｋより高い温度領域のどのグローピーク強度より１．５倍以上高いことを特徴とする蛍光体。 （もっと読む）