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Fターム[4H003ED02]の内容

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Fターム[4H003ED02]に分類される特許

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満足できる洗浄および乾燥速度を提供しつつ、ゼロないし低揮発性を有するガラス用及び一般用洗浄組成物が記載されている。この洗浄組成物は、少なくとも1種の低揮発性非VOC蒸発性有機溶媒、少なくとも1種の界面活性剤、水性担体および必要によりひとつ以上の共溶媒を含有する。組成物は、約4重量%未満の揮発性有機溶媒化合物(VOC)含量を有する。 (もっと読む)


本発明は、ドライエマルションに関する。特に本発明は、疎水性液相及び水溶性又は水分散性ポリマーマトリックスを含み且つ疎水性相含有率が高いドライエマルションに関する。本発明はまた、ドライエマルションの製造方法及び該エマルションの使用にも関する。用いられる水溶性マトリックスは、ブロックコポリマーを含有する。 (もっと読む)


本発明は、カプセル化漂白剤粒子に関する。該粒子は、漂白剤活性成分を含むコアと該コアを少なくとも部分的に包囲する水溶性被覆物質からなり、該コアはペルオキシカルボン酸を含み、該被覆物質はポリビニルアルコールを含む。該粒子は、粒子状ペルオキシカルボン酸の流動床への導入、ポリビニルアルコールを含む水溶液の該流動床への噴霧、および引き続く乾燥または噴霧乾燥によって製造することができる。 (もっと読む)


染料固着剤及びソイルリリースポリマーを含む洗剤及び洗浄剤が特許請求される。染料固着剤としては以下のものが挙げられる。
a) ポリアミンとシアナミド及び有機酸及び/または無機酸との反応生成物、またはシアナミドとアルデヒド及びアンモニウム塩との反応生成物、またはシアナミドとアルデヒド及びアミンとの反応生成物、またはアミンとエピクロロヒドリンとの反応生成物、
b) ポリアミン及びポリアミン誘導体の群
c) ポリイミン及びポリイミン誘導体の群
d) カチオン性高分子電解質の群、
e) イミダゾリン単位を含むポリマーの群、
f) ビスクロロメチルビフェニルポリクアートの群。 (もっと読む)


例えば前述の銀合金である金属を処理する際に使用するために開示したものは、アルカンチオール、チオグリコール酸=アルキルエステル、ジアルキルスルフィド、もしくはジアルキルジスルフィドから選択された処理剤と、前記処理剤を可溶化する上で有用な濃度の、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、もしくはカチオン性界面活性剤のうちの少なくとも一種とを含む水性組成物である。好ましくは、本組成物が、少なくとも非イオン性であり比較的疎水性である界面活性剤(例えばココアミドDEA)を含む。本組成物は、 Ag-Cu-Ge 合金の処理に際して特に適している。 (もっと読む)


皮膚をすすいだ後に皮膚の外観を変化させる固形粒子状光修飾物質を含有する液体洗浄組成物を開示する。本洗浄組成物を用いて、該固形粒子状光修飾物質を皮膚又は毛髪に沈積させる方法も開示する。 (もっと読む)


アニオンN−置換フッ素化スルホンアミド界面活性剤ならびにクリーニング溶液および酸エッチング溶液中での該界面活性剤の使用が記載されている。クリーニング溶液およびエッチング溶液は、例えば、酸化シリコン含有基材のクリーニングおよびエッチングにおいて多様な基材と合わせて用いられる。 (もっと読む)


ナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの基板を超臨界流体状態条件下で洗浄するためのナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物、特に、二酸化ケイ素、繊細な低κまたは高κ誘電体および銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クロム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、スズおよび他のメタライゼーションを特徴とするナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの基板、並びにAlまたはAl(Cu)メタライゼーションおよび先端的な相互接続技術の基板に有用であり、これらとの適合性が改善された洗浄組成物は、本発明のナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物を含むナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物により提供される。これらは、以下を含む組成物により提供される:(1)250℃の温度またはそれ以下、および600バール(592.2気圧、8702.3psi)の圧力またはそれ以下で超臨界流体状態に達する超臨界主要流体、および(2)第2の流体として、以下の製剤から選択される修飾製剤:a)以下を含む製剤:酸化剤;アミド類、スルホン類、スルホレン類、セレノン類および飽和アルコール類からなる群から選択される極性有機溶媒;および、場合による他の成分;b)以下を含む珪酸塩不含製剤:アミド類、スルホン類、セレノン類および飽和アルコール類からなる群から選択される極性有機溶媒;強アルカリ塩基;および場合による他の成分;c)以下を含む製剤:約0.05重量%ないし30重量%の、非求核性の正荷電対イオンを含有する1種またはそれ以上の非アンモニウム産生強塩基;約0.5ないし約99.95重量%の、1種またはそれ以上の、腐食阻害性溶媒化合物、該腐食阻害性溶媒化合物は、金属と錯体化し得る少なくとも2個の部位を有する;および、場合による他の成分;d)以下を含む製剤:約0.05ないし20重量%の、1種またはそれ以上の非アンモニウム産生、非HF産生フッ化物塩;約5ないし約99.95重量%の水、有機溶媒または水と有機溶媒の両方;および、場合による他の成分;並びにe)以下を含む製剤:約0.05%ないし30重量%の、非求核性の正荷電対イオンを含有する1種またはそれ以上の非アンモニウム産生強塩基;約5ないし約99.95重量%の、1種またはそれ以上の立体障害のあるアミド溶媒;および、場合による他の成分。 (もっと読む)


改良された土壌洗浄及び土壌分散用の変性されたポリアミノアミド及び界面活性剤系を包含する洗剤組成物。 (もっと読む)


水溶性のスルホン化/カルボキシル化ポリマーを含有する、家庭用、施設用、工業用及び/又は商業用の表面処理組成物が提供される。 (もっと読む)


質量パーセントとして表される<7質量%の量のイミドアルカン過カルボン酸を含有する希釈溶液を、β-結晶形態の前記過酸の濃縮水性組成物から出発して得るための方法であって、前記濃縮組成物がα-結晶形態のイミドアルカン過カルボン酸から得られ、前記方法が以下の工程: I) イミドアルカン過カルボン酸(C)の濃縮水性組成物を2〜5のpHを有する水溶液(D)で、0.1:10〜10:0.2の質量部で表される(C):(D)比で、4℃〜30℃の作業温度において希釈する工程; II) I)で得られた希釈水性組成物に少なくとも5000s-1の剪断力を一定の動的粘度が得られるまで加える工程; III) II)で処理された希釈水性組成物を希釈して<7質量%のイミドアルカン過カルボン酸濃度を得る工程; IV) 任意に、組成物を最後にホモジナイズする工程を含んでいる、前記方法。 (もっと読む)


家庭用、施設用、工業用及び/又は商業用の表面を処理する方法であって、水溶性のスルホン化/カルボキシル化ポリマーを含有する表面処理組成物に表面を接触させる工程を含む方法が提供される。 (もっと読む)


本発明は、アルキルエトキシル化ポリマー、少なくとも1つの発泡性界面活性剤、アクリレート架橋したコポリマー及び粒子状物質並びに発泡性界面活性剤を含む発泡性クレンジング組成物である。これら組成物は、良好な泡立ちを与え、また容易に洗い流される。前記粒子状物質は、洗浄及び剥離を向上させるか、又は損傷及び/又は(and, or)刺激を与えずにコンディショニング効果を提供する。 (もっと読む)


その上にフォトレジスト及び/又は犠牲反射防止膜(SARC)材料を有する基板からかかる材料を除去するための組成物及びプロセスを開示する。この組成物は、アルカリ又はアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基などの塩基成分、あるいは酸化剤との組み合わせの強塩基を含む。例えば、キレート剤、界面活性剤、及び/又は共溶媒種と一緒に水性媒体中でこの組成物を利用して、集積回路製造において基板上の銅、アルミニウム及び/又はコバルト合金などの金属種に悪影響のない状態で、かつ、半導体構築において利用されるSiOCをベースとする誘電材料に損傷のない状態でフォトレジスト及び/又はSARC材料の非常に効率的な除去を達成することができる。 (もっと読む)


本発明は、かさ重量450g/l超、特に500g/l〜1200g/lを有する粒子(特に洗剤-、洗浄剤-および/またはケア用品粒子)であって、コンパウンドの混合物と微粒子状界面活性剤粒子とを有し、該微粒子状界面活性剤粒子は、0.05mm〜0.6mmの粒径d50、0%以上最大0.1%の塵の値、少なくとも1重量%から最大30重量%までの界面活性剤および少なくとも10重量%から最大40重量%までの炭酸ナトリウムを有することを特徴とする。示した重量は、微粒子状界面活性剤粒子の総重量基準であり、該粒子は、少なくとも部分的に個別の界面活性剤粒子を含んでなり、および0%〜2%の範囲の塵の値を有する。 (もっと読む)


Si/SiOパターン付きの半導体ウェーハ表面から、ケイ素窒化物およびケイ素酸化物などのケイ素含有粒状物質を除去するための方法および組成物が記載される。該組成物は、超臨界流体(SCF)、エッチング液種、共溶媒、表面不活性化剤、バインダー、脱イオン水、および任意に界面活性剤を含む。SCFベースの組成物は、次の加工の前に、ウェーハ表面から汚染粒状物質を実質的に除去し、これにより半導体デバイスのモルフォロジ、性能、信頼度、及び歩留まりが向上される。

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本発明は、(i)スルファミン酸及び/又はその水溶性塩類と、(ii)アニオン性洗浄性界面活性剤と、(iii)0重量%〜8重量%のゼオライトビルダーと、(iv)0重量%〜8重量%のリン酸塩ビルダーとを含む洗濯洗剤組成物に関するものである。 (もっと読む)


本発明は、(i)5重量%〜55重量%のアニオン性洗浄性界面活性剤と、(ii)0.5重量%〜10重量%の非イオン性洗浄性界面活性剤と、(iii)0.5重量%〜5重量%のカチオン性洗浄性界面活性剤と、(iv)0重量%〜4重量%のゼオライトビルダーと、(v)0重量%〜4重量%のリン酸塩ビルダーとを含む、粒状洗濯洗剤組成物に関するものである。 (もっと読む)


本発明は、(i)スルファミン酸及び/又はその水溶性塩類と、(ii)少なくとも10重量%の硫酸塩と、(iii)アニオン性洗浄性界面活性剤とを含む洗濯洗剤組成物に関するものである。 (もっと読む)


本発明は、酸化防止剤を液状洗剤組成物に添加することによって、90%より少ない水を含んでなる液状洗剤組成物中の洗浄性酵素を貯蔵間に安定化することに関する。このような酸化防止剤は非常に少量で添加することのみが必要である。酸化防止剤はオキシドレダクターゼ、例えば、カタラーゼであることができる。 (もっと読む)


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