【課題】本発明は、チャバネアオカメムシの集合フェロモンである（２Ｅ，４Ｅ，６Ｚ）−２，４，６−デカトリエン酸メチルの効率的な製造方法を提供することにある。
【解決手段】下記式で示されるエステル化合物を部分水素添加し、６位にシス体二重結合を導入する（２Ｅ，４Ｅ，６Ｚ）−２，４，６−デカトリエン酸メチルの製造方法であって、上記部分水素添加が、Ｈ₂の存在下、リンドラー触媒と、上記エステル化合物に対して０．１〜２（ｗ／ｗ）％のキノリンとを用いて行われる（２Ｅ，４Ｅ，６Ｚ）−２，４，６−デカトリエン酸メチルの製造方法を提供する。
【化１】
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本発明は、坦持体、固着剤及び、実質的に鏡像異性体的に純粋なホスフィン・アミノホスフィン配位子の金属錯体を含む、再使用可能で安定な坦持触媒である。得られる触媒は、非対称触媒反応、例えば非対称水素化反応に有用である。また、その坦持触媒錯体を製造する方法及び非対称触媒反応へのその使用も含む。
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【課題】簡単で経済的なモノオレフィン性不飽和化合物の水素化方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ニトリル基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、およびカルボキサミド基からなる群から互いに独立に選択される少なくとも２個の官能基を有するモノオレフィン性不飽和化合物を、反応混合物に対して均一なロジウム含有化合物を触媒として存在させて、上記官能基と同一の少なくとも２個の官能基を有する飽和化合物に水素化する方法である。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物の含量が少ない精製カルボン酸あるいはカルボン酸エステルを工業的に有利に製造する方法を提供する。
【解決手段】ＨＦの存在下、オレフィンを一酸化炭素及び水あるいはアルコールと反応させてカルボン酸あるいはカルボン酸エステルを含む反応生成物を得、次いで、該反応生成物の少なくとも一部を、酸触媒及び酸吸着剤の存在下に加熱処理することを特徴とするカルボン酸あるいはカルボン酸エステルの製造方法。
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本発明は、天然に存在するトリヒドロキシポリ不飽和エイコサノイドおよびそれらの構造的アナログの調製のための方法であることを特徴とする。本発明はさらに、これらの方法によって調製され得るトリヒドロキシポリ不飽和エイコサノイドの新規誘導体およびアナログを提供する。本発明はまた、種々の疾患、または炎症または炎症性応答、自己免疫疾患、慢性関節リウマチ、心臓血管疾患、または異常細胞増殖または癌に関連する症状の予防、改善および処置のためにトリヒドロキシポリ不飽和エイコサノイドを用いる組成物および方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 オレフィン性不飽和化合物からプロピオン酸誘導体を、容易にかつ効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 一般式（１）で表されるオレフィン性不飽和化合物と、一般式（２）で示されるアルコール類及び一酸化炭素とを、１０族金属化合物、一般式（３）で示される中性助触媒の少なくとも一種の存在下に反応させることを特徴とする、一般式（４）及び／又は一般式（５）で示されるプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
【化１３】


〔式中、Ｒ^１〜Ｒ^３は水素原子、アルキル基、アリール基、アシロキシ基等を表し、Ｒ^４はアルキル基、シクロアルキル基等を表し、Ｒ^５はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、アリール基を表し、Xは陰性置換基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】水素化触媒として有用な金属二核錯体および該錯体をワンポットで製造する方法を提供すること。
【解決手段】金属二核錯体は、下記一般式（１）で表される。


〔式中、ＭはＲｕ、Ｒｈ、ＯｓまたはＩｒ、Ｌ¹〜Ｌ⁶はＰＲ¹Ｒ²Ｒ³で表されるリン配位子（Ｒ¹〜Ｒ³は炭素数１〜１８のアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基）〕金属二核錯体の製造方法は、ＭＣｌ₃・(Ｈ₂Ｏ)_m（式中Ｍは式（１）と同義、ｍは０、１、２または３）を、リン配位子を形成しうる化合物の存在下でホルムアルデヒドと反応させて金属（ヒドリド）ハライド錯体とし、この金属（ヒドリド）ハライド錯体をアルコール溶媒中でアルカリ金属水酸化物と反応させ、次いでフェノール化合物と反応させて式（１）で示される金属二核錯体を製造する。 （もっと読む）

架橋された複素環式化合物、フッ素化ノルボルネン化合物、フッ素化アルケン、複素環式化合物、およびこれらの２またはそれ以上の組み合わせ、から誘導されるポリマーが提供される。このポリマーはフォトレジスト組成物を含む広範囲の用途に使用される。また、このポリマーに使用するためのモノマー化合物の製造方法も提供される。 （もっと読む）

本発明は、エチレン系不飽和化合物のカルボニル化を触媒することが可能な触媒系であって、ａ）ＶＩＢ族もしくはＶＩＩＩＢ族の金属またはそれらの化合物、ｂ）二座ホスフィン、アルシンまたはスチビン配位子、およびｃ）酸を組み合わせることにより得られ、該配位子は、該金属または該金属化合物中の該金属に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在し、該酸は、該配位子に対して少なくとも２：１のｍｏｌ過剰で存在する、触媒系、エチレン系不飽和化合物をカルボニル化する方法、反応媒質および該触媒系の使用方法を提供する。
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本発明は、Ｒ₁が、水素原子またはＣ₁〜Ｃ₄アルキルであり、少なくとも１個のｓｅｃ−ホスフィンが、非置換もしくは置換環状ホスフィン基あるいは１個もしくは２個の一価のアニオンまたは二価のアニオンを有するそのホスホニウム塩である、ラセミ化合物、ジアステレオマーの混合物または実質的に純粋なジアステレオマーの形態で提供される、式（Ｉ）の化合物に関する。式（Ｉ）の化合物は、新規な方法により得ることができ、且つ不斉合成において触媒的に活性な金属錯体の有益な配位子である。
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（ａ）パラジウム源、および
（ｂ）式ＩＩ
Ｒ^１Ｒ^２＞Ｐ^１−Ｒ^３_ｍ−Ｒ−Ｒ^４_ｎ−Ｐ^２＜Ｒ^５Ｒ^６ （ＩＩ）
（式中、Ｐ^１およびＰ^２は、リン原子を表し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５およびＲ^６は、第３級炭素原子を含みそれを介してそれぞれの基が前記リン原子に結合している、同じか異なる、場合により置換されている有機基を独立に表し、Ｒ^３およびＲ^４は、同じか異なる、場合により置換されているメチレン基を独立に表し、Ｒは、二価の架橋基Ｃ^１−Ｃ^２を含みそれを介してＲがＲ^３およびＲ^４に結合している有機基を表し、ｍおよびｎは、０〜４の範囲の自然数を独立に表し、前記架橋基の炭素原子Ｃ^１およびＣ^２間の結合の周りの回転は、０℃〜２５０℃の範囲の温度において制限され、Ｃ^１、Ｃ^２およびＣ^１に直接結合したＰ^１の方向にある原子から成る３つの原子配列が占める面ならびにＣ^１、Ｃ^２およびＣ^２に直接結合したＰ^２の方向にある原子から成る３つの原子配列が占める面との間の二面角は、０〜１２０°の範囲にある）の２座ジホスフィンリガンド、および、
（ｃ）アニオン源
を含む触媒系の存在下で、共役ジエンを、一酸化炭素および易動性水素原子を有する共反応体と反応させることを含む、共役ジエンのカルボニル化方法。 （もっと読む）