Fターム[4H049VR51]の内容
第4族元素を含む化合物及びその製造 (22,055) | 1個の第4族元素(M)と隣接する他の原子との結合の数(目的化合物) (4,871) | M*−N結合 (228) | 1個のM*−N結合 (108)
Fターム[4H049VR51]に分類される特許
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CETP阻害薬
式Iの構造を有する化合物は、その化合物の製薬上許容される塩を含めて、CETP阻害薬であり、HDL−コレステロールの上昇、LDL−コレステロールの低下およびアテローム性動脈硬化の治療または予防において有用である。式(I)の化合物において、BまたはR2はオルトアリール、複素環、ベンゾ複素環またはベンゾシクロアルキル置換基を有するフェニル基であり、5員環上の一つの他の位置が、その環に直接結合しているか−CH2−を介してその環に結合している芳香族、複素環、シクロアルキル、ベンゾ複素環またはベンゾシクロアルキル置換基を有する。
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シラン化合物の製造方法及びシラン化合物
【課題】接着剤組成物に添加することで、その接着剤組成物に対して、長期間保存後も十分強固な界面接着強度を付与できるシラン化合物を製造するための製造方法を提供。
【解決手段】下記一般式(1)のアルキル(フェニル)シリルハライドと、下記一般式(2)等で表される特定のシリルエーテル化合物と、を反応させるシラン化合物の製造方法。
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テルビナフィンおよびその誘導体を合成するための方法
本発明は、金属触媒、好ましくはNi(II)の塩および/または錯体を用いた、テルビナフィンおよびその類似体の合成方法に関する。 (もっと読む)
トリプターゼ阻害剤の製造方法
本発明は、トリプターゼ阻害剤として有用な式Iの化合物及びそれら塩、当該化合物の製造における有用な中間体、当該中間体製造のための工程、及び当該化合物製造のための当該中間体の使用に関する。
【化1】
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アミノ官能性シロキサンの連続的製造
本発明の主題は、一般式III
(SiO4/2)k(R1SiO3/2)m(R12SiO2/2)p(R13SiO1/2)q[O1/2SiR12−R−NH2]s[O1/2]t (III)
のアミノ官能性オルガノシロキサンの連続的製造方法であり、その際、一般式IV
(SiO4/2)k(R1SiO3/2)m(R12SiO2/2)p(R13SiO1/2)q[O1/2]r (IV)
のオルガノシロキサンを、一般式Vの環状シラザンと反応させ、その際、一般式Vのシラザンと一般式IVのオルガノシロキサンとを連続的に反応器に供給し、そこで混合し、相互に反応させ、引き続き反応領域から取り出し、その際、R、Rx、R1、R2、e、s、t、r、k、m、p及びqは請求項1の意味を表す。
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チアゾール誘導体
(式中、nは0〜3の整数を表し、R1は置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリール、置換もしくは非置換の脂環式複素環基または置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表し、R2はハロゲン、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のアリール、置換もしくは非置換の脂環式複素環基、置換もしくは非置換の芳香族複素環基、−COR8などを表し、R3およびR4は同一または異なって、水素原子、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のアラルキル、−COR12などを表す)
例えば、上記一般式(I)で表されるチアゾール誘導体またはその薬理学的に許容される塩を有効成分として含有するアデノシンA2A受容体拮抗剤などを提供する。
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モノシラン誘導体またはジシラン誘導体、および、それを用いたシリコン含有膜の低温蒸着法
本発明は、ULSIデバイスおよびデバイス構造の製造のための低温(例えば<550℃)化学蒸着法によりシリコン含有膜を形成するケイ素前駆体組成物に関する。かかるケイ素前駆体組成物は、少なくとも1個のアルキルヒドラジン官能基と置換され、ハロゲン置換がない、少なくとも1種のシラン誘導体またはジシラン誘導体を含む。 (もっと読む)
オレフィン重合のための複合触媒系
複合触媒系を開示している。この触媒系は触媒Aおよび触媒Bを含む。触媒Aは、担持された架橋したインデノインドリル遷移金属錯体を含む。触媒Bは、担持された非架橋のインデノインドリル遷移金属錯体を含む。本発明の触媒系は、二峰性または多峰性分子量分布を有するポリオレフィンを生成する。 (もっと読む)
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