本発明は、式（１）：
ＭＡＬ_ｊＹ_ｒＸ_{（ｐ-（ｎ＋ｖ＋ｒ）}Ｒ_ｎ（式１）
［式中、Ｍは、第３〜１３族またはランタニド系列の金属であり、かつｐは、金属Ｍの価数であり、Ａは、価数ｖが１または２であるアニオン性のスペクテーター配位子を示し、Ｙは、式（２）：
化１


によって表されるスペクテーター配位子であり、式中、スペクテーター配位子は、イミン窒素原子を介して金属Ｍに共有結合され、Ｓｕｂ_１は、第１４族原子を含む置換基であり、この第１４族原子を介してＳｕｂ_１はイミン炭素原子に結合され、Ｓｕｂ_２は、第１５〜１６族の原子を含む置換基であり、この第１５〜１６族の原子を介してＳｕｂ_２はイミン炭素原子に結合され、ｓｕｂ_１およびｓｕｂ_２は、互いに結合されて環系が形成されてもよく、ｒは、０を超える整数であり、Ｌは、任意選択的な中性ルイス塩基性配位子であり、ｊは、中性配位子Ｌの数を表す整数であり、Ｘは、ハライドであり、そしてＲは、アニオン性配位子であり、ここで、式（３）、ＭＡＬ_ｊＸ_ｐ−Ｖ（式３）によって表される有機金属試薬が、アルキル化剤と接触され、それによって、ハライド原子の少なくとも１個がアルキル、アリールアルキル、アリール、またはそれらの組合せからなる群から独立して選択され得るアニオン性配位子Ｒによって置換される前駆体が形成され、次に、この前駆体は、式（２）によって表されるイミンと接触される］
によって表される有機金属化合物の製造方法に関する。 （もっと読む）

【解決手段】 下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状の２価炭化水素基、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は炭素数１〜１０の１価炭化水素基、Ｒ⁵は水素原子又はメチル基であり、ｎは０、１又は２である。）
で示されるシリル基で保護されたアミノ基を有するビスオルガノキシシラン化合物。
【効果】 本発明によれば、シリル基で保護されたアミノ基を有するビスオルガノキシシラン化合物を用いることにより、高分子変性剤として用いた場合、フィラーとの相互作用をより強くさせることができ、接着剤の添加剤として用いた場合、接着性、補強性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式、即ち、


及びそれらの混合物によって表され、アミノシランからなる群より選択された前駆体を用いることを含む方法。 （もっと読む）

アミドまたはアルコキシ基の導入されたモノシクロペンタジエニル配位子が配位された新しい遷移金属化合物、その合成方法及びこれを利用したオレフィン重合に係り、該遷移金属化合物は、シリコンブリッジ及びオキシド配位子などを有する従来の遷移金属化合物と異なり、フェニレンブリッジを有していて構造的に単量体の接近がさらに容易であり、かつ強固な五角環構造を安定的に維持でき、該遷移金属化合物を含む触媒組成物を使用し、立体障害の大きい単量体を用いて高分子量でありつつも０．９１０ｇ／ｃｃ未満の超低密度ポリオレフィン共重合体の製造が可能である。
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【課題】取扱いが容易で，水と有機溶媒との分離が簡便で，回収および再使用が可能な環境にやさしい，求核付加反応または置換反応の汎用的な触媒を提供する。
【解決手段】下記式（１）および（２）で示される，多フッ素化アルキル基により修飾されたスタノキサン=パーフルオロアルカンスルホナート化合物，スタノキサン=ビス(パーフルオロアルカンスルホニル)アミド化合物とそれらの二量体である。


（ただし，R¹，R²，R³およびR⁴はそれぞれ独立して(CH₂)_nR_fを表し，nは0-4の整数，R_fは炭素数4-20のパーフルオロアルキル基である。R_f'は炭素数1-20の直鎖または分岐鎖を有するパーフルオロアルキル基であって，炭素数を超えない範囲で5個以下の水素原子を含んでいてもよく，5個以下のエーテル酸素を含んでいてもよい。XはF，Cｌ，BrまたはIを表す。） （もっと読む）

【課題】電気エネルギーの利用効率が高く、高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は下記一般式（４）に示すジケトピロロ[３，４−ｃ]ピロール誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
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【課題】保護されたピペラジノ基を有するオルガノキシシラン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状の２価炭化水素基、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は炭素数１〜１０の１価炭化水素基、ｎは０、１又は２である。）で示される保護されたピペラジノ基を有するオルガノキシシラン化合物。
【効果】保護されたピペラジノ基を有するオルガノキシシラン化合物を用いることにより、塗料添加剤、接着剤として用いた場合に、剛直性、高い機械的強度、紫外線領域を含んだ透明性を付与することができる。 （もっと読む）

化３７で示されるで示されるテトラハロシランと化３８で示されるテトラアルコキシシランとを該テトラアルコキシシランと同じアルコキシ基からなるアルコール存在下で反応させて化３９で示されるトリアルコキシハロシランを得るトリアルコキシハロシランの製造方法であって、前記テトラハロシラン及び前記テトラアルコキシシランのＳｉ総量に対して前記アルコールが５〜５０ｍｏｌ％であることを特徴とする。
【化３７】


（但し、Ｘはハロゲンである。）
【化３８】


（但し、Ｒ^１は炭素数１〜６の炭化水素基である。）
【化３９】


（但し、Ｘはハロゲン、Ｒ^１は炭素数１〜６の炭化水素基である。）
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【課題】リセット／セットプログラミングのために必要とされる電流値が低い、相変化層が形成されうる手段を提供する。
【解決手段】
テルル（Ｔｅ）と、１４族元素および１５族元素のいずれか一方または両方と、を含むテルル前駆体、これを用いて調製されたＴｅ含有カルコゲナイド薄膜およびその製造方法、ならびに前記テルル前駆体を含む相変化メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】オレフィン重合性能に優れた重合触媒用の遷移金属化合物を提供する。
【解決手段】 下記一般式（1）で表される構造をもつ新規な遷移金属化合物。


〔一般式（1）において、Ｌは上記一般式(2)で表され、ここでR¹〜R⁴は、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基等を示し、R⁵およびR⁶は、R¹〜R⁴と同様の原子または基を示し、Ｑは４配位のホウ素、アルミニウム等を示す。Ｄは、カルベン、またはヘテロ原子を表すＶを介してＭに配位する、上記一般式（3）で表される基であり、Ｖはカルベン、窒素、酸素、硫黄、リン原子を示し、R^aおよびR^bは、炭素数1〜20の炭化水素基等を示す。Ｍは周期律表第4〜6族から選ばれる遷移金属原子を示し、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基等基を示し、Ｙは電子供与性基を有する中性配位子を示し、mはＭの価数を満たす数であり、nは、0〜3の整数を示す。〕 （もっと読む）

本発明は、（ｉ）アミノ分解工程において、一成分系前駆体化合物をアンモニアまたは有機アミンと反応させ、（ｉｉ）アミノ分解による反応混合物は、連続的に運転される抽出工程で少なくとも１回有機溶剤で抽出され、（ｉｉｉ）抽出の際に生じるアンモニア含有相または有機アミン含有相は、廃棄されるか、後処理されるか、または少なくとも一部分が返送され、および（ｉｖ）抽出の溶剤含有相から炭素含有のモノボロシラザン、オリゴボロシラザンおよび／またはポリボロシラザンを取得することを特徴とする、炭素含有のモノボロシラザン、オリゴボロシラザンおよび／またはポリボロシラザンを製造するための装置および方法に関する。
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【課題】ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム、窒素及びシリコンを含有した低温蒸着用のゲルマニウム前駆体、これを利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子である。これにより、低温蒸着用のゲルマニウム前駆体は、窒素及びシリコンを含有しているところ、薄膜、より具体的には、窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ薄膜形成時に低温蒸着が可能である。特に、低温蒸着時、水素プラズマを利用できる。低温蒸着用のゲルマニウム前駆体を利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたＧＳＴ相変化膜は、減少したリセット電流を有するところ、これを備えたメモリ素子は、集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。 （もっと読む）

本発明は、連続的シラザン分解法、特に非酸化物系の無機セラミックのための分子状の前駆体を製造するための連続的方法に関する。 （もっと読む）

下記式（１）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は同一又は異なっていてもよく、下記式（２）


（式（２）中、Ｑ^３は置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいシクロアルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい二価の複素環基を表わし、Ｒ^５は置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を表わし、Ｒ^６は金属原子と配位又は結合可能な置換基を表すか、又はＲ^５とＲ^６とが一緒になって環を形成していてもよい）で示される基を表し、Ｑ^１及びＱ^２は同一又は異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキレン基又は単結合を表し、Ｘは二価のスペーサーを表す）で示されることを特徴とする配位子。
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本発明は、オルガノシラザンの連続製造方法に関する。この方法では、モル比が少なくとも７：１である、アンモニアとオルガノシラザンの連続流を、１６０℃を越える温度、および１１０ｂａｒを越える圧力で反応器中で反応させ、最終反応混合物は、８０℃を越える温度、４０ｂａｒを越える圧力で、１質量％を越えるアンモニウムハロゲン化物で、次の２つの相からなり、Ａ アンモニウムハロゲン化物の全体量の少なくとも７５重量％を含有する相、およびＢ オルガノシラザンの全体量の少なくとも８０重量％を含有する相からなり、この２つの相を分離する。 （もっと読む）

本発明は、周期律表の第15又は16族から選ばれる少なくとも1以上の環原子を有する5員多原子環に縮合するシクロペンタジエニル環を有してなる多環状へテロ原子含有縮合環化合物を含有してなる金属錯体、重合触媒及びそれらを用いるオレフィン重合方法に関する。 （もっと読む）

【課題】アミノアリール基含有有機ケイ素化合物を効率よく製造すること
【解決手段】ハロアニリン化合物のアミノ基を特定の化合物により保護した後、グリニャール試薬とし、ケイ素化合物と反応させて脱保護を行う。 （もっと読む）

【課題】 フェニルアゾメチンデンデリマーの有する金属錯体との高い錯形成能に着目した、新しい金属酸化物クラスターとその製造方法を提供する。
【解決手段】 次式（Ｉ）
【化１】


（式中のＲ¹は有機分子基を示し、Ｒ²は１以上の置換基を有していてもよいフェニル基を示し、Ｍはチタン（ＩＶ）化合物と２座配位子とからなる５座のＴｉ錯体を示し、ｍはデンドリマーの世代数を表す１以上の整数を示し、ｎは前記Ｒ¹に対するデンドロン部位の結合数を示す。）で表されることを特徴とするフェニルアゾメチンデンドリマー金属錯体とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのケイ素原子と、少なくとも１つのカルボニル群とを有する少なくとも１つの不飽和重合可能モノマー（Ｉ，ＩＩ）を含む、レジスト製造用の重合可能な化合物に関する。本発明は、この化合物の重合により製造されたレジストと、リソグラフィ方法とに関する。 （もっと読む）

本発明は、環式ケイ素化合物、式（Ｉ）［前記式中、残基及び指数は請求項１に挙げた意味を有する］の環式有機ケイ素化合物、この製造方法、並びに前記式（Ｉ）の環式有機ケイ素化合物とヒドロキシル基を有する化合物（２）並びに場合によりポリイソシアナート（３）との反応によるコポリマーの製造方法に関する。
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