オキサミドエステル基を含む環状シラザン及びこれらの化合物の製造方法を記載する。化合物は、例えば、オキサミドエステル終端シロキサンを製造するために用いることができ、これは、例えばポリジオルガノシロキサンポリオキサミドのような種々のポリマー材料の調製のための前駆体であることができる。 （もっと読む）

本発明は、水とチタンアルコキシドを接触させて得られる反応混合物を、下記一般式（ａ）（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、およびＲ^４は、独立して水素原子、アルキル基などであり、Ａ^＊は、不斉炭素原子または軸不斉を有する２つ以上の炭素原子を有する基を表す）で表わされる光学活性配位子と接触させることによって生成される、不斉合成反応のチタン触媒に関する。本発明はさらに、イミン類を不斉シアノ化する方法に関し、該方法はチタン触媒の存在下、イミンをシアノ化剤と反応させることを含む。
【化１】
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高純度のビス（アミノアルキル）ジシロキサンもしくはビス（アミノアルキル）シロキサンオリゴマーを高い転換収量をもって産生するためのオレフィンアミンとテトラオルガノジシロキサンとの、もしくはビス（ジアルキルヒドロゲン）シロキサンとのヒドロシリル化を用い、その後の高分子ビス（アミノアルキル）ポリシロキサンへと平衡化するプロセスによって作製されるビス（アミノアルキル）シロキサンダイマーもしくはオリゴマー。 （もっと読む）

【課題】イオウを使用せず硫化水素が発生しないビス（シラトラニルアルキル）ポリスルフィド等の製造方法等を提供する。
【解決手段】触媒量のアルカリ金属アルコラート存在下でビス（トリアルコキシシリルアルキル）ポリスルフィドとトリエタノールアミンの加熱によるビス（シラトラニルアルキル）ポリスルフィドの製法、ビス（シラトラニルアルキル）ポリスルフィドと（シラトラニルアルキル）（トリアルコキシシリルアルキル）ジスルフィドの混合物、ビス（シラトラニルアルキル）ポリスルフィドと（シラトラニルアルキル）（トリアルコキシシリルアルキル）ジスルフィドとビス（トリアルコキシシリルアルキル）ポリスルフィドの混合物、それらの製法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、アミド基が導入されたモノシクロペンタジエニル配位子が配位された新しい遷移金属錯体とその合成方法およびそれを用いたオレフィン重合に関する。本発明に係る遷移金属錯体の製造方法は、保護基を含む化合物を用いて窒素原子の副反応を遮断するステップを含むため、より簡単で且つ高収率で遷移金属錯体を製造することができる。また、本発明に係る遷移金属錯体は、フェニレンブリッジに環状で連結されたアミド基によって金属サイトの周囲が堅固な五角形リング構造で非常に安定に維持され、それにより、構造的に単量体の接近が非常に容易である。前記遷移金属錯体を含む触媒組成物をエチレンと立体障害の大きい単量体間の共重合に適用する場合、高分子量でありながらも線形低密度であるポリオレフィンの他に、高分子量でありながらも密度が０．９１０ｇ／ｃｃ未満である超低密度ポリオレフィン共重合体の製造が可能である。また、反応性も非常に高い。 （もっと読む）

【課題】ジアルコキシシラン類のアルコキシ基を、選択性高く1つだけ二級アミノ基に置換する合成方法を提供すること。
【解決手段】Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）_２で表されるジアルコキシシラン化合物（Ａ）と、Ｒ^４ＮＨＭＸ_ｎ−１で表されるアミンの金属塩を反応させて、Ｒ^１Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）ＮＨＲ^４で表されるアミノアルコキシシラン化合物を含む第１反応生成物を得る第１工程と、該第１工程で得られた第１反応生成物に、該アミノアルコキシシラン化合物の沸点と異なる沸点を有するＲ^５Ｓｉ（ＯＲ^６）_４−ｎで表されるシラン化合物（Ｂ）を添加する第２工程を、有するアミノアルコキシシラン化合物の合成方法。 （もっと読む）

【課題】従来の欠点を有しないか、又は少なくとも実質的に改善された窒化タンタル及び窒化ニオブ薄膜をＣＶＤ法で成膜するための新規な前駆物質を提供する。
【解決手段】下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。
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シリコン膜の低温堆積のための新規なシリコン前駆体を本明細書中に記載する。開示された前駆体は、低い蒸発温度、好ましくは約５００℃未満を有する。加えて、シリコン前駆体の実施形態は、−Ｓｉ−Ｙ−Ｓｉ−結合を取り込み、ここで、Ｙはアミノ基、置換または無置換のヒドロカルビル基、酸素を含み得る。１つの実施形態において、シリコン前駆体は式を有し、式中、Ｙはヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、酸素またはアミノ基であり；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立して、水素基、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ヘテロヒドロカルビル基であって、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は互いに同じであるか異なっていてもよく；Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃およびＸ₄はそれぞれ独立して、水素基、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、またはヒドラジノ基であって、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃およびＸ₄は、互いに同一であるか異なっていてもよい。
【化１】

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【課題】合成及び単離が容易であり、重合活性に優れ、しかも優れた特性を有するオレフィン重合体が得られる新規な触媒を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で示されるカチオン錯体。
【化１】


〔但し、一般式（Ｉ）中、Ｌｎは、周期表第３族遷移金属原子である。Ｘは、ハロゲン原子である。Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、これらの炭化水素基は、その少なくとも１つの炭素原子を窒素、リン、酸素、硫黄又はケイ素原子で置き換えたものであってもよい。Ｚは溶媒分子である。ｐは１又は２の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】合成及び単離が容易であり、重合活性に優れ、しかも優れた特性を有するオレフィン重合体が得られる新規な触媒を提供する。
【解決手段】 一般式（Ｉ）で示されるカチオン錯体。
【化１】


〔但し、一般式（Ｉ）中、一般式（ＩＩ）で表される部分は、シクロペンタジエン環である。
【化２】


Ｒ^１〜Ｒ^５は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、これらの炭化水素基は、置換基を有していてもよく、互いに結合して環を形成していてもよく、また、その少なくとも１つの炭素原子を窒素原子等で置き換えたものであってもよい。Ｍは、イットリウム又はスカンジウムである。Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、これらの炭化水素基は、その少なくとも１つの炭素原子を窒素原子等で置き換えたものであってもよい。Ｚは溶媒分子である。ｐは１又は２の整数を示す。〕 （もっと読む）

価数が4価もしくは５価の遷移金属である、ドープされた金属キノラートであるドナーを用いたOLED。 （もっと読む）

【課題】４００℃のような低温条件での成膜でも高い成膜速度が得られ、安定した成膜が可能であり、かつ段差被覆性に優れるＭＯＣＶＤ法用原料及び該原料を用いたシリコン含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ法用原料は、次の式（１）で示される有機シリコン化合物を用いたことを特徴とする。
【化４】


但し、式中のＲ¹はメチル基又はエチル基であり、Ｒ²は水素、メチル基又はエチル基であり、Ｒ³は水素又はメチル基であり、Ｒ⁴は炭素数１〜４の直鎖又は分岐状アルキル基である。 （もっと読む）

式：Ｍ（ＮＲ_１Ｒ_２）_Ｘ 〔式中、Ｍは、金属又はメタロイドであり、Ｒ_１は、同一であるか又は相違しており、且つ、炭化水素基又はヘテロ原子含有基であり、Ｒ_２は、同一であるか又は相違しており、且つ、炭化水素基又はヘテロ原子含有基であり、Ｒ_１及びＲ_２は、組み合わされて、置換若しくは非置換の、飽和若しくは不飽和の、環状基を形成していることもあり、１つの（ＮＲ_１Ｒ_２）基のＲ_１又はＲ_２は、もう１つの（ＮＲ_１Ｒ_２）基のＲ_１又はＲ_２と組み合わされて、置換若しくは非置換の、飽和若しくは不飽和の、環状基を形成していることもあり、ｘは、Ｍの酸化状態に等しい〕によって表される有機金属化合物であって、(i)単量体構造とアニオン性配位子に関するＭの酸化状態に等しい配位数とを維持するのに十分な立体的嵩高さ、及び(ii)蒸着に適した揮発度を有するのに十分な分子量、を有している、上記有機金属化合物、並びに、該有機金属化合物を生成する方法、及び、有機金属前駆体化合物から膜又はコーティングを生成する方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、式Ｉ：
【化１】


［式中、Ａ、Ｌ^１、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＸは本明細書で定義される通りである］
の化合物又はその製薬学的に許容され得る塩の形態を提供する。式Ｉの化合物は、ＡＬＫ及び／又はｃ−Ｍｅｔ阻害活性を有し、ＡＬＫ−又はｃ−Ｍｅｔ−媒介障害又は状態の処置のために用いられ得る。
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本発明は、アミン官能化親油性化合物、及びパーソナルケア製品特に着色ヘアーのためのものにおいてのその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】アポトーシス及び／又は炎症に関連する神経変性疾患の予防及び／又は治療において有効な新規化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で示される新規な化合物の提供。


（但し、Ｒ^１は任意に置換された炭素環又はヘテロ環基であり、Ｒ^２は任意に置換された５若しくは６員のヘテロ環基又は任意に置換された６員の炭素環基であり、Ｅは水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１−６アルコキシ又はＣ_１−６アルキルであり、Ｇは水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１−６アルコキシ又はＣ_１−６アルキルであり、Ｌは水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１−６アルコキシ又はＣ_１−６アルキルである。） （もっと読む）

【課題】 トリメチルシリルアジドは、消防法危険物第５類（自己反応性物質）に該当し、貯蔵上又は搬送上の制約を受けるので、安全且つ取扱い容易な組成物を提供する。
【解決手段】 トリメチルシリルアジドの品質を低下させないで、消防法危険物第４類まで安全性を高かめる方法として、芳香族炭化水素等の有機溶媒と所定の割合で混合する。 （もっと読む）

本発明は、新規の単核遷移金属化合物、二核遷移金属化合物、新規の有機アミン系またはリン系化合物およびそれらの製造方法を提供する。本発明に係る単核遷移金属化合物は、フェニレンブリッジによってシクロペンタジエニル基とアミド基またはリン基が架橋された構造を有し、本発明に係る二核遷移金属化合物は、フェニレンブリッジによってシクロペンタジエニル基とアミド基またはリン基が架橋された構造を有する遷移金属化合物の２つが前記フェニレンブリッジに位置する架橋基によって連結された構造を有する。本発明によれば、前記単核遷移金属化合物、二核遷移金属化合物、および有機アミン系またはリン系化合物は、鈴木カップリング（Ｓｕｚｕｋｉ−Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）反応法によって簡単で高収率で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】充填剤との良好な相溶性を有するゴム状重合体を製造するために、共役ジオレフィン単量体と共重合させるのに特に有用な単量体とその共重合体とを提供する。
【解決手段】（1）共役ジオレフィン単量体と（2）次の構造式を有する機能化した単量体とを乳化重合させる。
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一般式（Ｉ）［その際にＲ³は、水素原子を表すか又は炭素原子１〜１８個を有する炭化水素基を表す］のジケテン（１）を、一般式−Ｒ¹−ＮＲ²₂ （ＩＩ）で示されるＳｉに結合した基Ａを１分子あたり少なくとも１つ有する有機ケイ素化合物（２）［ここで、Ｒ¹は、酸素、硫黄及び窒素の群から選択されるヘテロ原子を有していてよい、炭素原子２〜１０個を有する二価の有機基を表し、Ｒ²は、水素原子を表すか又は窒素原子を有していてよい、炭素原子１〜１００個を有する有機基を表し、但し、式（ＩＩ）の基Ａは少なくとも１つの第一級アミノ基及び第二級アミノ基、好ましくは少なくとも１つの第一級アミノ基を有する］と、第一級又は第二級のアミノ基とβ−ケトカルボニル化合物との反応を遅延する又は防止する有機化合物（３）の存在で反応させることによるβ−ケトカルボニル官能性有機ケイ素化合物の新規製造方法が記載される。 （もっと読む）