【課題】１ＧＨｚ以上の高周波帯域において、誘電正接の小さいポリテトラフルオロエチレン絶縁体を提供する。
【解決手段】ポリテトラフルオロエチレンを含有する原料に、照射線量１００Ｇｙ〜３０００Ｇｙのγ線を照射する工程を含む製造方法により、ポリテトラフルオロエチレン絶縁体を製造する。当該製造方法では、γ線を照射した原料を、所望の形状に加工してポリテトラフルオロエチレン絶縁体を得る工程が行われることが好ましく、前記ポリテトラフルオロエチレン絶縁体を焼成する工程がさらに行われることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】ラジカル重合開始剤と共に光硬化性樹脂組成物を為すことができる新規な光重合性不飽和化合物。
【解決手段】
下記一般式（１）


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２はそれぞれ独立に、水素原子またはメチル基を表し、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表し、Ｒ_７、Ｒ_８はそれぞれ独立に炭素原子数１〜８のアルキレン基を表し、Ａはジ酸クロリドの残基を表す。）
で表されるジ（メタ）アクリレートの水酸基と、テトラカルボン酸二無水物とを反応させてオリゴマーを得た後、ジカルボン酸無水物で末端水酸基を封鎖することより得られる光重合性不飽和化合物。 （もっと読む）

【課題】低誘電率性、耐湿性、耐水性及び耐熱性という、いずれの特性にも優れた被膜を形成するのに適当な材料となる化合物を含む膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】ボラジン環及びアダマンタン環を含む化合物、並びに前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、ボラジン環を含有する化合物とアダマンタン環を含有する化合物とを含むか、前記ボラジン環及びアダマンタン環を含有する化合物とボラジン環を含有する化合物及び／またはアダマンタン環を含有する化合物とを含むかのいずれかである膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低誘電率、かつ機械強度に優れた樹脂膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。また、本発明の別の目的は、低誘電率、かつ耐熱性および機械特性に優れた樹脂膜およびその樹脂膜を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、樹脂膜を形成するために用いる樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、カゴ型構造を有する化合物を含み、前記カゴ型構造を有する化合物は、該カゴ型構造を有する化合物を製膜して陽電子消滅寿命測定法で測定して得られる空孔サイズに対応した陽電子消滅寿命の第１ピークトップが、１０ｎｓ以上の領域にあることを特徴とする。また、本発明の樹脂膜は、上記に記載の樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】分子内に、一般式（１）で表される部分構造を少なくとも一つ有する化合物（Ａ）と絶縁膜用樹脂またはその前駆体（Ｂ）とを含有する絶縁膜形成用組成物。


一般式（１）
（一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６はそれぞれ独立に任意の置換基を表し、任意のＲ^１〜Ｒ^６がそれぞれ互いに連結して環構造を形成していてもよい。同一炭素上の置換基（Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６）が２つ合わせて二重結合を表してもよい。） （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）少なくとも一般式（１）の化合物を一種含む原料を重合して得られる重合体。


（Ｂ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、耐熱性等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好で、塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物の提供。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）及び（２）の化合物を含む原料を重合して得られる重合体。


Ｒ_０は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基、Ａｒは置換基を有しても良いアリール基またはヘテロアリール基、Ｒ_Ａは水素原子または有機基、Ｒ_ｃは、少なくとも１つのＲ_Ａ−Ｃ≡Ｃ−基が橋頭位に直接結合したカゴ型構造を有する有機基を表わす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気特性、耐熱性、耐クラック性の各特性に優れた被覆材を被覆させた被覆電線を提供する。
【解決手段】本発明は、テトラフルオロエチレン〔ＴＦＥ〕に由来するＴＦＥ単位とパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）〔ＰＡＶＥ〕に由来するＰＡＶＥ単位とを有し、上記ＰＡＶＥ単位が全単量体単位の５質量％を超え、２０質量％以下であり、不安定末端基が炭素数１×１０⁶個あたり１０個未満であり、融点が２６０℃以上であるＴＦＥ系共重合体を芯線に被覆してなることを特徴とする被覆電線である。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造に有用な高い耐熱性及び極めて低い比誘電率を有するとともに、比誘電率のばらつきの少ない絶縁膜を形成しうる重合性化合物、該化合物を含む絶縁膜形成材料、該絶縁膜形成材料を重合反応に付して得られる空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜の提供。
【解決手段】絶縁膜を形成しうる重合性化合物として、下記式（１）


（式中、Ｚは有橋脂環骨格を示し、Ｘは複素環又はその前駆構造を含む２価以上の有機基を示し、Ｙは置換基を有していてもよいエチニル基を含む基を示す。Ｒは水素原子又は炭化水素基を示す。ｍは１〜５の整数、ｎは２〜７の整数、ｋは０〜５の整数を示す。ｎ＋ｋ＝２〜７である。分子内の複数のＸ、Ｙ、及び複数存在する場合のＲは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）で表されるエチニル基含有有橋脂環式化合物。特に、Ｚとしてアダマンタン骨格、Ｘとしてベンズイミダゾリル基を有する化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】難燃性、低吸水性、高耐熱性を有し、屈曲性に優れ、ポリイミドフィルム等の電気絶縁性フィルム及び金属箔との接着性、接着強度に対する耐湿熱信頼性に優れる難燃硬化性樹脂組成物及びその硬化物、該組成物を用いた接着フィルム、カバーレイフィルムを提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：ジビニル芳香族化合物及びモノビニル芳香族化合物からなる多官能ビニル芳香族共重合体、（Ｂ）成分：エポキシ樹脂又は炭素−炭素二重結合を分子内に２個以上有する重合性化合物のいずれか一方の成分若しくは両成分、（Ｃ）成分：水添スチレンブタジエンブロック共重合体と、（Ｄ）成分：リン−窒素系難燃剤からなる樹脂組成物であり、全成分の合計に対し（Ａ）成分が４〜７０wt％、（Ｂ）成分が４〜７０wt％、（Ｃ）成分が１５〜７０wt％、（Ｄ）成分が３〜２０wt％である難燃硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高耐熱、高機械強度、低誘電率、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式（１）で示される化合物と、カゴ型構造を有する化合物とを含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。なお、式（１）中、Ａはエステル結合又はアミド結合を表し、Ｂはｎ₁価の有機基を表し、Ｒ¹は水素原子又は一価の置換基を表し、Ｒ²は水素原子又は一価の有機基を表し、ｎ₁は１から６までの整数を表し、ｎ₂は０から４までの整数を表し、ｎ₃は１から５までの整数を表し、ｎ₂＋ｎ₃＝５を満たす。
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【課題】低い比誘電率であり、高い機械強度を有し、かつ面状が優れた膜を得ることができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、及び、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（I）で表される化合物を重合させた重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。なお、式（I）中、Ｘは、それぞれ独立に、炭素−炭素三重結合又は炭素−炭素二重結合を含む基を表し、Ｙは、それぞれ独立に、置換基を表し、ｍは、３〜６の整数を表し、ｎは、０〜１７の整数を表す。
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【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有し、しかも低密度、低屈折率で誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板上に、２つ以上の不飽和基を置換基として有し，シロキサン構造が環状構造を有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を硬化して成る半導体デバイスの絶縁膜であって、前記カゴ構造が硬化反応で壊れないことを特徴とする。カゴ構造の壊れは、硬化プロセス後の膜のラマンスペクトルに６１０ｃｍ−１付近のピークを観測することによって検知できる。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、耐熱変色性、基板への密着性及び電気特性に優れ、現像性、保存安定性の良好な感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の［Ａ］及び［Ｂ］を含む感性樹脂組成物である。［Ａ］少なくとも（ａ１）４位に３級アルキル基を有するシクロヘキサノールの（メタ）アクリル酸エステル化合物、及び（ａ２）酸性基含有不飽和化合物とを含む共重合体、［Ｂ］キノンジアジド基含有化合物。 （もっと読む）

【課題】 従来のエチレン−酢酸ビニル共重合体では達成が困難であった、０．５ｍｍという薄膜でＶ−０という高い難燃性を達成し得るエチレン−酢酸ビニル共重合体、およびそれを含む難燃性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 酢酸ビニル単位含有量が４２〜４７重量％であり、メルトフローレイトが０．３〜１．０ｇ／１０分であるエチレンと酢酸ビニルとの共重合体であって、エチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部に対し、水酸化マグネシウム２００重量部と酸化防止剤０．２重量部を配合したときに、ＵＬ−９４垂直燃焼試験法で０．５ｍｍ厚の燃焼性がＶ−０であるエチレン−酢酸ビニル共重合体。 （もっと読む）

【課題】重合反応などによってポリマー化が可能となり、機能性材料の開発に対して極めて有用なアダマンタン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるアダマンタン化合物。


（一般式（１）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は、同一または異なり、炭素数１〜３の低級アルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、またはシロキシ基であり、ただし、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３のうちの少なくとも一つはアルケニル基、またはアリル基である。） （もっと読む）

【課題】導電性粒子の配合量が少なくても、充分な帯電防止性能を発現することができ、硬化性に優れ、かつ、各種基材の表面に、帯電防止性、硬度、及び耐擦傷性に優れ、透明性と表面抵抗値を両立させた硬化膜を形成し得る硬化性組成物を提供する。
【解決手段】下記成分（Ａ）〜（Ｃ）：
（Ａ）平均一次粒子径が１０ｎｍ〜１００ｎｍである、リン含有酸化錫を主成分とする粒子
（Ｂ）分子内に２以上の重合性不飽和基を有する化合物
（Ｃ）分子内にフッ素原子を含有する化合物
を含有する硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する絶縁膜形成用組成物とその製造方法を提供すること。さらには該組成物を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】（１）炭素-炭素三重結合を有する化合物を含む反応液を少なくともラジカル発生剤のラジカル発生温度に加熱する工程と、（２）ラジカル発生剤を含む液体を、該反応液に添加する工程とを含む反応工程によって該化合物を重合させることを特徴とする炭素-炭素三重結合を有する化合物の重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率を有する高純度のカゴ型構造を有するポリマーを得ること、それを含有する電子デバイスなどの層間膜用の低い誘電率で優れた機械強度の絶縁膜形成用組成物を提供すること。さらには該組成物を用いて得られる電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】炭素-炭素三重結合を有する化合物を、ポリマー化もしくはオリゴマー化する方法であって、ポリマー化もしくはオリゴマー化の開始剤としてラジカル発生剤を用い、且つ、溶媒として、特定構造のフェノキシ化合物を用いることを特徴とする炭素-炭素三重結合を有する化合物の重合方法。 （もっと読む）

良好な化学的反応性、高い破壊電界（Ｅ＞１００ＭＶ／ｍ）および高い誘電定数（即ち、ε＞１０）を呈する鎖末端官能基化フルオロポリマーを開示する。これらのポリマーは、官能性開始剤により１つ以上の付加的なモノマーとともにビニリデンジフルオリドを含めた様々なフルオロモノマーから調製することができる。これらのポリマーを他の誘電性材料と組み合わせて一様な組成および形態を有する複合材料を形成することができる。
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