【課題】 Ｎｉ層上に無電解銅めっきにより銅層を形成するにおいて、Ｎｉ層との密着性に優れた銅層を、より大きな形成速度で形成することのできる無電解銅めっき浴組成物を提供する。
【解決手段】 硫酸銅・５水和物：０．５〜５０ｇ／ｌ、エチレンジアミン四酢酸・２ナトリウム：１〜５０ｇ／ｌ、アンモニア水：２０〜２００ｍｌ／ｌ、ジメチルアミンボラン：０．５〜２０ｇ／ｌ、タリウム塩をタリウムとして：１〜５０ｍｇ／ｌまたは、鉛塩を鉛として０．５〜１００ｍｇ／ｌを含有する水溶液からなることを特徴とする無電解銅めっき浴である。また、エチレンジアミン四酢酸・２ナトリウム（ＥＤＴＡ・２Ｎａ）に代えて、トランス１，２ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸一水和物（ＣｙＤＴＡ）、ジエチレントリアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ’’’−五酢酸（ＤＴＰＡ）などの他の錯化剤を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】無線物品用ループアンテナの製作、及びテレホンカード等のスマートカード用回路の製作のために、金属パターンを非導電性基板上に設けるプロセスを提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、１つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、１つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、１つ以上のフィラーを含む。 （もっと読む）

本発明は、複合表面の特定の領域を導電性膜で選択的にコーティングするための方法、マイクロ電子機器の配線を製造するための方法、集積回路を製造するための方法およびプロセスおよび、特に、金属配線の回路網の形成に関する。本発明はさらに、マイクロシステムおよびコネクタを製造するための方法およびプロセスに関する。 （もっと読む）

レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
（もっと読む）

【課題】無電解堆積システムを提供する。
【解決手段】システムは処理メインフレームと、そのメインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄部と、そのメインフレーム上に位置する無電解堆積部を含む。無電解堆積部は、環境が制御された処理筐体と、基板の表面を洗浄及び活性化するために配置された第１処理部と、基板表面に層を無電解で堆積するために配置された第２処理部と、第１処理部と第２処理部の間で基板を搬送するために位置する基板搬送シャトルを含む。システムは、メインフレーム上に位置し処理筐体の内部にアクセスするために配置された基板搬送ロボットも含む。システムは、処理筐体に搭載された基板へ噴霧プロセスを使用することにより、プロセス流体を搬送するように配置された流体搬送システムも含む。

（もっと読む）

他の還元剤をも含む無電解メッキ液又は金属含有溶液を処理する方法。本方法は、アノード、カソード及び該アノードと該カソードとを分離する水素イオン透過性膜を含む反応容器を準備すること、金属含有液体をアノードと接触させること、陰極電解液をカソードと接触させること、アノード及びカソードに電流を流して存在する還元剤を酸化すること、使用済み陰極電解液及び部分的処理済み液体を電極から、場合によっては反応容器から別個の貯槽に取り出すことを含む。部分的処理済み液体及び陽極電解液を、それぞれカソード及びアノードと接触させ、再びアノード及びカソードに電流を流して、金属イオンの過半数をカソード上にメッキさせる。還元剤を酸化する工程及び金属イオンをメッキする工程は、順番を変えてもよい。
（もっと読む）

本発明は、第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

本発明は、第一層の上に第二固体層形成化学反応を活性化するのに適した第一層を基板表面に形成する方法を提供する。その方法は、基板上に第一固体層を形成する第一液を基板と接触させるステップを含み、その第一液は第二固体層形成化学反応のための活性剤を含み、前記方法は、第一固体層が基板に付着し、そして第二固体層形成化学反応のための一又は二以上の試薬を含む第二液に浸透するように、第一液が選択されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シアン化物を含まない浸漬めっき溶液、およびアルミニウムまたはアルミニウム合金基板の表面にシアン化物を用いずに亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。
【解決手段】本発明は、ｐＨが約３．５〜約６．５であり、亜鉛イオン、ニッケルおよび／またはコバルトイオン、フッ化物イオンを含む、非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液を提供する。１つの実施形態においては、本発明の浸漬めっき溶液は、１つ以上の窒素原子、１つ以上の硫黄原子、あるいは硫黄原子および窒素原子の両方を含む少なくとも１つの抑制剤とをさらに含む。本発明は、さらに、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板を、本発明の非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液に浸漬し、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板の表面に亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。任意で、亜鉛合金をコーティングされたアルミニウム基板またはアルミニウム合金基板は、無電解または電解金属めっき溶液を用いてめっきされる。 （もっと読む）

【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が０．２ｎｍ以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の１原子層以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層７を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層８で埋め込む工程とを含む。 （もっと読む）

無電解コバルト又はニッケルめっき浴中のクエン酸塩錯化剤の濃度を、遊離フッ化物イオンの微量濃度を含有する無電解めっき浴のサンプルを、硝酸ランタン標準液で滴定することにより判定する。滴定の間、Ｌａ^＋イオンは最初に優先的にクエン酸塩錯化剤と、その後フッ化物イオンと反応し、遊離フッ化物イオン濃度を低減させる。滴定の終点は、遊離フッ化物イオンにおける実質的減少により示唆され、フッ化物イオン特異電極（ＩＳＥ）を介して検出される。本方法は、他の錯化剤の分析に用いることができる。
（もっと読む）

【課題】 金属酸化物と導体膜との間の良好な密着性を確保し、かつ導体損失を低減させて共振特性を向上させることのできるようにした。
【解決手段】 表面の平滑なセラミック素体１を作製した後（ａ）、Ｚｎの酸化還元電位よりも電気化学的に卑な電位を有する両性金属の金属イオン、例えばＡｌ^３＋、Ｓｉ^４＋を添加したＺｎ溶液を調製し、セラミック素体１をＺｎ溶液に浸漬して該セラミック素体１の表面にＺｎ皮膜２を形成し（ｂ）、この後、無電解めっき処理を施してＺｎ皮膜２上にめっき皮膜３を形成する（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 （もっと読む）