毒性が低く、中性付近で使用でき、はんだ密着性及び被膜密着性が良好な非シアン系置換型無電解金めっき液を提供する。 非シアン系水溶性金化合物、及びピロ亜硫酸化合物を含有することを特徴とする無電解金めっき液。該めっき液は、さらに亜硫酸化合物、アミノカルボン酸化合物を含有していてもよい。ピロ亜硫酸化合物としては、ピロ亜硫酸、又はそのアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム塩等を用いることができる。
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表面に孔食がない金めっき被膜が得られ、はんだ付けを行った際に十分なはんだ付け強度が確保できる無電解金めっき液を提供することを目的とする。
金の水溶性化合物を含有し、還元剤としての下記一般式で表されるヒドロキシアルキルスルホン酸又はその塩と、アミン化合物とを含有することを特徴とする無電解金めっき液。


（上記式中、Ｒは水素、カルボキシ基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、飽和または不飽和アルキル基、アセチル基、アセトニル基、ピリジル基、及びフリル基のいずれかを表わし、Ｘは水素、Ｎａ、Ｋ、及びＮＨ_４のいずれかを表わし、ｎは０〜４の整数である。）
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【課題】 銅系素材上への置換ビスマスメッキに際して、白色の緻密なビスマス皮膜を形成する。
【解決手段】 可溶性ビスマス塩とベース酸を含有し、銅溶解剤に特定のチオアミノカルボン酸又はその塩（メチオニンなど）、脂肪族メルカプトカルボン酸又はその塩（メルカプトコハク酸など）、スルフィド類（チオジグリコール、４,７−ジチアデカン−１,１０−ジオールなど）、チオ尿素誘導体（１,３−ビス（３−ピリジルメチル）−２−チオ尿素など）を選択した置換ビスマスメッキ浴である。上記特定の含イオウ化合物を銅溶解剤に使用するため、錯化した銅イオンとビスマスイオンの電極電位差をほど良く調整でき、白色で緻密なビスマス皮膜を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、優れた高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、厚さ０．１〜１０μｍの金属めっき層と、厚さ１〜１００μｍの有鉛または無鉛のはんだ層との順に電気めっきした、外径２．５μｍ〜１ｍｍのプラスチック導電性微粒子及びその製造方法に関する。本発明のプラスチック導電性微粒子の製造方法によれば、優れた熱的特性及び高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造し、前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理し、その後、無電解めっきして金属めっき層を形成して前記ビーズ表面及び金属めっき層間の密着力を改善した、１ｍｍ以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、密閉式６角バレルを電気めっき液に含浸させ、３６０°に回転するメッシュバレルを６〜１０ｒｐｍで回転させて電気めっきを行うか、または、従来の密閉式６角バレルの一面を開放し、左右２００°に回転するメッシュバレルを１〜５ｒｐｍで回転させて電気めっきを行うことによりはんだ層を形成する。本発明のプラスチック導電性微粒子は、パッケージギャップを保持できるので、ＩＣパッケージ、ＬＣＤパッケージ及びその他導電材に有用に用いられる。
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【課題】 効率的な厚付けメッキを可能にし、スズ塩のコロイド粒子の発生を有効に防止できる無電解スズメッキ浴を開発する。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩とベース酸と錯化剤を含有する無電解スズメッキ浴において、ベース酸として次亜リン酸を含有し、また、安定剤としてピロリン酸、ポリリン酸又はその塩などの縮合リン酸類を含有し、次亜リン酸の含有量が１.３モル／Ｌ以上であり、縮合リン酸類の含有量が０.０１〜２モル／Ｌである無電解スズメッキ浴である。無電解スズの次亜リン酸浴に特定量の縮合リン酸類を補助添加することで、厚付けメッキの効果を損なうことなく、可溶性第一スズ塩の溶解を促進してコロイド粒子の発生を有効、確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】初期摺動特性等の諸特性が改善された無電解ニッケルめっき膜を提供すること。
【解決手段】表面にリン酸塩被膜を有する無電解ニッケルめっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬して無電解ニッケルめっき膜を形成し、次いで、前記無電解ニッケルめっき膜をリン酸塩溶液と接触させることにより前記無電解ニッケルめっき膜上にリン酸塩被膜を形成する。表面にリン酸塩被膜を有することを特徴とするニッケル合金めっき膜。 （もっと読む）

【課題】 スズ皮膜での異常粒子やフリルの発生を有効に防止するとともに、簡便な方式でソルダレジストのえぐれを確実に防止する。
【解決手段】 微細パターン上にソルダレジストを形成した形態のフィルムキャリア、プリント回路基板、フレキシブルプリント基板などにおいて、(ａ)微細パターン上に下地スズ皮膜を形成し、(ｂ)下地皮膜を加熱処理した後、(ｃ)下地スズ皮膜の全面上に上層スズ皮膜を形成し、(ｄ)上層スズ皮膜の上にソルダレジストを被覆するフィルムキャリアなどの製造方法である。２層スズ皮膜の形成と下地皮膜の加熱を組み合わせるため、上層スズ皮膜での異常粒子などを良好に防止できる。２層スズ皮膜を形成した後にソルダレジストを被覆するため、ソルダレジストのえぐれの問題を確実且つ簡便に解消できる。 （もっと読む）

【課題】 断面ＳＥＭ写真を用いた断面観察によるめっき皮膜状態の評価方法から、化学反応を利用した全く新しいめっき皮膜状態の評価方法に変更することによって、導電性粒子の全数検査を正確、簡便かつ短時間で行なうことが可能となるめっき皮膜評価方法を提供すること。
【解決手段】 ｐＨ７．０の超純水に、粒径０．１〜１０μｍのニッケル粒子を分散させた導電性粒子水溶液のｐＨがｐＨ９．７となることを利用する。すなわち、ｐＨ７．０の超純水に耐食性の良いＡｕ等の貴金属をめっきした導電性粒子を分散（第１工程ｓ１）させ、その後に前記導電性粒子が分散した超純水のｐＨ値を測定（第４工程ｓ４）し、当該ｐＨ値から化学的判断（第５工程ｓ５）を行なうことによって、導電性粒子のめっき皮膜状態の是非を評価する。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材を提供すること。
【解決手段】 ポリイミドまたは液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１上に塗布された有機ＳＯＧ溶液の塗布膜を硬化させたシロキサンポリマーを含むポリマー膜１２と、ポリマー膜１２を下地層としてＮｉ−Ｂ無電解メッキ液に浸漬してメッキ処理により形成された金属膜１３と、を有する配線基板用フィルム基材１０。
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【課題】酸性領域で用いることができ、且つ安定性に優れている非シアン無電解金めっき液及びこの非シアン無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化４で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
【化４】
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本発明は、広範囲多ピン化及び狭ピッチ化に対応するために必要な、高さばらつきの少ない高アスペクト比のドーム型バンプの形成を可能にする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴、異方成長ニッケルバンプを有する製品の形成方法、異方成長ニッケルバンプが形成された物品及び無電解ニッケルめっき浴用異方成長促進剤を提供することを目的とする。本発明は、異方成長促進効果を有する量の異方成長促進剤を含有することを特徴とする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴を提供する。
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中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 効果的に厚付けメッキのできる無電解スズメッキ浴を開発する。
【解決手段】 ベース酸として次亜リン酸を１.３モル／Ｌ以上含有し、次亜リン酸以外の無機酸又は有機酸を含有しないか、或は、ベース酸として次亜リン酸及び補助酸を含有し、次亜リン酸の含有量が１.３モル／Ｌ以上であり、補助酸の含有量が０.５モル／Ｌ以下である無電解スズメッキ浴である。有機スルホン酸などに代えて、ベース酸の主体を次亜リン酸に切り替えるため、メッキ速度が速く、効果的な厚付けメッキができる。また、スズ皮膜のレベリング性も充分に確保できる。 （もっと読む）

【課題】 基材の種類にかかわらず、短時間で、かつ薄膜金属層と、基材との間で優れた密着性を有する薄膜金属積層体が得られる薄膜金属積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上への薄膜金属積層体の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする。
（１）基材を準備する工程
（２）基材表面に対して、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎を吹き付け処理するか、あるいは、ケイ素含有化合物の気体状物を、４００℃以上の熱源を介して吹き付け処理する工程
（３´）紫外線硬化型樹脂からなる下地層を形成する工程
（３）薄膜金属層を金属イオンの還元処理、例えば、銀鏡反応により形成する工程 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い配線基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液２０を利用して、ベース基板１０に設けられた配線パターン１２に無電解メッキ処理を行う。アミンを含有する溶剤３０を利用してベース基板１０を洗浄する。その後、ベース基板１０にレジスト層４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い配線基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液２０を利用して、ベース基板１０に設けられた配線パターン１２に第１の無電解めっき処理を行って、厚みが０．１μｍ未満のめっき層１５を形成する。アミンを含有する溶剤３０を利用してベース基板１０を洗浄する。ベース基板１０に、めっき層１５を部分的に覆うレジスト層４０を形成する。めっき層１５におけるレジスト層４０からの露出部に、第２の無電解めっき処理を行う。第１の無電解めっき処理工程とレジスト層４０を形成する工程との間では、加熱工程を行わない。 （もっと読む）

アクチュエータ素子において、アクチュエータ素子を主として構成する材料を変えることなしに、優れた変位量及び変位速度を備えたアクチュエータ素子を提供する。アクチュエータ素子が屈曲する方向に面する表面に凹凸を備え、前期凹凸が屈曲を容易にするための波形形状を形成するアクチュエータ素子を用いる。また螺旋状に形成された管状のアクチュエータ素子については、所定の直径のワイヤーを捲きつけて管状体の表面に螺旋状の凹凸を設け、所定の操作を行うことにより螺旋状に形成されたアクチュエータ素子の製造方法により製造する。
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【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディングの接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能な新規な活性化液を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii) 酸化数２〜４のカルコゲン元素を含む酸及びその塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物
を含有する水溶液からなる置換型無電解金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）

タリウム等の重金属イオンを含まなくても実用上十分な析出速度を有し、まためっき液の安定性にも優れた無電解金めっき液を提供することを目的とする。 金塩として非シアン系金塩、金の錯化剤として亜硫酸およびチオ硫酸のアルカリ金属塩又はアンモニウム塩、還元剤としての下記一般式で表されるヒドロキシアルキルスルホン酸又はその塩と、アミン化合物とを含有することを特徴とする無電解金めっき液。 【化１】（上記式中、Ｒは水素、カルボキシ基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、トリル基、ナフチル基、飽和または不飽和アルキル基、アセチル基、アセトニル基、ピリジル基、及びフリル基のいずれかを表わし、Ｘは水素、Ｎａ、Ｋ、及びＮＨ_４のいずれかを表わし、ｎは０〜４の整数である。）
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本発明は、鉄合金部材を硫化によって処理する方法に関する。その方法によれば、その部材は、電流を流すことなく所定濃度の苛性ソーダとチオ硫酸ナトリウムと硫化ナトリウムとを含む水溶液の収容槽に含浸され、前記水溶液は約５分から３０分間かけて約１００℃から１４０℃の間の温度にされる。 （もっと読む）