【課題】基板に形成した非貫通穴をめっき法により導体で埋める際の処理時間を大幅に短縮でき、半導体装置の製造コストを削減できる基板処理方法、半導体装置及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗに非貫通穴１００を形成し、非貫通穴１００内部にめっき法により導体（めっき膜１０５）を充填する基板処理方法である。めっき液Ｑに固体粒子１０３を含有する。このメッキ液Ｑで電解めっきを行なうと、めっき膜１０５の成膜と同時に固体粒子１０３がめっき膜１０５中に取り込まれ、めっき膜１０５の体積が嵩上げされる。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池用電極の製造方法およびその電気化学的析出装置を提供している。本発明の太陽電池用電極の製造方法は、金属または金属合金の電気化学的析出プロセスを用いて太陽電池用電極を製造する方法である。本発明の方法は、光電変換効率の向上と生産コストの低減が可能であるとともに、反応時間が短く、工業廃水の処理が容易である等の利点を有する。
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【課題】表面抵抗の高いフィルムに、めっきをムラなく均一で、かつ線幅を増大させずにメッシュ状パターン上に電解めっきするめっき処理方法を提供すること。また、それを用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に、連続した複数の電解めっき槽を用い、同種類の貴金属を連続的に電解めっきするめっき処理方法であって、複数の電解めっき槽の上流から下流に向けての前半部における累積めっき通電量が、全累積めっき通電量に対し１４．４０％以上５０．２０％未満であるめっき処理方法。該方法を用いた導電性膜および透光性電磁波シールド膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、めっき液に界面活性剤を加えることなく、被めっき基板に形成された微細な溝や穴にめっき液を浸入させることができ、めっき欠け、めっき抜けの発生がない高品質のめっきを行うことができるめっき方法及び装置を提供する。
【解決手段】被めっき物に電解又は無電解めっきを行なうめっき方法であって、めっき液中の溶存気体を脱気した後、又はめっき液中の溶存気体を脱気しながらめっきを行なう、及び／又は、前処理液中の溶存気体を脱気した後、又は前処理液中の溶存気体を脱気しながら前処理を行い、その後めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】低温でも樹脂層が所要の柔軟性を有して割れを生じることが無く、樹脂層による水分に対する優れた耐透過性と金属層による高いガスバリア性とを有する金属複合ホース及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＰ樹脂にＳＩＢＳを分散状態に添加混合した材料を構成材料とする管状の樹脂層１２と、その外周面に湿式メッキにて管状に積層形成された金属めっき層１４との積層構造で金属複合ホース１０を構成する。そしてその製造に際し、樹脂層１２を形成した後に、メッキ前処理として有機溶剤にて樹脂層１２の外周表面のＳＩＢＳを選択溶解させて樹脂層１２の外周表面に凹凸形成する粗面化処理を行い、しかる後樹脂層１２をめっき浴に浸漬して樹脂層１２の外周面に金属めっき層１４を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】
めっき表面に凹凸欠陥が少ない両面に導電層を有するタイプのめっき法２層回路基材の製造方法を提供する。
【解決手段】
長尺プラスチックフィルム基材の両面に設けられた導電性金属層が相互に電気的に導通しており、前記給電手段が長尺プラスチックフィルム基材の片面のみから給電することにより、長尺プラスチックフィルム基材の両面に電解めっきを施すめっき法２層回路基材の製造方法。
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【課題】Ｓｉ基材上に均一にＡｕメッキ層を形成したり、ナノメータレベルの連続した金メッキ細線を形成したりする。
【解決手段】Ｓｉ基材１上にＡｕメッキ層２を形成するＡｕメッキ方法であって、Ｓｉ基材１上に、Ｃ、Ｓ及びＡｕを含み半導電性を有するＣ−Ｓ−Ａｕ膜よりなる下地層３を形成する下地層形成工程と、電気メッキによるＡｕメッキを施して下地層３上にＡｕメッキ層２を形成するＡｕメッキ工程とを備えている。Ｓｉ基材１の表面に下地層３を形成してから、レジスト膜を部分的に形成して、レジスト膜以外の部分に下地層３のＣ−Ｓ−Ａｕ膜が表出したＣ−Ｓ−Ａｕ膜表出部を所定パターンで形成し、レジストの加工パターンをマスクとして、Ｃ−Ｓ−Ａｕ膜表出部上にＡｕメッキ層２を形成すれば、ナノメータレベルの連続したＡｕメッキ細線を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高い密着力を備えるめっき被膜を形成出来る無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】不飽和結合を有する樹脂からなる基材の表面に、オゾンを含む第１溶液を接触させる工程１と、第１溶液を接触させた後の樹脂基材の表面に、界面活性剤を含む第２溶液を接触させる工程２と、第２溶液を接触させた後の樹脂基材の表面に、触媒を吸着させる工程３と、触媒を吸着させた後の樹脂基材の表面に、金属イオンと還元剤とを含むめっき液を接触させ、金属イオンを還元して樹脂基材の表面に、めっき被膜を析出させる工程４とを有する無電解めっき方法において、工程１における第１溶液中のオゾン濃度を、１０ｐｐｍ〜５０ｐｐｍの範囲とし、かつ第１溶液と樹脂基材との接触時間を、４分〜２５分の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】TFS代替のCrフリー鋼板として好適な、塗料密着性、樹脂密着性、耐錆性、耐食性に優れる表面処理鋼板およびその製造方法、ならびにこの表面処理鋼板に樹脂フィルムを被覆した樹脂被覆鋼板、それを用いた缶および缶蓋を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面に、非合金化Sn量が0.1mg/m²未満のFe-Sn合金層を有し、前記Fe-Sn合金層上にTi及びOを含有する皮膜を有する表面処理鋼板や、鋼板の少なくとも片面に、Fe-Ni合金層と該Fe-Ni合金層上に非合金化Sn量が0.1mg/m²未満のFe-Ni-Sn合金層を有し、前記Fe-Ni-Sn合金層上にTi及びOを含有する皮膜を有する表面処理鋼板。 （もっと読む）

【課題】 導体回路素子内の微細配線形成方法として使用されているいわゆるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用し得るナノメータオーダーの微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の微細パターンの形成方法は、基板上に設けられた絶縁膜に形成された溝及び孔の少なくとも一方を、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、めっき液及び界面活性剤を含む超臨界流体又は亜臨界流体を用いためっき法により所定の金属で埋めることを特徴とする。この場合、めっき液として従来から使用されている電解めっき液や無電解めっき液を使用することができ、また、本発明の微細パターンの形成方法を実施する際には、脱脂部Ａ、酸洗部Ｂ、触媒化部Ｃ及びめっき部Ｄを備える表面処理装置１０を使用し得る。 （もっと読む）

【課題】ガラスやセラミックスなどの平面または立体的な絶縁物表面への導電金属層を形成するために、環境影響の少ない電気メッキ方法を提供する。
【解決手段】平面または立体的な絶縁物の表面に導電金属層を電気メッキする方法において、（ａ）平均粒子径０．０５〜２０μｍの黒鉛粒子１〜２０質量％と、上記黒鉛粒子に対して０．１〜３０質量％の、上記黒鉛粒子を水媒体中に分散させる天然または合成の有機物または界面活性剤と、媒体の水とからなり、ｐＨが５〜１２の範囲である黒鉛分散液を、上記絶縁物の表面に塗布する工程と、（ｂ）上記絶縁物上の塗布物を乾燥させて、黒鉛粒子を主とする被膜を形成する工程と、（ｃ）上記被膜上に、導電層として金属または合金を電気メッキする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種々のエッチングバスを採用することのできる、非導電性基板（サブストレート）への金属被覆（メタライゼーション）方法を提案する。
【解決手段】少なくとも下記の工程、
（ａ）前記基板を金属含有活性化溶液に接触させる工程と、
（ｂ）次いで、前記活性化溶液に接触させた基板を少なくとも１つのチオ硫酸塩を含む処理溶液に接触させる工程と、
（ｃ）続いて、前記処理基板上に、金属又は合金層を析出させる工程と
から構成される、非導電性の基板（サブストレート）に金属被覆（メタライゼーション）をする方法であって、
前記チオ流酸塩を含有する前記処理溶液は、リチウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、あるいはこれらの混合物からなるイオングループの、少なくとも１つのイオンを含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下地金属に金属めっきを施して防錆性を高めるとともに、導電性，ＥＭＩ性，溶接性を向上させた金属めっき材を提供する。
【解決手段】下地金属の表面に金属めっきを有する金属めっき材において、金属めっきが突起物を有し、その突起物は金属めっきと同一の成分を有しかつ単一の金属相からなる金属めっき材である。 （もっと読む）

【課題】 基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能であり、さらに簡単な製造方法にて前記密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板１上に単分子膜２が形成され、前記単分子膜２上に中間膜３が形成される。前記中間膜３に含まれるピロリル基及び単分子膜２に含まれるピロリル基の少なくとも一部は重合している。また前記中間膜３は、無電解メッキでの触媒能力のある金属、例えばパラジウムを含有する。金属膜５を構成する無電解メッキ膜６が前記中間膜３上に直接、無電解メッキ法によりメッキ形成されている。本実施形態の構成により、基板と金属膜間の密着性を従来に比べて向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】ダイレクト鍍金法において電気鍍金により銅膜等の金属膜形成の際における鍍金析出性及び外観性等の鍍金特性に優れるダイレクト鍍金用樹脂組成物、この組成物を含む成形品、及び、ダイレクト鍍金法により形成された、金属膜又は合金膜を備える鍍金成形品を提供する。
【解決手段】本発明のダイレクト鍍金用樹脂組成物は、ゴム強化ビニル系樹脂を含む熱可塑性樹脂組成物であって、該ゴム強化ビニル系樹脂は、ジエン系ゴム質重合体〔ａ１〕及びエチレン・α−オレフィン系ゴム質重合体〔ａ２〕を含有し、上記ジエン系ゴム質重合体〔ａ１〕及び上記エチレン・α−オレフィン系ゴム質重合体〔ａ２〕の合計量が、上記熱可塑性樹脂組成物全体に対して３〜３０質量％であり、該合計量に対する上記エチレン・α−オレフィン系ゴム質重合体〔ａ２〕の含有量の比が０．０１〜０．４である。 （もっと読む）

【課題】立体形状を有する樹脂成形体の立体表面に高精細な回路導体パターンを形成することができ、その製造コストを低減させることが可能な、回路導体パターンを有する樹脂成形部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂成形体１の表面にレジスト２をコーティングし、所定の回路導体パターンに沿ってレーザ照射によりレジスト２の一部を除去して樹脂表面を露出させ、この露出された樹脂表面３に金属蒸着により銅の下地層４を形成し、しかる後に下地層４の上に銅の電解めっきにより金属層５を形成して所定の厚みの回路導体を形成する方法とする。この場合、レーザ照射により、レジスト２の一部を除去して樹脂表面を露出させると同時にこの露出された樹脂表面３を粗面化および／または活性化させても良い。 （もっと読む）

【課題】表面の粗さが適度に設定された樹脂層を得ることができる樹脂層の形成方法、その樹脂層の形成方法を用いためっき方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂より成る基材２と、基材中に分散された混合物４とを含む樹脂層３２を、基板上に形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト１２により切削し、基材及び混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程とを有している。表面が適度な粗さに設定された樹脂層を得ることができるため、樹脂層上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。このため、高い信頼性を確保しつつ、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】物性を著しく改善する，無電解方式を用いたフィルム金属メッキシステムを提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムを供給しながら，特定工程が実施される工程実行装置と水洗を実施する水洗装置とから構成される脱脂，エッチング，中和，カップリング，触媒部が，下部メッキ，メッキなどの工程を順次実施して，フィルムの片面又は両面に伝導性金属をメッキし，伝導性金属のメッキされたフィルムを乾燥装置部によって乾燥させ，乾燥した伝導性金属メッキフィルムを巻取装置部によって巻取ロールに巻き取る。各工程を実施する時，フィルムを液状物質に浸漬させた状態で通過させ，洗浄水で洗浄させながら洗浄水に浸漬してから引き出す湿式方法によって実施する。 （もっと読む）