（ａ）基質を、貴金属／ＩＶＡ族金属ゾルを含有する活性剤と接触させて処理基質を得、（ｂ）該処理基質を、（ｉ）Ｃｕ（ＩＩ）、Ａｇ、ＡｕもしくはＮｉ可溶性金属塩またはそれらの混合物、（ｉｉ）０．０５〜５モル／ｌのＩＡ族金属水酸化物および（ｉｉｉ）該金属塩の金属のイオンに対する錯生成剤の溶液を含有してなる組成物と、接触させる、工程からなり、該錯生成剤としてイミノコハク酸またはその誘導体が用いられる不導性基質に金属被覆を施す方法。 （もっと読む）

【課題】体積あたりの表面積が大きく微小で沈降性に欠ける被めっき物にバレルめっきを施す際に問題となる浮き上がりによるめっき不良の発生を防止する。
【解決手段】上記目的を達成するために、被めっき物のめっき液への沈降性を改善する。具体的には、被めっき物の表面を親水化処理し、めっき液への沈降性を改善する。親水化前処理には、表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である界面活性剤の水溶液を沈降性改善処理剤に用いる。この界面活性剤にはアニオン系界面活性剤、両性界面活性剤又はこれらを混合して用いる。更に、消泡剤を含むものとして使用することも推奨される。 （もっと読む）

【課題】コンタクト用ロジウム構造を製造するプロセスを提供する。
【解決手段】その上に誘電体層、ただし内部に前記コンタクト用ロジウムが付着されるキャビティを有する誘電体層を有する基板を得るステップと、前記キャビティ内および前記誘電体層上にシード層を付着させるステップと、ロジウム塩、酸および応力低減剤を含む浴液から電気メッキによって前記ロジウムを付着させるステップと、任意で次に前記構造をアニールするステップと、を含むプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の温度でのプレス加工するプリント配線基板の製造に用いても、キャリアと銅箔層との引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】前記課題を解決するために、キャリアシートの表面に接合界面層を介して銅箔層を有し、当該キャリアシートが物理的に引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔であって、当該接合界面層は、金属層と炭素層とからなることを特徴とするキャリアシート付銅箔を採用する。そして、前記接合界面層は、厚さ１ｎｍ〜５０ｎｍの金属層と、厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍの炭素層とで構成されたものとすることが好ましい。 （もっと読む）

負極および正極を備えたメンブラン電極アセンブリを有する、燃料電池に使用される電極を製造するためのプロセスを開示した。該プロセスは、以下の工程からなる：（ｉ）電極基体を準備する工程、ならびに（ｉｉ）該電極基体をメッキ浴からの金属層で被覆する工程、ただし前記金属はＡｇ、Ａｕ、Ｐｄおよびこれらの合金から選択される。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を著しく向上させることができる銅積層プラスチックフィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムＷ１上に、少なくとも３層以上の銅メッキ層３ａ〜３ｇからなる銅メッキ積層体３が形成された銅積層プラスチックフィルムであって、この銅メッキ積層体は、銅メッキ層間に境界面３１が形成されるとともに、これらの境界面の上下に位置する各銅メッキ層が互いに一体化されて構成されている。前記プラスチイクフィルムはポリイミドフィルムであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】密着性の高い正電極及び負電極を具備した窒化物系半導体発光素子を得る。
【解決手段】少なくともｎ型窒化物系半導体層、窒化物系半導体発光層、ｐ型窒化物系半導体層、金属反射層、メッキ層がこの順序で積層されてなる構造の窒化物系半導体発光素子であって、金属反射層とメッキ層の間にメッキ密着層が形成されており、かつ、該メッキ密着層がメッキ層を構成する金属の主成分と同一の成分を５０質量％以上有する合金層で構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い柱状セラミックスを短時間で効率よく作製することが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板表面に複数のセラミックスの結晶核を形成する初期核形成工程と該基板表面にめっき法を用いて柱状セラミックス結晶を成長させる工程とを有することを特徴とするセラミックス膜の製造方法である。また前記初期核形成工程を大気開放型ＣＶＤ法で行うことが好ましい。さらに前記セラミックス膜が、多孔質膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウエハ毎に表面積が異なる場合であっても、製品毎の成膜処理を簡便化し、レシピ管理等の管理負荷を軽減する。実効的な表面積に応じて適当な成膜条件を決定し、精度良く成膜を行う。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、凹部の設けられた半導体基板表面の反射率を成膜前に測定する工程と、測定された前記反射率に対応する成膜条件を表す成膜パラメータを決定する工程と、前記成膜パラメータに対応する条件下で前記半導体基板に成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気めっきにより金属層を形成し、化学的機械研摩（ＣＭＰ）法で研摩して金属膜パターンを形成する際に、金属膜パターンの組成分布、膜厚分布を小さくしてに電子デバイスの高性能化に対応し、かつ、めっき液、めっき装置への負荷を小さくして生産性を高める金属膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】めっきする被めっき体１０となる基板の表面に形成される金属膜パターン２０Ｂを形成するために、基板表面をめっきするめっき工程と、そのめっき工程の後に、めっきにより形成された金属層２０Ａの膜厚を薄く平坦化するために研摩する研摩工程とを有する金属膜パターンの形成方法であって、めっき工程でめっきする部分に形成される金属層２０Ａが、被めっき体１０表面全体に対してできるだけ小さくする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスにおける微細な金属配線、磁気ヘッドにおける磁極等の金属膜をめっきすることができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき用基板１１上に設けられたレジストパターン１３に、金属をめっきするめっき工程を有する電子デバイス１０の製造方法において、前記めっき工程の前に、被めっき用基板１１を減圧雰囲気下で、めっき液又はめっき液の溶媒を予め塗布する塗布工程を有する電子デバイス１０の製造方法である。これによって、金属部分が有する導電率、透磁率等の特性を低下させることなく、生産性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗が小さく信頼性の高いＣｕ配線またはＣｕプラグを備えた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板上に形成された層間絶縁膜４に溝部１０を形成した後、溝部１０の内壁を含む層間絶縁膜３上にバリアシード膜６を形成し、バリアシード膜６を電極として、電解メッキ法により溝部１０内に銅７を埋め込む。バリアシード膜６は、絶縁体または半導体の特性を有する高融点金属の酸化物または窒化物からなる単層の膜であって、該膜に銅以外の低抵抗金属が含有されている。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径を小さくしてストレスマイグレーションを抑制した銅めっき膜を、より簡便に基板上に成膜できるようにする。
【解決手段】シード層で覆われた配線用凹部を表面に形成した基板を用意し、シード層を、硫酸銅及び硫酸由来の硫黄を２．０Ｍ以上含む硫酸銅めっき液に接触させ、シード層をカソードとして、該カソードと硫酸銅めっき液中に浸漬させたアノードとの間に電圧を印加して、シード層の表面に銅めっき膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】欠陥孔内を被覆して厚さが均一で表面性状に優れる金属層を形成することが可能な金属化フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体１の表面に金属層４が形成された金属化フィルムの製造方法であって、絶縁体１の表面に乾式めっき法により下地金属膜４を形成する工程と、絶縁体の１下地金属膜４を形成した面に有機モノマー含有液を接触させ、下地金属膜４の欠陥孔内の絶縁体１表面に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成することにより、欠陥孔内を被覆する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛およびテンプレート剤を含む光電層を形成することにより製造される色素増感型太陽電池の製造コストを削減するとともに製造に要する時間を短縮する。
【解決手段】メッキシステム１の導電層形成部３では、ロール９０から連続的に引き出される樹脂フィルム９の各部位に無電解メッキ槽３２内にて無電解メッキを施し、続いて、電解メッキ槽３４内にて電解メッキを施すことにより、当該部位上に酸化亜鉛を含む透明導電層が形成される。その後、導電層形成部３から連続的に排出される当該部位に対して光電層形成部にて電解メッキを施すことにより、酸化亜鉛およびテンプレート剤を含む光電層が形成され、処理後の樹脂フィルム９はロール状に巻き取られる。これにより、酸化亜鉛およびテンプレート剤を含む光電層を形成することにより製造される色素増感型太陽電池の製造コストを削減するとともに製造に要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】浴室の壁面や天井面に下穴なしで切り屑を発生させずにねじ込むことができ、かつ浴室環境に耐える耐食性を備えた浴室用タッピングねじを提供する。
【解決手段】マルテンサイト系ステンレス鋼を母材１０として所定のタッピングねじ１形状に形成され、焼き入れ処理もしくは窒化処理により少なくとも表面の硬度をＨｖ５００以上とし、さらに表面に亜鉛−ニッケル合金めっき層１４が形成され、必要に応じて、上記亜鉛−ニッケル合金めっき層１４の表面にクロメート被膜１５を形成し、その上にシリコーン・エポキシ樹脂層１６を形成した。 （もっと読む）

【課題】試料に損傷を与えない程度の強さのレーザ光や強度の小さい入射光の赤外線を照射しても、それぞれ強度が微弱なラマン散乱光や赤外吸収をさらに感度よく測定できるようにすることを目的とする。
【解決手段】振動分光分析を行うための表面増強振動分光分析用治具において、柱状構造体１１が配列された下地膜１２付きの基体を備え、柱状構造体１１の表面には金属膜１４が付着していることを特徴とする。また、柱状構造体１１は金属であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップオンフィルム（ＣＯＦ）の折り曲げ実装時に求められる耐屈曲性において、ＭＩＴ耐折性試験（ＪＩＳ Ｃ ５０１６）により２００回以上の折曲げ性が得られ、折曲げに対する耐久性に優れる半導体実装用の銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム１の少なくとも片面に、スパッタリング法によってニッケル−クロム系合金層２及び銅層３を形成し、さらにその上に電気めっき法、或いは電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅皮膜４を形成してなる銅被覆ポリイミド基板において、前記銅皮膜４中の結晶の平均結晶粒径は、１６０〜７００ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光線処理装置の耐高温金属基板の製造方法及び構造を提供する。
【解決手段】 プラスチック射出成型、金属ダイカスト成型、金属電気鋳造成型の方法により反型体を成型し、電気鋳造成型により該反型体の表面に一定の厚度の基板を形成する。メッキ時には予め基板表面をラフ化し、積層方式により材料を基板の特定表面上に積層する。こうして全、半反射型或いは特殊光線が通過する型層となり、そのラフ化はイオンビームスプラッターにより、基板のラフ表面の窪みはナノサイズのラフ凹凸面となる。材料を積層させる時、原子或いは原子団の大小様々な嵌入表面の形態により効果的に結合させ、こうして両者の結合の安定性は極めて高く、基板は薄くなるため、直接ランプの高温を発散させることができ、効果的な散熱と耐高温の目的を達成することができる。さらに、わずかに弾性を備えたランプシェードを対応させることで、光線処理特性を調整可能な構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 耐折性の良好なめっき基板の提供を課題とする。
【解決手段】 少なくとも片面に銅層を設けためっき基板において、前記の銅層が、無光沢銅めっき層と光沢銅めっき層とを積層して構成したものであり、少なくとも銅層最上層が、表面が平滑で伸び性のよい光沢銅めっき層であり、好ましくは前記銅層が、少なくとも２層以上の無光沢銅めっき層を含むことを特徴とする。こうすることにより微細な結晶粒子からなる薄い電気銅めっき層を積層してめっき基板の銅層を構成することができる。なお、銅層を設けるに際して最上層を光沢銅めっき層としてそれ以外を無光沢銅めっき層を積層して構成しても良、無光沢銅めっき層と光沢銅めっき層とを交互に積層し、最上層を光沢銅めっき層として構成しても良い。 （もっと読む）