【課題】 プラズマビームの移動速度を効率よく高められるのみならず、作製及び構成が簡単なプラズマ加速装置及び該装置を備えるプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】 プラズマ加速装置は、一端部を開放する出口を有するチャンネルと、チャンネル内にガスを供給するガス供給部と、チャンネル内のガスにイオン化エネルギーを供給してプラズマビームを生成するプラズマ生成部、チャンネル内に所定の間隔を隔てて横方向に配置され、生成されたプラズマビームを電場によって出口に向かって加速する複数の格子からなるプラズマ加速部とを含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法を提供すること。
【解決手段】 結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法であって、タングステンを含むスパッタリングターゲットを結晶性の低い基板の表面にスパッタリングすることを含み、スパッタリングを行う際の基板温度及び堆積速度を制御することにより、単斜晶（００１）面に強く結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製することを特徴とする前記方法。スパッタリングを行う際の基板温度は、４００℃〜７００℃であり、堆積速度は０．２μｍ／ｈ〜１．０μｍ／ｈであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】超紫外線リソグラフィ用の反射デバイス及びその製造方法、それを適用した超紫外線リソグラフィ用マスク、プロジェクション光学系及びリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】基板３５と、基板３５上に形成され、超紫外線を反射させる材料からなる多重反射層と、を備え、多重反射層は、第１物質層と、第１物質層を表面処理した表面処理膜と、表面処理膜上に形成された第２物質層と、を備える層グループが複数個積層されて形成された反射デバイスである。また、基板３５を準備するステップと、基板３５上に超紫外線を反射させる材料で多重反射層を形成するステップと、を含み、多重反射層を形成するステップは、第１物質層を形成するステップと、第１物質層を表面処理するステップと、表面処理された第１物質層上に第２物質層を形成するステップと、を含み、さらに第２物質層上に、第１物質層の形成、第１物質層の表面処理、第２物質層の形成過程を複数回反復して多重反射層を形成する反射デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】下層の薄膜にダメージを与えず、エロージョン領域を広くできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面を対向させ、裏面に第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを配置し、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂをマグネトロンスパッタしながら成膜対象物５を第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの側方を通過させ、少ないダメージで成膜した後、第三のターゲット２１ｃと正対する位置を通過させ、大きな堆積速度で薄膜を積層する。第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの裏面で動かし、エロージョン領域を広くする。 （もっと読む）

【課題】真空蒸着装置において生産性を向上させる。
【解決手段】真空蒸着装置１０は、ターゲットチャンバ１００、プロセスチャンバ２００及び飛行チャンバ３００を備える。各チャンバは相互に独立して真空を維持可能に構成されており、ターゲット１１０から発生する蒸発物質１１０ａは、各チャンバ内の空間を介して、プロセスチャンバ２００内で治具９００により回動可能に保持された基板２１０に蒸着される。この際、蒸発物質１１０ａは、スリット部２２１が形成された遮蔽板２２０によって基板２１０への到達が制限される。スリット部２２１は、治具９００が回動することによって生じる基板２１０上の角速度の相違に対応付けられ、角速度が大きい領域に対応する箇所程大きい開口面積を有しており、蒸着膜の膜特性が良好に制御される。 （もっと読む）

【課題】スパッタにより成膜された基板上のＰＺＴ膜への、防着板上の堆積膜からの再蒸発Ｐｂの付着によるＰｂ組成比の増加に関し、前記成膜におけるＰｂ組成比の制御を可能にする。
【解決手段】スパッタ装置のチャンバ内に、基板表面より下側で、その基板を載置する支持台が搭載されたペデスタル側面とチャンバ底壁とを覆って、絶縁体を介して底壁に固定された下方防着板を設け、前記下方防着板に電位を印加可能のようにし、前記印加電位の制御によって、成膜ＰＺＴ中のＰｂ組成比を制御する。 （もっと読む）

【課題】 搬送経路１６，１８に存在する全ての基板を同時に搬送することが可能な搬送装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板を縦型保持するキャリア３０と、キャリア３０の第１搬送経路１６および第２搬送経路１８と、搬送経路１６，１８に沿って配設された、前記キャリア３０の上部を非接触支持する支持装置４５と、第１搬送経路１６から第２搬送経路１８にキャリア３０を移載するため、キャリア３０を昇降させる昇降装置４０とを備え、前記支持装置４５は、昇降装置４０に同期して昇降可能とされている構成とした。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ反射率、密着性に優れるＣｕ合金反射膜を提供する。
【解決手段】Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＺｎが２〜４０ｗｔ％及び／又はＮｉが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなるＣｕ合金反射膜。このＣｕ合金反射膜と導電性金属酸化物薄膜が積層されたＣｕ合金反射膜積層体。これらＣｕ合金反射膜又はＣｕ合金反射膜積層体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子３０。 （もっと読む）

【課題】より安定に状態の保持が得られるなど、金属酸化物から構成された材料を用いて安定した動作が得られる金属酸化物素子を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０１の上に絶縁層１０２，共通に設けられた下部電極層１０３，ＢｉとＴｉとＯとから構成された膜厚３０〜２００ｎｍ程度の複数の金属酸化物層１０４，金属酸化物層１０４毎に設けられた上部電極１０５を備える。また、隣り合う酸化物層１０４の間が、五酸化タンタルからなる絶縁分離層１０６により素子分離されている。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー２１内に所定の間隔を置いて並設した３枚以上のターゲット２４１と、各ターゲット２４１に対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加する交流電源Ｅ１〜Ｅ３とを備え、交流電源Ｅ１〜Ｅ３からの出力の少なくとも一つを分岐して２枚以上のターゲット２４１に接続し、この分岐した出力に接続された各ターゲット２４１の間で、交流電源から電位が印加されるターゲットを切替える切替手段としてのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３を設けたことを特徴とするスパッタリング装置２。 （もっと読む）

【課題】 再生専用型光ディスクにおけるレーザーマーキングが容易にできる光情報記録媒体用Ag合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 (1) 光情報記録媒体に用いられるAg合金反射膜であって、Agを主成分とし、希土類元素の１種以上を合計で１〜10原子％含有すると共にIn，Sn，Al，Mgの１種以上を合計で１〜15原子％含有し、且つ、前記希土類元素の１種以上の含有量と前記In，Sn，Al，Mgの１種以上の含有量との合計含有量が５原子％以上であることを特徴とする光情報記録媒体用Ag合金反射膜、(2) 前記Ag合金反射膜においてBi，Sbの１種以上を0.01〜３原子％含有しているもの、(3) 前記(1) のAg合金反射膜と同様の組成を有するAg合金製のスパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ない磁気記録層形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 シリカ：２〜１５質量％、酸化クロム：０．０１〜０．５質量％、Ｃｒ：３〜２０質量％、Ｐｔ：１５〜４５質量％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するＣｏ基焼結合金からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたハーフトーン型位相シフトマスクおよびこれを作製するためのマスクブランクを提供すること。
【解決手段】 フォトマスク基板としての石英などの透明基板１１の一方主面上に、露光光に対して所定の位相シフト量および透過率を有する半透明膜１５と、この半透明膜１５上に設けられた遮光性膜１２とが設けられている。遮光性膜１２は、いわゆる「遮光性膜」であることは勿論、反射防止膜をも兼ねる膜とすることができる。半透明膜１５はその吸収体材料が、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）の双方を含有するハーフトーン材料であるハーフトーン位相シフト層である。ハーフトーン型位相シフトマスクブランクをＡｒＦ露光用のマスク作製用とする場合には、遮光性膜１２の光学濃度ＯＤが、波長１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの光に対して１．２〜２．３の範囲の値となるように膜厚と組成が選択される。 （もっと読む）

【課題】 アノード２０の表面における酸化膜の発生および剥離の問題を解決し、安定した連続運転が可能な電子ビーム照射装置１０を提供する。
【解決手段】 電子を放出するカソード１６と、電子を加速するためカソード１６との間で電場を形成するアノード２０と、カソード１６とアノード２０との間の電子ビーム発生空間１９を排気する排気手段３２と、電子ビーム発生空間１９に還元性ガスを滞在せしめるため、電子ビーム発生空間１９にＨ_２ガスやＨ_２Ｏガス等の特定ガスを供給する特定ガス供給手段３４と、を備える構成とした。 （もっと読む）

本発明は、基材上にホウ素から作られた少なくとも１つの薄層を真空被着するための方法であって、ホウ素に関して化学的に不活性であるか又は活性である少なくとも１種のアトマイゼーションを選び、工業規模の設備内に配置される少なくとも１つのリニアイオン源を用いて、前記アトマイゼーション種を主として含む平行イオンビームを発生させ、このビームをホウ素から作られた少なくとも１つのターゲットに向けること、前記基材の少なくとも１つの表面部分を、ターゲットのイオン衝撃によってアトマイゼーションされた物質又は当該アトマイゼーションされた物質と前記アトマイゼーション種のうちの少なくとも１種との反応の結果生ずる物質が前記表面部分に被着されるように、前記ターゲットに面して配置することを特徴とする方法に関する。
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【課題】その表面が地球の重力に対して平行なこのような平らな基板の熱負荷を低減すること。
【解決手段】本発明は、基板、特に、例えばＯＬＥＤＥのような感熱物質を含む基板を蒸着するための蒸着装置に関する。これらの基板から熱を遠ざけておくために、蒸着装置は、特殊なノズル棒を有する蒸発器チューブを含む。数個の直線状に配置されている開口部を有するこのノズル棒は、コーティング対象の基板の方向に蒸発器チューブに対して突き出ている。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜や導電性薄膜等に利用することができる新規なアモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 アモルファス状又はペロブスカイト型構造の新規なＣｄ_３ＴｅＯ_６薄膜により、上記課題を解決した。この酸化物薄膜において、Ｃｄ_３ＴｅＯ_６薄膜の金属原子の一部が遷移金属原子又は磁性原子で置換されたものであってもよいし、Ｃｄ_３ＴｅＯ_６薄膜にＬａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子をドーピングされたものであってもよい。この酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ダストを発生させずに基板を静電チャックプレートに静電吸着させる真空処理方法を提供する。
【解決手段】本発明では、潤滑ガスを処理室１内に導入した後、１００Ｐａ程度の圧力下で静電チャックプレート２表面に基板３を静電吸着させる。静電チャックプレート２と基板３との間に潤滑ガスが存在し、潤滑剤として作用するので、基板３が昇温し、熱膨張する際に、基板３裏面と静電チャックプレート２表面との間が摺動しても、ダストが発生しないようになっている。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタリング装置２は、真空チャンバー内２１に所定の間隔を置いて並設した少なくとも４枚以上のターゲット２４１と、並設されたターゲットのうち２枚のターゲットに対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加するように１個ずつ接続された交流電源Ｅとを備え、各交流電源Ｅを相互に隣接しない２枚のターゲット２４１に接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 開口パターンが形成されたシリコン基板を有するマスクを製造する方法において、シリコン基板に対する形状制御の精度向上を図る。
【解決手段】 本発明のマスク製造方法は、開口パターンが形成されたシリコン基板を有するマスクを製造する方法であって、シリコン基板を薄くするためのエッチング工程を有する。エッチング工程では、光学顕微鏡によりシリコン基板のエッチング深さを測定した結果に基づいて、エッチングの終点を管理する。 （もっと読む）