【課題】有効な磁場の分布を変えることによって膜の堆積／エッチング特性を変えるための磁気フィルタ装置を備えたプラズマ・システムを提供すること。
【解決手段】磁気フィルタ装置が磁石または磁石群とターゲット（通常では半導体ウェハ）の間に配置され、望ましい処理結果を得るために磁場を変えるために選択され、構成される。堆積ごとに、この磁気フィルタはより均一な堆積を供給するように、後に続くエッチングまたは研磨処理におけるウェハのエッジでの増大したエッチング速度を補償するためにウェハのエッジまたは隣接部で増大した堆積速度を供給するように選択される。アニール処理とドーピングに関して、磁場はウェハ全域にわたってより均一で同等のアニール処理またはドーピングを供給するように変える。様々な応用が開示される。 （もっと読む）

【課題】 可視光透過半導体膜の形成の際に、堆積中の膜に光放出装置からの光を照射しながら半導体膜を形成することにより、各種の可視光透過半導体膜を耐熱性の低い透明基板上に形成することを可能にした可視光透過半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 透明基板8と、透明基板8への半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置9bからの光を照射しながら形成される半導体膜とからなることを特徴とする可視光透過半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を防止し、イオンガンの長時間にわたる安定動作を可能とする。
【解決手段】イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。グリッド２２に絶縁膜が厚く付着するといったことを防止でき、よって絶縁膜のチャージアップを抑制できる。 （もっと読む）

本発明はエレメント、そのための製造方法および装置、およびそのエレメントの使用方法を開示し、そのエレメントは電流の助けによってフィルム状構造中に熱的効果を提供するための少なくとも一つのフィルム材料から形成される導電性フィルム状構造を有する。
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【課題】より物性の優れたＩＴＯ膜を低コストで成膜できるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を提供する。
【解決手段】主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が０．２μｍ以上であるＩＴＯ焼結体、あるいは、主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が０．３μｍ以上であるＩＴＯ焼結体、あるいは、主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が０．２μｍ以上であり、かつ、該Ｉｎ₂Ｏ₃母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が０．３μｍ以上であるＩＴＯ焼結体。 （もっと読む）

【課題】 ハンダ膜の融解時間を短縮することにより、ハンダ工程の高速化を実現し、かつ半導体素子等に対する熱影響を確実に回避するとともに、融解温度及び融解時間の安定化による膜品質及び均質性の向上に貢献する。
【解決手段】 Ａｕ−Ｓｎ合金１０を基板２０に蒸着してハンダ膜１を形成するに際し、Ａｕ−Ｓｎ合金１０を構成するＡｕを５０〜８０〔重量％〕含むとともに、ＡｕとＳｎを二つの蒸発源３１ｘ，３１ｙからそれぞれ同時に蒸発させて蒸着を行うことによりＡｕ−Ｓｎ合金１０を形成し、Ａｕ−Ｓｎ合金１０を構成するＡｕとＳｎの結晶成分として、少なくとも、Ａｕ₅Ｓｎ，ＡｕＳｎ及びＡｕＳｎ₂を含有するハンダ膜１を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。
【解決手段】Ａｇに、特定少量のＣｕとＴｅ、Ｓｅ、Ｐの少なくとも１種とＭｎを添加し、さらに必要に応じてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＲｕおよびＩｒの少なくとも１種および／またはＮｉ、Ｆｅ、ＢｉおよびＣｒの少なくとも１種を少量追加添加してなるＡｇ基合金から構成された、スパッタリングターゲット材または蒸着材料ならびに反射膜、配線用膜、電極用膜または半反射型半透過膜。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以上の高温でもヒロックなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低い電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｄ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金とすることにより耐熱性に優れた低抵抗の電極配線材料が得られる。また、該電極配線材料はＮｄ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、容易に安定に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の焼結法に比べて格段に低温で得ることができる絶縁性ターゲット材料を提供する。
【解決手段】 絶縁性ターゲット材料は、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で表される絶縁性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料であって、Ａ元素は少なくともＰｂからなり、Ｂ元素はＺｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に、誘電率が２.９またはそれ以下でかつ拡散係数が２５０μm²/minまたはそれ以下のシリコン含有絶縁膜を形成する方法を与える。
【解決手段】半導体装置を製造するための方法は、(a)(i)複数の架橋可能基を含むシリコン含有炭化水素化合物から成るソースガス、(ii)架橋ガス、(iii)不活性ガス、及び(iv)流量がソースガス流量の２５％以下である酸素供給ガス、から成る反応ガスを使ったプラズマ反応により、イソプロピルアルコールを使用した測定で２５０μm²/minまたはそれ以下の拡散係数を有するシリコン含有絶縁膜を基板上に形成する工程と、(b)半導体装置を製造するべく、絶縁膜を集積処理にかける工程と、から成る。 （もっと読む）

【課題】 窓枠形状のフレームに、テンションを掛けた状態のメタルマスクを固定、保持させた形態の蒸着用のマスクユニットにおいて、フレームの軽量化を図る。
【解決手段】 窓枠形状の薄板１３ｂにエッチングにより多数の穴３１を形成しておき、その薄板１３ｂを多数枚積層し、熱拡散結合により一体化することで、一体構造のフレーム１３を形成し、穴３１の存在によって軽量化を図る。 （もっと読む）

Ｒａ_１−ｘＡ_ｘＢＯ_３−ａ（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ等の遷移金属元素、０＜ｘ≦０．５）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物であって、相対密度が９５％以上、純度が３Ｎ以上であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。ペロブスカイト型酸化物系セラミックス材料からなるターゲットの密度を向上させ、強度を上げてターゲットの製造工程、搬送工程あるいはスパッタ操作中の割れやクラックの発生を防止し、歩留りを向上させる。また、成膜中のパーティクルの発生を抑制して、品質を向上させ不良品の発生を減少させることを課題とする。 （もっと読む）

【課題】半導体等の製品基板の成膜やプラズマ処理装置内に用いる真空装置の部品において、膜状物質の付着性が高く、しかも異常成長による粒子の脱落のない、長時間の連続使用が可能な優れた部品を提供する。
【解決手段】半導体等の成膜装置及びプラズマ処理装置に用いる真空装置用部品において、表面がセラミック及び又は金属溶射膜で被覆され、該溶射膜の表面にＪＩＳＢ０６０１：２００１及びＪＩＳＢ０６３３：２００１で規定する輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが２０〜７０μｍの範囲、算術平均粗さＲａが８〜１５μｍの範囲で、算術平均うねりＷａが８μｍ以下である表面粗さを有する溶射膜を具備するものは、膜状物質の付着性が高く、しかも異常粒成長による粒子の脱落がないため、長時間の連続使用が可能である。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にＮｉを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が９９原子％以上のＡｌからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層は、添加元素として（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ）から選択される１種または２種以上の元素を７〜３０原子％含有し、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

【課題】 充分な耐熱性や耐食性を有した低抵抗なＡｇ合金膜と、そのＡｇ合金膜の基板に対する密着性を高いレベルで確保できる新規な積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される積層配線膜であって、０．１〜０．５原子％のＳｉおよび／またはＺｒ、０．１〜０．５原子％のＣｕを含有し、残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜と該Ａｇ合金膜を覆う被覆膜からなり、該被覆膜はＭｏあるいはＭｏを５０原子％以上含有するＭｏ系膜である積層配線膜である。 （もっと読む）

【課題】 極めて平滑で、抵抗が低く、非晶質である透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を安定的に成膜可能な酸化物焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 インジウム、タングステン、亜鉛、シリコンおよび酸素からなり、タングステンがＷ／Ｉｎ原子数比で０．００４〜０．０３４、亜鉛がＺｎ／Ｉｎ原子数比で０．００５〜０．０３２、シリコンがＳｉ／Ｉｎ原子数比で０．００７〜０．０５２の割合で含有し、かつ、ビックスバイト型構造の酸化インジウム結晶相を主相とする酸化物焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】 付着力が強く、デバイス信頼性の高い低抵抗のバリア膜をコンパクトな作業スペースで効率よく形成させることができる成膜装置および成膜製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 真空チャンバ内の基板上に薄膜を形成させる成膜装置であって、上記薄膜の構成元素を主成分とするターゲットが配置され、このターゲットをスパッタリングするためにスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入系と、上記構成元素を含む原料ガスを導入する原料ガス導入系と、この原料ガスと反応して基板上に上記薄膜を析出させる反応ガスを導入する反応ガス導入系とを備えた成膜装置及びこの成膜装置によってバリア膜を形成する薄膜製造方法によって付着力が強く、デバイス信頼性の高い低抵抗のバリア膜をコンパクトな作業スペースで効率よく形成させることができるようになった。
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【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを有する電極同士を一対として、１対以上配設し、対とする電極間に電圧を印加して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを生成し、成膜材料を活性化する成膜活性部を備えている。 （もっと読む）

チタン−銅−ニッケルベースの合金の使用を提供する。前記チタン−銅−ニッケルベースの合金は、高分子基板上に少なくとも１つの抵抗薄膜を形成することに使用される。前記合金は、５０から８０重量％のチタンと、１０から２５重量％の銅と、１０から２５重量％のニッケルと、を含み、前記薄膜の厚さは、約１００から１６０ナノメートルである。前記合金は、有利には、６９重量％のチタンと、１５．５重量％の銅と、１５．５重量％のニッケルとを含む。 （もっと読む）