【課題】安価な材料から成り、しかも光輝性、高電気抵抗、及び高電波透過性を有し、ミリ波対応型の樹脂成型品に適用可能な高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材と、前記樹脂基材の表面に形成されたＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜とを備え、前記高抵抗金属薄膜は、前記樹脂基材表面に層状に形成された酸化物層と、前記酸化物層の表面に孤立した島状に形成された金属粒子と、前記金属粒子の表面及び粒子間に形成された酸化物被膜とを備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料。金属Ａｌ領域と金属Ｍｇ領域に分割されたターゲットを用いて、パルスレーザーデポジション法により、樹脂基材表面にＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反射電子帰還電極を含むＵＲ式プラズマガンを複数有するプラズマ処理装置において、膜厚及び膜質の均一な膜を安定的に成膜できるようにする
【解決手段】少なくとも１つのＵＲ式プラズマガンの電位をフローティング電位にする。すべてのＵＲ式プラズマガンをフローティング電位にしてもよい。一つのＵＲ式プラズマガンのみを接地し、他のＵＲ式プラズマガンをフローティング電位にしてもよい。 （もっと読む）

【課題】密着性の良い被膜を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、
アーク蒸発による前記被膜の堆積工程、および
デュアルマグネトロンスパッタリングによる前記被膜の堆積工程
を含んでなり、前記堆積が順次または同時に実施される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率のイオン注入層と高抵抗率のエピタキシャル層と、これらの間の抵抗率が遷移する領域をシャープなものにするとともに、重金属不純物による汚染の問題が発生しないエピタキシャルウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、Ｎ型シリコン単結晶基板に炭素イオンのみを注入して炭素イオン注入層を形成し、その後、該炭素イオン注入層を形成した前記Ｎ型シリコン単結晶基板の表面に前記エピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層から前記炭素イオン注入層にかけて抵抗率が遷移する領域の厚さが、２μｍ以下となるようにすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の加熱を要する工程を有する製造方法によって製造された半導体装置の、歩留まりの向上を実現させる。
【解決手段】半導体ウェハ１を加熱する工程を要する半導体装置の製造方法において、主面Ｓ１に複数の素子を形成し、主面Ｓ１と反対側の裏面Ｓ２に機械的な研削を施すことで薄くした半導体ウェハ１を処理室Ｒ内に載置する工程と、半導体ウェハ１の裏面Ｓ２に金属２からなる導体膜を形成する工程と、半導体ウェハ１の主面Ｓ１に沿うように設置された赤外線遮蔽板８を、処理室Ｒに備えられた駆動部１０によって移動させ、所望の位置に設置する工程と、主面Ｓ１側からランプヒータ６によって半導体ウェハ１を加熱する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

【課題】低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含む。イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体が電気抵抗率が低くて導電性を有するＺｎＳ系透明導電性薄膜、薄膜自体が電気抵抗率が低くて導電性を有するＺｎＳ系透明導電性蛍光体薄膜、および、これらの薄膜の成膜用のスパッタリングターゲット材料を提供する。
【解決手段】(1) Ｚｎ及びＳを主成分として含有し、更にＣｕを含有するＺｎＳ系透明導電性薄膜であって、Ｚｎの含有量：４４〜６９at％、Ｃｕの含有量：４．０〜１１．０at％であることを特徴とするＺｎＳ系透明導電性薄膜、(2) Ｚｎ及びＳを主成分として含有し、さらにＣｕ及びＭｎを含有するＺｎＳ系透明導電性蛍光体薄膜であって、Ｚｎの含有量：４４〜６９at％、Ｃｕの含有量：４．０〜１１．０at％、Ｍｎの含有量：０．０５〜２．０at％であることを特徴とするＺｎＳ系透明導電性蛍光体薄膜等。 （もっと読む）

【課題】容量維持率、ハイレート特性や低温特性や信頼性に優れた非水電解質二次電池用負極とその製造方法およびそれを用いた非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】非水電解質二次電池用負極であって、少なくとも片面に凹部１２と凸部１３が形成された集電体１１と、集電体１１の凸部１３上に斜立して形成された柱状体部をｎ（ｎ≧２）段に積層した構成を有する柱状体１５と、を備え、柱状体１５の内部に、リチウムイオンの吸蔵・放出による膨張・収縮の小さい層１５５ｂを設けた構成を有する。 （もっと読む）

【課題】より安定な記憶保持が行えるメモリを実現するため、強誘電特性を示す金属酸化物層を半導体基板上に配置した金属酸化物素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の上に、中間電極層１０２と、この上に形成され、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された例えば膜厚１００ｎｍの金属酸化物層１０３と、上部電極１０４とを備え、また、半導体基板１０１の一部にオーミックコンタクト１０５を備える。例えば、金属酸化物層１０４は、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂の化学量論的組成に比較して過剰なＴｉを含む基部層の中に、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂の化学量論的組成の３ｎｍ〜１５ｎｍ程度の複数の微結晶粒から構成されている。また、金属酸化物層１０４は、３０〜１８０℃と低温条件のスパッタ法により形成されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗性メモリ素子は、トランジスタのソース２０２またはドレイン２０３上の層間絶縁膜２０６を貫通して形成されたコンタクトプラグ２０７と、コンタクトプラグ２０７に接続された下部電極２１と、下部電極２１上に遷移金属固溶体で形成された固溶層２４と、固溶層２４上に形成された遷移金属酸化物による抵抗層２２と、抵抗層２２上に形成された上部電極２３と、を備える。これにより、電圧及び抵抗特性が安定化した信頼性のあるメモリ素子を具現できる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、パーティクルの発生のすくない耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．０５−０．３７}からなる組成の２００メッシュ粉末を合成し、これを１７００℃〜１８３０℃でホットプレスすることによって、ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】 直流スパッタリング法を用いて、１０^７Ωｃｍ以上の高抵抗の酸化亜鉛系薄膜を作製するために使用できる１０^−３Ωｃｍ以下の低抵抗の酸化亜鉛系ターゲットを得る。
【解決手段】 酸化亜鉛と高抵抗な酸化亜鉛系材料に必要な添加物を混合して仮焼した後、金属亜鉛粉末を加えて混合し、金属亜鉛の融点未満の温度で焼結させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の絶縁耐圧の向上を図ることのできる絶縁膜の製造方法、反応装置、発電装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】反応物の反応を起こすマイクロリアクタ１は、金属基板である上板２及び底板３等から構成されてなり、底板３とその表面に設けられる薄膜ヒータ３２との間に絶縁膜３１として、希土類元素Ｒの結晶構造を有するＲ₂Ｏ₃膜（Ｙ₂Ｏ₃膜）が形成されている。Ｒ₂Ｏ₃膜は、底板３の表面にＲ膜を成膜した後、水素化してＲＨ₂膜を形成し、さらに酸化することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】有機EL素子などの製造工程で形成される各層における相互汚染を回避でき、しかも、フットプリントも小さく、生産性の高い成膜システムを提供する。
【解決手段】基板に成膜する成膜装置１３であって、処理容器３０の内部に、第１の層を成膜させる第１成膜機構３５と、第２の層を成膜させる第２成膜機構３６を備える。処理容器３０内を減圧させる排気口３１を設け、第１成膜機構３５を、第２成膜機構３６よりも排気口３１の近くに配置した。第１成膜機構３５は、例えば基板に第１の層を蒸着によって成膜させ、第２成膜機構３６は、例えば基板に第２の層をスパッタリングによって成膜させる。 （もっと読む）

【課題】有機EL素子などの製造工程で形成される各層における相互汚染を回避でき、しかも、フットプリントも小さく、生産性の高い成膜システムを提供する。
【解決手段】基板Ｇに成膜する成膜装置１３であって、処理容器３０の内部において、第１の層を成膜させる第１成膜機構３５と、第２の層を成膜させる第２成膜機構３６を備え、第１成膜機構３５は、処理容器３０の内部に配置された、成膜材料の蒸気を基板に供給するノズル３４と、処理容器の外部に配置された、成膜材料の蒸気を発生させる蒸気発生部４５と、蒸気発生部４５で発生させた成膜材料の蒸気をノズル３４に送る配管４６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗値が７００μΩ・ｃｍ以上であり、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内であり、１５５℃で１０００時間の高温保持における経時的抵抗変化率が０．１％以下であり、酸性人工汗液を用いた電食試験における溶解開始電圧が３Ｖ以上である薄膜抵抗器を提供する。
【解決手段】Ｔａを２０〜６０質量％、Ａｌを２〜１０質量％、および、Ｍｏを０．５〜１５質量％含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．７５〜１．１である抵抗薄膜材料からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、絶縁材料基板上に抵抗薄膜を形成し、その後、得られた抵抗薄膜を大気中、２００〜６００℃で、１〜１０時間、熱処理をすることにより、薄膜抵抗器を得る。 （もっと読む）

【課題】 抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内という抵抗温度特性、１５５℃で１０００時間の高温保持における経時的抵抗変化率が０．１％以下という高温安定性、および、酸性人工汗液（ＪＩＳ Ｌ０８４８）を用いた電食試験における溶解開始電圧が３Ｖ以上となる耐塩水性を、同時に備える薄膜抵抗器を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法により抵抗薄膜を成膜するに際して、２０質量％以上、６０質量％以下のＴａと、８質量％を超え、１５質量％以下のＡｌを含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．５〜１．２であるスパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】微少な温度変化に対して大きな抵抗値変化が得られる抵抗素子を用いて酵素反応の微少温度変化を的確に検出できる酵素反応熱検出システムを提供する。
【解決手段】酵素反応熱検出システムは、抵抗素子５１及び酵素溶液Ｆ１を収容した第１容器５２と、純水Ｆ２を収容した第２容器５３と、試料溶液Ｆ３を収容しこれを第１容器５２内に滴下可能な注入器５４と、第２容器５３内の純水Ｆ２を加熱するヒータ５５と、抵抗素子５１の抵抗値変化を電気信号（電圧）に変換・増幅し出力可能なブリッジ回路等の検出器５６とを備え、注入器５４から試料溶液Ｆ３を第１容器５２内の酵素溶液Ｆ１に注入したときの酵素反応熱を抵抗素子５１の抵抗値変化によって検出する。 （もっと読む）