フッ素系薄膜の成膜方法及び半導体装置の製造方法
【課題】低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含む。イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。
【解決手段】本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含む。イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法、特に、ＬＳＩ配線の層間絶縁膜として用いられるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ配線の信号速度の高速化が要求されているが、この信号の遅延速度は、配線抵抗Ｒと層間絶縁膜の容量Ｃとの積ＲＣに比例する。よって、信号の遅延速度を小さくするには、配線抵抗Ｒ及び層間絶縁膜の容量Ｃの少なくともいずれかを小さくすればよい。よって、より誘電率の低い層間絶縁膜の材料が要求されている。
【０００３】
従来より、ＬＳＩ配線の低誘電率の層間絶縁膜として、スピンコートで成膜される有機系のポリアリールエーテルや、ＣＶＤ法によって成膜されるＳｉＣＯＨ系材料等が検討されてきた。しかし、誘電率が２．４以下の低誘電率（ＵＬＫ）材料は少なかった。
【０００４】
また、前記ＳｉＣＯＨ系材料に空孔を導入してポーラス構造とすることにより誘電率を低下させることがなされてきたが、空孔を導入してポーラス構造とすると、機械的強度が弱くなったり、空孔に水が吸着して絶縁性が損なわれてしまい配線間リークが発生するという問題があった。
【０００５】
また、ポリテトラフルオロエチレンは、炭素とフッ素との結合における結合エネルギが大きく、バルクの比誘電率が１．９と低く、化学的にも安定であるが、可溶な溶媒がないためにコーティングには溶融法が用いられ、薄膜化乃至成型が困難であった。ここで、ビニル系ポリマーとの共重合体とすること等により溶媒への可溶化を図ることができるが、この共重合体は誘電率が高くなり、層間絶縁膜として用いることができない。
【０００６】
また、ＣＶＤ法によるフッ素系薄膜の成膜が試みられているが（特許文献１参照）、モノマーガス（ＣＦ４ガス、ＳＦ６ガス等）を原材料としているためランダムな架橋反応が起こり、また、モノマーガスとしてＣＦ４ガスを用いた場合、基板においてエッチングと堆積が競合して起こり、低誘電率且つ化学的に安定な薄膜が得られていない。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−４０７９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
該フッ素系薄膜の成膜方法では、ガス照射工程において基板上にガスが照射され、プラズマ化工程においてフッ素系樹脂がプラズマ化される。その結果、基板上で重合反応が生じ、高分子量のフッ素系樹脂を基板上に成膜することができ、もって、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
該半導体装置の製造方法では、層間絶縁膜形成工程において、基板上にガスが照射され、フッ素系樹脂がプラズマ化されることによって成膜されたフッ素系薄膜が層間絶縁膜として形成される。その結果、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができ、もって層間絶縁膜の絶縁性を維持することにより配線間リークを防止してＬＳＩ配線の信頼性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、前記従来における諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（フッ素系薄膜の成膜方法）
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
【００１５】
−ガス照射工程−
前記ガス照射工程は、基板上にガスを照射する工程である。
【００１６】
前記基板上に照射されるガスとしては、水素ガス、ハイドロカーボンガス（例えば、ＣＨ４ガス）が挙げられ、これらのガスをラジカルイオンビームとして照射する（活性種吹きかけする）ことが好ましい。前記ガスとして、水素ガス、ハイドロカーボンガス（例えば、ＣＨ４ガス）を用いると、前記基板上に成膜されるフッ素系樹脂の分子を大きくすることができる。また、これらのガスをラジカルイオンビームとして照射する（活性種吹きかけする）と、前記基板上に高分子量のフッ素系薄膜（ＣＦｘ膜）を形成することができる。
【００１７】
−プラズマ化工程−
前記プラズマ化工程は、フッ素系樹脂をプラズマ化する工程である。
【００１８】
前記フッ素系樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３）であることが好ましい。また、このポリテトラフルオロエチレンは、ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３におけるｎが５〜２００のオリゴマーであることが好ましく、ｎが９０〜１１０のオリゴマーであることがより好ましい。ｎが２００より大きいと、蒸着が困難となることがあり、ｎが５未満であると、高分子化しにくくなることがある。
【００１９】
前記フッ素系樹脂としてポリテトラフルオロエチレンのオリゴマーを用いているため、モノマーガスを原材料とするＣＶＤ法と比較してランダムな架橋が抑制され、より低い誘電率の薄膜が形成可能である。
【００２０】
−その他の工程−
前記その他の工程としては、基板とフッ素系樹脂を蒸発する蒸発源部との間に設けられたセパレータにより、前記基板を含む第１の領域と、前記蒸発源部を含む第２の領域とを分割する分割工程、前記分割された第２の領域を差動排気する差動排気工程、フッ素系樹脂とシリカ粒子とを共蒸着する共蒸着工程等が挙げられる。
【００２１】
前記分割工程において、基板とフッ素系樹脂を蒸発する蒸発源部との間に設けられたセパレータにより、前記基板を含む第１の領域と、前記蒸発源部を含む第２の領域とを分割し、前記差動排気工程において、前記第２の領域を差動排気すると、第２の領域が高真空となるように排気されるため、第１の領域におけるガスの濃度を高めると共にフッ素系樹脂の蒸発速度を安定化することができ、もってフッ素系薄膜の組成コントロールの精度を向上することができる。
【００２２】
前記共蒸着工程において、フッ素系樹脂とシリカ粒子とが共蒸着されることによって、成膜された蒸着膜の誘電率をより低くすることができる。前記シリカ粒子は空孔を有し、前記空孔にフッ素系樹脂が埋め込まれる。前記シリカ粒子は、空孔径が１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。空孔孔を１０ｎｍ以下にすることによって、シリカ粒子とフッ素系樹脂とが混合した蒸着膜を均一に形成することができる。
【００２３】
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法では、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法等によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜することが好ましい。この中でも、イオン化蒸着法に含まれるイオンクラスタビーム法がより好ましい。
【００２４】
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法によれば、基板上で重合反応が生じ、高分子量のフッ素系樹脂を基板上に成膜することができる。また、ＣＶＤ法と比較して簡便な方法で安価な装置で薄膜化可能であり、ＣＶＤ法よりも低温で成膜できる。また、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法で用いるオリゴマー材料はＣＶＤ法で用いる材料よりも安いので、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法はＣＶＤ法よりもコスト的に有利である。また、前記フッ素系樹脂をコーティング材として用いた場合、溶融成型と比較して低い温度で成型することができ、薄膜化することができる。
【００２５】
（半導体装置の製造方法）
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
【００２６】
−層間絶縁膜形成工程−
前記層間絶縁膜形成工程は、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する工程である。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、ガス照射工程において基板上にガスが照射され、プラズマ化工程においてフッ素系樹脂がプラズマ化されることによって成膜されたフッ素系薄膜が層間絶縁膜として形成される。その結果、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができ、もって層間絶縁膜の絶縁性を維持することにより配線間リークを防止してＬＳＩ配線の信頼性を向上することができる。
【００２７】
−その他の工程−
前記その他の工程としては、後述するＳｉＣＯＨ膜形成工程、パターニング工程、バリアメタル形成工程、及び配線層形成工程等が挙げられる。
【００２８】
前記層間絶縁膜形成工程及び前記その他の工程を含む半導体装置の製造方法として、ＬＳＩ配線の製造方法を以下に示す。
【００２９】
まず、図１Ａに示すように、半導体基板２上にＳｉＣＯＨ膜３をプラズマＣＶＤ法により３００ｎｍ形成し（ＳｉＣＯＨ膜形成工程）、前記形成されたＳｉＣＯＨ膜３上に本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜４を形成する（層間絶縁膜形成工程）。
【００３０】
次に、図１Ｂに示すように、前記ＳｉＣＯＨ膜３及び前記層間絶縁膜４をパターニングしてビア・ホールと配線層が設けられるトレンチ溝とを形成し（パターニング工程）、さらに、図１Ｃに示すように、前記パターニングされたＳｉＣＯＨ膜３及び層間絶縁膜４上にＴａからなるバリアメタル層５をスパッタ法により３０ｎｍ形成する（バリアメタル層形成工程）。
【００３１】
最後に、図１Ｄに示すように、前記形成されたバリアメタル層５上にＣｕからなる配線層６をメッキ法により形成し（配線層形成工程）、デュアルダマシン構造の配線を形成する。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３３】
（実施例１）
−フッ素系薄膜の成膜方法−
図２において、イオン化部及び加速電極を備えた蒸発源部２０にポリテトラフルオロエチレンのオリゴマー（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３、ｎ＝９０〜１１０）（セフラルルーブ、セントラル硝子株式会社製）を入れ、ポンプ２１により真空槽２２内を１．３３×１０−４（Ｐａ）（１×１０−６（Ｔｏｒｒ））まで減圧し、低抵抗Ｓｉ基板２３を載置台（不図示）上に設置し、前記設置された低抵抗Ｓｉ基板２３をヒータ２４によって１５０℃に加熱し、前記加熱された低抵抗Ｓｉ基板２３上にＣＨ４ガスを導入管２５から照射し（流量１５ｓｃｃｍ）、蒸発源部２０を加熱すると共にイオン化電圧１００Ｖを印加することによってポリテトラフルオロエチレンのオリゴマーをプラズマ化して、加速電圧５００Ｖで前記低抵抗Ｓｉ基板２３上に平均厚み３００ｎｍの薄膜をイオンクラスタービーム法により形成した。また、ガス照射時における真空槽２２内の圧力は５．３３×１０−３（Ｐａ）（４×１０−５（Ｔｏｒｒ））であった。なお、前記平均厚みは、分光エリプソメータ（日本分光株式会社製）にて測定した。
【００３４】
−フッ素系薄膜の評価−
前記低抵抗Ｓｉ基板２３上に形成された薄膜の誘電率を測定したところ２．２であった。なお、一般的な方法であるプラズマＣＶＤ法により、Ｃ４Ｆ８及びＣ２Ｈ２を用いて成膜したＣＦｘ膜の誘電率は２．４である（例えば、応用物理、第６５巻、第１１号、ｐｐ．１１５３−１１５７（１９９６））ので、実施例１の薄膜は、従来のＣＦｘ膜と比較して誘電率が低減されていることが分かる。
【００３５】
また、前記低抵抗Ｓｉ基板２３上に形成された薄膜のＦＴＩＲスペクトルを測定したところ図３に示されるものであった。なお、図３のＦＴＩＲスペクトルにおいてピークＡはＣＦ結合を表し、ピークＢはＣ＝ＣＦ２の非対称ストレッチを表す。
【００３６】
（実施例２）
−フッ素系薄膜の成膜方法−
図４において、まず、低抵抗Ｓｉ基板４３とフッ素系樹脂を蒸発する抵抗加熱セル（蒸発源部）４０との間にセパレータ４９を設け、前記低抵抗Ｓｉ基板４３を含む第１の領域４８Ａと、前記抵抗加熱セル（蒸発源部）４０を含む第２の領域４８Ｂとに分割する。抵抗加熱セル（蒸発源部）４０にポリテトラフルオロエチレンのオリゴマー（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３、ｎ＝９０〜１１０）（セフラルルーブ、セントラル硝子株式会社製）を入れ、第１ポンプ４１により第２の領域４８Ｂ内を１．３３×１０−４（Ｐａ）（１×１０−６（Ｔｏｒｒ））まで減圧し、第２ポンプ４７により第１の領域４８Ａ内を１．３３×１０−３（Ｐａ）（１×１０−５（Ｔｏｒｒ））まで減圧する（第２の領域４８Ｂを差動排気する）。次に、低抵抗Ｓｉ基板４３を載置台（不図示）上に設置し、前記設置された低抵抗Ｓｉ基板４３をヒータ４４によって２００℃に加熱し、前記加熱された低抵抗Ｓｉ基板４３上にＨ２ガスを導入管４５から照射した。なお、ガス照射時における第１の領域４８Ａ内の圧力は５．３３×１０−３（Ｐａ）（４×１０−５（Ｔｏｒｒ））であった。
【００３７】
さらに、前記抵抗加熱セル（蒸発源部）４０を３００℃まで加熱すると共に第１の領域４８Ａ内に導入したＲＦ電極４６に高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、ポリテトラフルオロエチレン／Ｈ２混合系のプラズマを発生させて、前記低抵抗Ｓｉ基板４３上に平均厚み３００ｎｍの薄膜を５０ｎｍ／ｍｉｎで反応性蒸着法により形成した。なお、平均厚みは、分光エリプソメータ（日本分光株式会社製）にて測定した。
【００３８】
−フッ素系薄膜の評価−
前記低抵抗Ｓｉ基板４３上に形成された薄膜の誘電率を測定したところ２．２であった。なお、一般的な方法であるプラズマＣＶＤ法により、Ｃ４Ｆ８及びＣ２Ｈ２を用いて成膜したＣＦｘ膜の誘電率は２．４である（例えば、応用物理、第６５巻、第１１号、ｐｐ．１１５３−１１５７（１９９６））ので、実施例２の薄膜は、従来のＣＦｘ膜と比較して誘電率が低減されていることが分かる。
【００３９】
（実施例３）
−フッ素系薄膜の成膜方法−
図５において、第１の抵抗加熱セル（蒸発源部）５０にポリテトラフルオロエチレンのオリゴマー（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３、ｎ＝９０〜１１０）（セフラルルーブ、セントラル硝子株式会社製）を入れ、第２の抵抗加熱セル（蒸発源部）５１に１０ｎｍ以下の空孔を有するナノシリカ粒子を入れ、ポンプ５２より真空槽５３内を１．３３×１０−４（Ｐａ）（１×１０−６（Ｔｏｒｒ））まで減圧し、低抵抗Ｓｉ基板５４を載置台（不図示）上に設置し、前記設置された低抵抗Ｓｉ基板５４をヒータ５５によって２００℃に加熱し、前記加熱された低抵抗Ｓｉ基板５４上にＨ２ラジカル・イオンビームを導入管５６から照射した。なお、ガス照射時における真空槽５３内の圧力は５．３３×１０−３（Ｐａ）（４×１０−５（Ｔｏｒｒ））であった。
【００４０】
次に、前記第１の抵抗加熱セル（蒸発源部）５０及び前記第２の抵抗加熱セル（蒸発源部）５１を加熱し、ポリテトラフルオロエチレン／シリカ／Ｈ２混合系のプラズマを発生させて、前記低抵抗Ｓｉ基板５４上に平均厚み３００ｎｍの薄膜を３０ｎｍ／ｍｉｎで共蒸着により形成した。なお、平均厚みは、分光エリプソメータ（日本分光株式会社製）にて測定した。
【００４１】
−フッ素系薄膜の評価−
前記低抵抗Ｓｉ基板５４上に形成された薄膜の誘電率を測定したところ２．１であった。ナノシリカと共蒸着することにより、実施例１及び２（誘電率２．２）よりも僅かであるが誘電率が低減された。
【００４２】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含むことを特徴とするフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記２）イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する付記１に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記３）イオン化蒸着法はイオンクラスタビーム法である付記２に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記４）基板上に照射されるガスは、水素ガス及びハイドロカーボンガスの少なくともいずれかである付記１から３のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記５）フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレンである付記１から４のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記６）ポリテトラフルオロエチレンは、ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３におけるｎが５〜２００のオリゴマーである付記５に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記７）ガス照射工程において、基板上にガスをラジカルイオンビームとして照射する付記１から６のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記８）基板とフッ素系樹脂を蒸発する蒸発源部との間に設けられたセパレータにより、前記基板を含む第１の領域と、前記蒸発源部を含む第２の領域とを分割する分割工程と、前記分割された第２の領域を差動排気する差動排気工程とをさらに含む付記１から７のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記９）フッ素系樹脂とシリカ粒子とを共蒸着する共蒸着工程をさらに含む付記１から８のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記１０）シリカ粒子は空孔を有し、前記空孔にフッ素系樹脂が埋め込まれる付記９に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記１１）シリカ粒子は、空孔径が１０ｎｍ以下である付記１０に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記１２）付記１から１１のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、ＬＳＩ配線の層間絶縁膜の形成ひいては半導体装置の製造方法への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１Ａ】図１Ａは、半導体基板上にＳｉＣＯＨ膜を形成するＳｉＣＯＨ膜形成工程及び層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程の説明図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、基板上に形成されたＳｉＣＯＨ膜及び前記層間絶縁膜をパターニングするパターニング工程の説明図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、バリアメタル層を形成するバリアメタル層形成工程の説明図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、バリアメタル層上にＣｕからなる配線層を形成する配線層形成工程の説明図である。
【図２】図２は、フッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するイオンクラスタービーム法の説明図である。
【図３】図３は、フッ素系樹脂からなる薄膜のＦＴＩＲスペクトルである。
【図４】図４は、フッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する反応性蒸着法の説明図である。
【図５】図５は、フッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する共蒸着法の説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
２ 半導体基板
３ ＳｉＣＯＨ膜
４ 層間絶縁膜
５ バリアメタル層
６ 配線層
２０ 蒸発源部
２１ ポンプ
２２ 真空槽
２３ 低抵抗Ｓｉ基板
２４ ヒータ
２５ 導入管
４０ 抵抗加熱セル（蒸発源部）
４１ 第１ポンプ
４３ 低抵抗Ｓｉ基板
４４ ヒータ
４５ 導入管
４６ ＲＦ電極
４７ 第２ポンプ
４８Ａ 第１の領域
４８Ｂ 第２の領域
４９ セパレータ
５０ 第１の抵抗加熱セル（蒸発源部）
５１ 第２の抵抗加熱セル（蒸発源部）
５２ ポンプ
５３ 真空槽
５４ 低抵抗Ｓｉ基板
５５ ヒータ
５６ 導入管
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法、特に、ＬＳＩ配線の層間絶縁膜として用いられるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ配線の信号速度の高速化が要求されているが、この信号の遅延速度は、配線抵抗Ｒと層間絶縁膜の容量Ｃとの積ＲＣに比例する。よって、信号の遅延速度を小さくするには、配線抵抗Ｒ及び層間絶縁膜の容量Ｃの少なくともいずれかを小さくすればよい。よって、より誘電率の低い層間絶縁膜の材料が要求されている。
【０００３】
従来より、ＬＳＩ配線の低誘電率の層間絶縁膜として、スピンコートで成膜される有機系のポリアリールエーテルや、ＣＶＤ法によって成膜されるＳｉＣＯＨ系材料等が検討されてきた。しかし、誘電率が２．４以下の低誘電率（ＵＬＫ）材料は少なかった。
【０００４】
また、前記ＳｉＣＯＨ系材料に空孔を導入してポーラス構造とすることにより誘電率を低下させることがなされてきたが、空孔を導入してポーラス構造とすると、機械的強度が弱くなったり、空孔に水が吸着して絶縁性が損なわれてしまい配線間リークが発生するという問題があった。
【０００５】
また、ポリテトラフルオロエチレンは、炭素とフッ素との結合における結合エネルギが大きく、バルクの比誘電率が１．９と低く、化学的にも安定であるが、可溶な溶媒がないためにコーティングには溶融法が用いられ、薄膜化乃至成型が困難であった。ここで、ビニル系ポリマーとの共重合体とすること等により溶媒への可溶化を図ることができるが、この共重合体は誘電率が高くなり、層間絶縁膜として用いることができない。
【０００６】
また、ＣＶＤ法によるフッ素系薄膜の成膜が試みられているが（特許文献１参照）、モノマーガス（ＣＦ４ガス、ＳＦ６ガス等）を原材料としているためランダムな架橋反応が起こり、また、モノマーガスとしてＣＦ４ガスを用いた場合、基板においてエッチングと堆積が競合して起こり、低誘電率且つ化学的に安定な薄膜が得られていない。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−４０７９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
該フッ素系薄膜の成膜方法では、ガス照射工程において基板上にガスが照射され、プラズマ化工程においてフッ素系樹脂がプラズマ化される。その結果、基板上で重合反応が生じ、高分子量のフッ素系樹脂を基板上に成膜することができ、もって、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
該半導体装置の製造方法では、層間絶縁膜形成工程において、基板上にガスが照射され、フッ素系樹脂がプラズマ化されることによって成膜されたフッ素系薄膜が層間絶縁膜として形成される。その結果、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができ、もって層間絶縁膜の絶縁性を維持することにより配線間リークを防止してＬＳＩ配線の信頼性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、前記従来における諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（フッ素系薄膜の成膜方法）
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
【００１５】
−ガス照射工程−
前記ガス照射工程は、基板上にガスを照射する工程である。
【００１６】
前記基板上に照射されるガスとしては、水素ガス、ハイドロカーボンガス（例えば、ＣＨ４ガス）が挙げられ、これらのガスをラジカルイオンビームとして照射する（活性種吹きかけする）ことが好ましい。前記ガスとして、水素ガス、ハイドロカーボンガス（例えば、ＣＨ４ガス）を用いると、前記基板上に成膜されるフッ素系樹脂の分子を大きくすることができる。また、これらのガスをラジカルイオンビームとして照射する（活性種吹きかけする）と、前記基板上に高分子量のフッ素系薄膜（ＣＦｘ膜）を形成することができる。
【００１７】
−プラズマ化工程−
前記プラズマ化工程は、フッ素系樹脂をプラズマ化する工程である。
【００１８】
前記フッ素系樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３）であることが好ましい。また、このポリテトラフルオロエチレンは、ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３におけるｎが５〜２００のオリゴマーであることが好ましく、ｎが９０〜１１０のオリゴマーであることがより好ましい。ｎが２００より大きいと、蒸着が困難となることがあり、ｎが５未満であると、高分子化しにくくなることがある。
【００１９】
前記フッ素系樹脂としてポリテトラフルオロエチレンのオリゴマーを用いているため、モノマーガスを原材料とするＣＶＤ法と比較してランダムな架橋が抑制され、より低い誘電率の薄膜が形成可能である。
【００２０】
−その他の工程−
前記その他の工程としては、基板とフッ素系樹脂を蒸発する蒸発源部との間に設けられたセパレータにより、前記基板を含む第１の領域と、前記蒸発源部を含む第２の領域とを分割する分割工程、前記分割された第２の領域を差動排気する差動排気工程、フッ素系樹脂とシリカ粒子とを共蒸着する共蒸着工程等が挙げられる。
【００２１】
前記分割工程において、基板とフッ素系樹脂を蒸発する蒸発源部との間に設けられたセパレータにより、前記基板を含む第１の領域と、前記蒸発源部を含む第２の領域とを分割し、前記差動排気工程において、前記第２の領域を差動排気すると、第２の領域が高真空となるように排気されるため、第１の領域におけるガスの濃度を高めると共にフッ素系樹脂の蒸発速度を安定化することができ、もってフッ素系薄膜の組成コントロールの精度を向上することができる。
【００２２】
前記共蒸着工程において、フッ素系樹脂とシリカ粒子とが共蒸着されることによって、成膜された蒸着膜の誘電率をより低くすることができる。前記シリカ粒子は空孔を有し、前記空孔にフッ素系樹脂が埋め込まれる。前記シリカ粒子は、空孔径が１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。空孔孔を１０ｎｍ以下にすることによって、シリカ粒子とフッ素系樹脂とが混合した蒸着膜を均一に形成することができる。
【００２３】
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法では、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法等によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜することが好ましい。この中でも、イオン化蒸着法に含まれるイオンクラスタビーム法がより好ましい。
【００２４】
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法によれば、基板上で重合反応が生じ、高分子量のフッ素系樹脂を基板上に成膜することができる。また、ＣＶＤ法と比較して簡便な方法で安価な装置で薄膜化可能であり、ＣＶＤ法よりも低温で成膜できる。また、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法で用いるオリゴマー材料はＣＶＤ法で用いる材料よりも安いので、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法はＣＶＤ法よりもコスト的に有利である。また、前記フッ素系樹脂をコーティング材として用いた場合、溶融成型と比較して低い温度で成型することができ、薄膜化することができる。
【００２５】
（半導体装置の製造方法）
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
【００２６】
−層間絶縁膜形成工程−
前記層間絶縁膜形成工程は、本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する工程である。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、ガス照射工程において基板上にガスが照射され、プラズマ化工程においてフッ素系樹脂がプラズマ化されることによって成膜されたフッ素系薄膜が層間絶縁膜として形成される。その結果、低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができ、もって層間絶縁膜の絶縁性を維持することにより配線間リークを防止してＬＳＩ配線の信頼性を向上することができる。
【００２７】
−その他の工程−
前記その他の工程としては、後述するＳｉＣＯＨ膜形成工程、パターニング工程、バリアメタル形成工程、及び配線層形成工程等が挙げられる。
【００２８】
前記層間絶縁膜形成工程及び前記その他の工程を含む半導体装置の製造方法として、ＬＳＩ配線の製造方法を以下に示す。
【００２９】
まず、図１Ａに示すように、半導体基板２上にＳｉＣＯＨ膜３をプラズマＣＶＤ法により３００ｎｍ形成し（ＳｉＣＯＨ膜形成工程）、前記形成されたＳｉＣＯＨ膜３上に本発明のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜４を形成する（層間絶縁膜形成工程）。
【００３０】
次に、図１Ｂに示すように、前記ＳｉＣＯＨ膜３及び前記層間絶縁膜４をパターニングしてビア・ホールと配線層が設けられるトレンチ溝とを形成し（パターニング工程）、さらに、図１Ｃに示すように、前記パターニングされたＳｉＣＯＨ膜３及び層間絶縁膜４上にＴａからなるバリアメタル層５をスパッタ法により３０ｎｍ形成する（バリアメタル層形成工程）。
【００３１】
最後に、図１Ｄに示すように、前記形成されたバリアメタル層５上にＣｕからなる配線層６をメッキ法により形成し（配線層形成工程）、デュアルダマシン構造の配線を形成する。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３３】
（実施例１）
−フッ素系薄膜の成膜方法−
図２において、イオン化部及び加速電極を備えた蒸発源部２０にポリテトラフルオロエチレンのオリゴマー（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３、ｎ＝９０〜１１０）（セフラルルーブ、セントラル硝子株式会社製）を入れ、ポンプ２１により真空槽２２内を１．３３×１０−４（Ｐａ）（１×１０−６（Ｔｏｒｒ））まで減圧し、低抵抗Ｓｉ基板２３を載置台（不図示）上に設置し、前記設置された低抵抗Ｓｉ基板２３をヒータ２４によって１５０℃に加熱し、前記加熱された低抵抗Ｓｉ基板２３上にＣＨ４ガスを導入管２５から照射し（流量１５ｓｃｃｍ）、蒸発源部２０を加熱すると共にイオン化電圧１００Ｖを印加することによってポリテトラフルオロエチレンのオリゴマーをプラズマ化して、加速電圧５００Ｖで前記低抵抗Ｓｉ基板２３上に平均厚み３００ｎｍの薄膜をイオンクラスタービーム法により形成した。また、ガス照射時における真空槽２２内の圧力は５．３３×１０−３（Ｐａ）（４×１０−５（Ｔｏｒｒ））であった。なお、前記平均厚みは、分光エリプソメータ（日本分光株式会社製）にて測定した。
【００３４】
−フッ素系薄膜の評価−
前記低抵抗Ｓｉ基板２３上に形成された薄膜の誘電率を測定したところ２．２であった。なお、一般的な方法であるプラズマＣＶＤ法により、Ｃ４Ｆ８及びＣ２Ｈ２を用いて成膜したＣＦｘ膜の誘電率は２．４である（例えば、応用物理、第６５巻、第１１号、ｐｐ．１１５３−１１５７（１９９６））ので、実施例１の薄膜は、従来のＣＦｘ膜と比較して誘電率が低減されていることが分かる。
【００３５】
また、前記低抵抗Ｓｉ基板２３上に形成された薄膜のＦＴＩＲスペクトルを測定したところ図３に示されるものであった。なお、図３のＦＴＩＲスペクトルにおいてピークＡはＣＦ結合を表し、ピークＢはＣ＝ＣＦ２の非対称ストレッチを表す。
【００３６】
（実施例２）
−フッ素系薄膜の成膜方法−
図４において、まず、低抵抗Ｓｉ基板４３とフッ素系樹脂を蒸発する抵抗加熱セル（蒸発源部）４０との間にセパレータ４９を設け、前記低抵抗Ｓｉ基板４３を含む第１の領域４８Ａと、前記抵抗加熱セル（蒸発源部）４０を含む第２の領域４８Ｂとに分割する。抵抗加熱セル（蒸発源部）４０にポリテトラフルオロエチレンのオリゴマー（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３、ｎ＝９０〜１１０）（セフラルルーブ、セントラル硝子株式会社製）を入れ、第１ポンプ４１により第２の領域４８Ｂ内を１．３３×１０−４（Ｐａ）（１×１０−６（Ｔｏｒｒ））まで減圧し、第２ポンプ４７により第１の領域４８Ａ内を１．３３×１０−３（Ｐａ）（１×１０−５（Ｔｏｒｒ））まで減圧する（第２の領域４８Ｂを差動排気する）。次に、低抵抗Ｓｉ基板４３を載置台（不図示）上に設置し、前記設置された低抵抗Ｓｉ基板４３をヒータ４４によって２００℃に加熱し、前記加熱された低抵抗Ｓｉ基板４３上にＨ２ガスを導入管４５から照射した。なお、ガス照射時における第１の領域４８Ａ内の圧力は５．３３×１０−３（Ｐａ）（４×１０−５（Ｔｏｒｒ））であった。
【００３７】
さらに、前記抵抗加熱セル（蒸発源部）４０を３００℃まで加熱すると共に第１の領域４８Ａ内に導入したＲＦ電極４６に高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、ポリテトラフルオロエチレン／Ｈ２混合系のプラズマを発生させて、前記低抵抗Ｓｉ基板４３上に平均厚み３００ｎｍの薄膜を５０ｎｍ／ｍｉｎで反応性蒸着法により形成した。なお、平均厚みは、分光エリプソメータ（日本分光株式会社製）にて測定した。
【００３８】
−フッ素系薄膜の評価−
前記低抵抗Ｓｉ基板４３上に形成された薄膜の誘電率を測定したところ２．２であった。なお、一般的な方法であるプラズマＣＶＤ法により、Ｃ４Ｆ８及びＣ２Ｈ２を用いて成膜したＣＦｘ膜の誘電率は２．４である（例えば、応用物理、第６５巻、第１１号、ｐｐ．１１５３−１１５７（１９９６））ので、実施例２の薄膜は、従来のＣＦｘ膜と比較して誘電率が低減されていることが分かる。
【００３９】
（実施例３）
−フッ素系薄膜の成膜方法−
図５において、第１の抵抗加熱セル（蒸発源部）５０にポリテトラフルオロエチレンのオリゴマー（ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３、ｎ＝９０〜１１０）（セフラルルーブ、セントラル硝子株式会社製）を入れ、第２の抵抗加熱セル（蒸発源部）５１に１０ｎｍ以下の空孔を有するナノシリカ粒子を入れ、ポンプ５２より真空槽５３内を１．３３×１０−４（Ｐａ）（１×１０−６（Ｔｏｒｒ））まで減圧し、低抵抗Ｓｉ基板５４を載置台（不図示）上に設置し、前記設置された低抵抗Ｓｉ基板５４をヒータ５５によって２００℃に加熱し、前記加熱された低抵抗Ｓｉ基板５４上にＨ２ラジカル・イオンビームを導入管５６から照射した。なお、ガス照射時における真空槽５３内の圧力は５．３３×１０−３（Ｐａ）（４×１０−５（Ｔｏｒｒ））であった。
【００４０】
次に、前記第１の抵抗加熱セル（蒸発源部）５０及び前記第２の抵抗加熱セル（蒸発源部）５１を加熱し、ポリテトラフルオロエチレン／シリカ／Ｈ２混合系のプラズマを発生させて、前記低抵抗Ｓｉ基板５４上に平均厚み３００ｎｍの薄膜を３０ｎｍ／ｍｉｎで共蒸着により形成した。なお、平均厚みは、分光エリプソメータ（日本分光株式会社製）にて測定した。
【００４１】
−フッ素系薄膜の評価−
前記低抵抗Ｓｉ基板５４上に形成された薄膜の誘電率を測定したところ２．１であった。ナノシリカと共蒸着することにより、実施例１及び２（誘電率２．２）よりも僅かであるが誘電率が低減された。
【００４２】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含むことを特徴とするフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記２）イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する付記１に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記３）イオン化蒸着法はイオンクラスタビーム法である付記２に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記４）基板上に照射されるガスは、水素ガス及びハイドロカーボンガスの少なくともいずれかである付記１から３のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記５）フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレンである付記１から４のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記６）ポリテトラフルオロエチレンは、ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３におけるｎが５〜２００のオリゴマーである付記５に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記７）ガス照射工程において、基板上にガスをラジカルイオンビームとして照射する付記１から６のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記８）基板とフッ素系樹脂を蒸発する蒸発源部との間に設けられたセパレータにより、前記基板を含む第１の領域と、前記蒸発源部を含む第２の領域とを分割する分割工程と、前記分割された第２の領域を差動排気する差動排気工程とをさらに含む付記１から７のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記９）フッ素系樹脂とシリカ粒子とを共蒸着する共蒸着工程をさらに含む付記１から８のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記１０）シリカ粒子は空孔を有し、前記空孔にフッ素系樹脂が埋め込まれる付記９に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記１１）シリカ粒子は、空孔径が１０ｎｍ以下である付記１０に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
（付記１２）付記１から１１のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、ＬＳＩ配線の層間絶縁膜の形成ひいては半導体装置の製造方法への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１Ａ】図１Ａは、半導体基板上にＳｉＣＯＨ膜を形成するＳｉＣＯＨ膜形成工程及び層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程の説明図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、基板上に形成されたＳｉＣＯＨ膜及び前記層間絶縁膜をパターニングするパターニング工程の説明図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、バリアメタル層を形成するバリアメタル層形成工程の説明図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、バリアメタル層上にＣｕからなる配線層を形成する配線層形成工程の説明図である。
【図２】図２は、フッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するイオンクラスタービーム法の説明図である。
【図３】図３は、フッ素系樹脂からなる薄膜のＦＴＩＲスペクトルである。
【図４】図４は、フッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する反応性蒸着法の説明図である。
【図５】図５は、フッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する共蒸着法の説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
２ 半導体基板
３ ＳｉＣＯＨ膜
４ 層間絶縁膜
５ バリアメタル層
６ 配線層
２０ 蒸発源部
２１ ポンプ
２２ 真空槽
２３ 低抵抗Ｓｉ基板
２４ ヒータ
２５ 導入管
４０ 抵抗加熱セル（蒸発源部）
４１ 第１ポンプ
４３ 低抵抗Ｓｉ基板
４４ ヒータ
４５ 導入管
４６ ＲＦ電極
４７ 第２ポンプ
４８Ａ 第１の領域
４８Ｂ 第２の領域
４９ セパレータ
５０ 第１の抵抗加熱セル（蒸発源部）
５１ 第２の抵抗加熱セル（蒸発源部）
５２ ポンプ
５３ 真空槽
５４ 低抵抗Ｓｉ基板
５５ ヒータ
５６ 導入管
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含むことを特徴とするフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項２】
イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する請求項１に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項３】
基板上に照射されるガスは、水素ガス及びハイドロカーボンガスの少なくともいずれかである請求項１から２のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項４】
フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレンである請求項１から３のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項５】
ポリテトラフルオロエチレンは、ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３におけるｎが５〜２００のオリゴマーである請求項４に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含むことを特徴とするフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項２】
イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する請求項１に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項３】
基板上に照射されるガスは、水素ガス及びハイドロカーボンガスの少なくともいずれかである請求項１から２のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項４】
フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレンである請求項１から３のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項５】
ポリテトラフルオロエチレンは、ＣＦ３−（Ｃ２Ｆ２）ｎ−ＣＦ３におけるｎが５〜２００のオリゴマーである請求項４に記載のフッ素系薄膜の成膜方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のフッ素系薄膜の成膜方法を用いて層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２４４０４０（Ｐ２００８−２４４０４０Ａ）
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８０８１４（Ｐ２００７−８０８１４）
【出願日】平成１９年３月２７日（２００７．３．２７）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２７日（２００７．３．２７）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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