【課題】配線溝等の凹部が形成された基板に電解めっき銅膜を形成した後、熱処理による銅の再結晶や歪みの緩和等の効果が大きく、歪により、銅、下地のバリア膜、Ｌｏｗ−ｋ材等の絶縁材の相互間に剥離が生じないめっき膜形成方法を提供すること。
【解決手段】配線溝等の凹部が形成された基板にめっき工程によりめっき膜を形成するめっき膜形成方法であって、前記めっき工程に先んじて、前記基板の最表面をめっき抑制剤で覆うめっき抑制剤付着工程を行うことを特徴とする。このように基板の最表面をめっき抑制剤で覆う処理をめっきの前処理として基板に対して行なうことによって、基板に形成された配線用溝（トレンチ）やビアホール等の凹部内面に選択的にめっきが行なわれるため、適切な時点でめっきを終了した場合には基板全体に渡って平坦性を得ることができる。 （もっと読む）

Ｒａ_１−ｘＡ_ｘＢＯ_３−ａ（Ｒａ：Ｙ，Ｓｃ及びランタノイドからなる希土類元素、Ａ：Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ｓｒ、Ｂ：Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ等の遷移金属元素、０＜ｘ≦０．５）の化学式で表されるペロブスカイト型酸化物であって、相対密度が９５％以上、純度が３Ｎ以上であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。ペロブスカイト型酸化物系セラミックス材料からなるターゲットの密度を向上させ、強度を上げてターゲットの製造工程、搬送工程あるいはスパッタ操作中の割れやクラックの発生を防止し、歩留りを向上させる。また、成膜中のパーティクルの発生を抑制して、品質を向上させ不良品の発生を減少させることを課題とする。 （もっと読む）

本明細書には、ルテニウムおよび元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはこれらの組合せが含まれる、蒸着法または原子層堆積法において用いるための合金が記載される。また、本明細書には、ルテニウム系材料またはルテニウム系合金を含む少なくとも１つの層、および元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはそれらの組合せを含む少なくとも１つの層が含まれる積層材料が記載される。
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本発明はスパッタリング表面を含むスパッタリング構成部材を含む。そのスパッタリング表面の少なくとも99原子%が元素形態の２つ以上の元素の固溶体に対応する単一相からなる。加えて、そのスパッタリング構成部材の全容積が元素形態の２つ以上の元素の固溶体に対応する単一相からなることができる。本発明は、還元工程、電気分解工程およびヨウ化物工程の１つ以上を使用して混合金属材料を形成する方法を包含する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴディスプレー被覆用のＡｌ及びＡｌ合金系の一体構造の管状スパッタターゲットを製造することができる工業的にかつ経済的に魅力的な方法を開発すること
【解決手段】スパッタプロセスにおいて利用可能な管状領域に合わせ目又は継ぎ目がないターゲット材料を有する、特にＴＦＴディスプレーを製造するための管状スパッタターゲットにおいて、前記ターゲット材料がＡｌ又はアルミニウム合金からなることを特徴とする管状スパッタターゲット （もっと読む）

【課題】 基板の変形を極力抑えることができる金属膜又は金属酸化膜の成膜方法、すなわち基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 金属膜又は金属酸化膜を備えた基板の製造方法であって、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させてから、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板の温度を低下させることを繰り返して、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を厚膜化させること特徴とする、基板の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌを主成分とする主導体層をより低抵抗に維持すると同時に、一括のウェットエッチングでパターニングでき、主導体層の耐熱性、特にヒロック耐性が確保される新規の薄膜配線層を提供する。
【解決手段】 基板上にＮｉを主成分とする面心立方格子構造を有する下地層を、該下地層上に主成分が９９原子％以上のＡｌからなる主導体層を形成した薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である薄膜配線層である。また、前記Ｎｉを主成分とする下地層は、添加元素として（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ）から選択される１種または２種以上の元素を７〜３０原子％含有し、残部が不可避的不純物およびＮｉからなる薄膜配線層である。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表裏に電極膜を形成する場合、マスキングに用いるマスクは共用して使うために表裏に形成する電極膜の形状が同じになるため、被加工物の表裏の区別ができない。センサ素子を圧電材料として用いる場合は特性の維持と安定を図る必要がある電極膜の形成が必要となる。
【解決手段】該被加工物の一方の主面には少なくとも一箇所の橋梁部である帯を有する第１のマスクを用い、該被加工物の他方の主面（裏面）には前記第１のマスクより橋梁部の数量の多い帯を持った第２のマスクにより略環状電極膜を形成する。また、環状の被加工物の表裏主面に該被加工物と同心の環状電極膜を形成したセンサ素子において、該被加工物の一方の主面には少なくとも一箇所の帯の橋梁部と、該被加工物の他方の主面（裏面）には前記一方の主面より数の多い帯橋梁部の略環状電極膜を形成することでセンサ素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】高い耐湿性を得ることのできる金属化フィルム、コンデンサ用フィルムおよびそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】第一の形態として、高分子フィルムの少なくとも片面に金属層を蒸着してなる金属蒸着フィルムであって、該金属化フィルムの少なくとも一方の面上に炭素を含む保護層が形成されており、該保護層の少なくとも一方の保護層表面のＥＳＣＡによるＣ１ｓピークによる炭素の化学状態が、炭素全体を１としたピーク比においてＣＨｘのピーク比が０．８０以下である蒸着フィルム。保護層の少なくとも一方の保護層表面の表面エネルギーの分散力成分が３８ｍＮ／ｍ以下であり、金属層の少なくとも一方の金属層面の表面エネルギーの分散力成分が２７ｍＮ／ｍ以下である。 （もっと読む）

基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。
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置換パラシクロファンは、プロセス中の電子デバイスなどの蒸着用基板に架橋可能なポリマーを形成する前駆体として特に有用である。アルキニルなどの架橋可能な置換基を含むパラシクロファン前駆体のフェニル連鎖を分解し、分解した前駆体に基板を接触させる。その結果、基板上に有機ポリマーが形成される。架橋可能な置換基の熱誘導反応などの反応を介してこのポリマーを架橋することによって、熱的に安定した架橋したポリマーを生成する。このような架橋したポリマーの蒸着は、集積回路の製造におけるダマシン法で用いられる超低ｋ誘電材料の封止に特に有用である。また、このポリマーはウエハとウエハを結合する際の接着剤としても有利である。さらに、このポリマーは電子デバイスのバックエンドオブザライン処理において、窒化シリコンおよび炭化シリコンに代わるハードマスクとしても有用である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗシリサイド，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＷシリサイドから成るコンタクトバリアー層又はゲート電極層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１６個／ｃｍ^３以下、Ｗ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個／ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個／ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｗシリサイド材である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために、Ｔｉ窒化物から成る膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴｉ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下に形成するためにＴｉ原料からエレクトロンビ−ム溶解法でＡｌを３ｐｐｍ以下に除去することを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】ソース−ドレイン領域の接合深さが０．１〜０．３μｍである半導体素子のＴａ窒化物から成るコンタクトバリアー層のＡｌ含有量を原子数で１×１０^１７個／ｃｍ^３以下、Ｔａ以外の重金属元素の含有量が１×１０^１７個/ｃｍ^３以下およびアルカリ金属の含有量が３×１０^１６個/ｃｍ^３以下に形成することが可能であり、Ａｌ濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔａ材である。 （もっと読む）

【課題】 スプラッシュによる故障を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法の提供。
【解決手段】 蒸発源容器から原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成する真空蒸着方法において、原料を該蒸発源容器に入れる前に、前記蒸発源容器を洗浄手段を用いて洗浄液で洗浄し、乾燥した後に前記蒸発源容器に該原料を入れ、前記蒸発源容器を加熱し原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成することを特徴とする真空蒸着方法。 （もっと読む）

【課題】導電薄膜及びその保護層用の合金ターゲット材料及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明は導電薄膜及びその保護層用の合金ターゲット材料に関するもので、少なくとも銅（Cu）、ニッケル（Ni）、亜鉛（Zn）を含み、それぞれの含有量を銅（Cu）50〜80重量百分率、ニッケル（Ni）5〜20重量百分率、亜鉛（Zn）15〜30重量百分率とし、合金ターゲット材料の総重量百分率は100％とするものである。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板の場合でも、必要な成膜速度を維持してボトムカバレッジ率を向上させることができるようにする。
【解決手段】 カソード２を構成する磁石機構４は、ターゲット５の表面のある場所から出てターゲット５の表面の他の場所に入る漏洩磁力線をターゲット５の表面上に周状に連ねて周状磁界を複数設定する、これによって磁石機構４の静止時には周状となるエロージョン領域５０が交差せずに複数形成される。エロージョン領域５０のうちのエロージョン最深部から最も大きな入射角でスパッタ粒子が基板３０に入射する箇所のその入射角は、一つのエロージョン領域の場合に比べて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 製造時及び使用時に生じる反り（変形）が小さく、ターゲットを精度良くかつ効率的に製造することができ、また安定した成膜操業を行うことのできるＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｎｉ及び希土類元素を含むＡｌ基合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲット平面に垂直な断面を倍率：２０００倍以上で観察したときに、アスペクト比が２．５以上で円相当直径が０．２μｍ以上の化合物が、５．０×１０⁴個／ｍｍ²以上存在していることを特徴とするＡｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】純度９９．９９９９重量％以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。
【解決手段】ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅からスパッタリングターゲットを作成して、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で４５０゜Ｃ未満の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが２μｍ以上にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を６倍以上、厚さと長さの比を２．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度の面内均一性を確保しつつ、迅速に半導体基板を昇温することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、半導体基板１を載置するステージ１０と、ステージ１０の複数のエリア１０ａ，１０ｂそれぞれを加熱する複数のヒーター１１ａ，１１ｂと、複数のヒーター１１ａ，１１ｂそれぞれを他のヒーターから独立して制御する制御部４０と、ステージ１０に対向する位置に配置されたスパッタリングターゲット２０とを具備する。 （もっと読む）