半導体処理チャンバ用の処理キットを提供する。一実施形態において、処理キットはノッチ付き堆積リングを含む。別の実施形態において、処理キットはノッチ付き堆積リングと係合するように構成されたカバーリングを含む。別の実施形態において、処理キットは内壁部、外壁部、上方壁部及び底壁部を有する環状堆積リング本体部を含む。上方壁部と内壁部との間の本体部の上方面には溝部が掘られている。凹状面が、底壁部と内壁部との間の本体部の下方面に形成されている。ノッチは本体部から内方向に向かって延び、処理中の基板のノッチを通りぬける堆積材料を捕獲する。

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インゴットを所望寸法に変形させる工程を含む、金属物品およびスパッタリングターゲットを製造する方法。この方法により製造された製造物。
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【課題】熱処理後でもヒロックなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、さらに、透明導電膜との直接積層が可能な配線材料を提供するとともに、該配線材料からなる配線を具備した大型・高精細の生産性に優れた液晶ディスプレイパネル、及び、本配線を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】配線の少なくともひとつが、添加元素として希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜１原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金薄膜からなり、かつ、透明導電膜と直接積層した配線構造を有する液晶ディスプレイパネルとする。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が低く、透明導電膜との直接積層が可能な配線材料からなる配線を具備した大型・高精細の生産性に優れた平面表示パネル、及び、前記配線を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】配線の少なくともひとつが、スパッタリングにより形成されたＣｕ薄膜からなり、かつ、ＩＴＯ膜やＺｎＯ膜、又は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｖ、Ｇａ、Ｂ、Ｙ、Ｔｉ、Ｓｃから選ばれる１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有したＺｎＯ膜からなる透明導電膜等と直接積層した配線構造を有する平面表示パネルとすることにより、バリア層の形成を不要として、その生産性を格段に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のホールの内面に十分な被覆性でコンタクト膜バリア膜のような異種薄膜を真空中で作成できるようにする。
【解決手段】 コンタクト膜を作成するスパッタチャンバー２とコンタクト膜の上にバリア膜を作成するＣＶＤチャンバー３とがセパレーションチャンバー１を介して気密に接続されており、セパレーションチャンバー２には基板９を真空中で搬送する搬送機構１１と、内部に不活性ガスを導入する不活性ガス導入系１２と、セパレーションチャンバー１内の圧力がＣＶＤチャンバー３の圧力より高くＣＶＤチャンバー３の残留ガスが所定のレベル以下になったのを確認したのを確認した後にゲートバルブ３１を開ける制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電極に耐腐食性を付与すると共に、発光効率や耐久性が向上した有機ＥＬ素子を提供すること。
【解決手段】陽極と陰極との間に有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、両電極のどちらか一方が、Ａｌ合金層の単層体またはＡｌ合金層とバッファー層との多層体からなり、該有機層が燐光発光性化合物を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ層と絶縁膜の界面に自己形成反応により、Ｍｎを含む拡散バリア膜を形成する際に、Ｃｕ層中に残留したＭｎの濃度を低減し、比抵抗を低減する。
【解決手段】拡散バリア膜を形成する自己形成反応の際に、Ｃｕ層表面を、Ｍｎと反応して気相反応生成物を形成する雰囲気に曝露する。 （もっと読む）

【課題】メッキ処理を用いることなくプラズマスパッタだけで微細な凹部を金属によりボイドを発生させることなく埋め込むことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を載置台３４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで凹部４を埋め込むようにした成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の金属ターゲットに対する対向面に関して、金属粒子による成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して凹部内に金属膜を形成する成膜工程と、金属粒子の供給を停止した状態で被処理体を金属膜の表面拡散が生ずる所定の温度範囲に加熱維持することにより金属膜の原子を凹部の底部に向けて移動させる拡散工程とを交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

無電解堆積の触媒作用にイオン注入による表面改質を用いて金属膜を堆積する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、金属膜を堆積する方法として実現されうる。当該方法は、基板と、基板上の誘電体層と、誘電体層上のレジスト層とを含み、誘電体層及びレジスト層は１以上の開口を有する構造上に、触媒材料を堆積することを含みうる。当該方法は更に、レジスト層を剥離することを含む。当該方法は更に、１以上の開口を充填すべく構造の１以上の開口内の触媒材料上に金属膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】オーバハング部分を生ぜしめることなくシード膜を形成することができるシード膜の成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台３４上に載置した表面に凹部４を有する被処理体へバイアス電力により引き込んで凹部内を含む被処理体の表面に金属膜を形成することによりメッキ用のシード膜を形成するようにしたシード膜の成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の表面に一旦形成された金属膜がスパッタされないような大きさに設定して金属膜を形成する成膜工程と、金属イオンを発生させないで金属膜の形成を休止する休止工程とを、交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。
【解決手段】 排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。ターゲット２と基板ホルダー５との間には円筒状のシールド６が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段８がイオン化したスパッタ粒子をプラズマＰ中から引き出して基板５０に入射させるための電界を設定する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）

【課題】 同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができ、多機能化により小型で且つ低コストな巻取式複合真空表面処理装置を提供する。
【解決手段】 真空容器１０内で回転するキャンロール１２に沿って移動するフィルム１３に表面処理を施す装置であって、処理ゾーンをフィルム巻取巻出ロール１２ａ、１２ｂから分離する一対の第１遮蔽板１７と、処理ゾーン内を少なくとも２つの表面処理手段を含む複数の処理室Ａ、Ｂ、Ｃに区画する第２遮蔽板１８と、処理室Ａ、Ｂ、Ｃ毎に移動可能に配置されて１つの表面処理手段に対向するフィルム表面処理位置以外を覆うマスク板１９とを備え、マスク板１９を移動させることにより、処理室Ａ、Ｂ、Ｃ毎にフィルム処理位置に対向する表面処理手段を選ぶことができる。 （もっと読む）

物質のパターンを基板上に蒸着するための装置が往復運動する開口マスクを含んでいる。供給マガジンは複数のジグを収容しており、各ジグは、パターンを画定する開口を有するマスクを支持するように構成される。シャトル機構は、供給マガジンによって提供される選択されたジグを受容し、選択されたジグのマスクと基板との間の接触を確立する。シャトル機構は、蒸着物質が選択されたジグの、マスクの開口を通過して蒸着物質のパターンを基板上に作製するように、選択されたジグを基板と一致させて、及び蒸着源に対して移動させる。
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【課題】フラッシュメモリ素子の製造方法に関するものであり、タングステンシリサイド膜の抵抗を減少させながらタングステンシリサイド膜とポリシリコン膜との界面特性を向上させること、タングステンシリサイド膜内のフッ素による誘電体膜の劣化を防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の上部にトンネル酸化膜１２及び第１ポリシリコン膜１３を形成した後、パターニングする段階と、全体構造の上部に誘電体膜１４、第２ポリシリコン膜１５及びタングステンシリサイド膜１６を形成する段階と、酸化工程を実施して上記タングステンシリサイド膜１６内の剰余シリコンを上記タングステンシリサイド膜１６の上部の表面に移動させた後、酸化させて酸化膜１７を形成する段階と、上記酸化膜１７を除去する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理のサイクルタイムを減じる装置と方法を提供すること。
【解決手段】本基板処理装置１は、送り込み領域６と、コーティング処理用の第１〜４のプロセスチャンバ２、３、４、８と、取り出し領域７とを備える。これらのチャンバは中央搬送チャンバ５に接続される。第１と第４のチャンバ２、８はそれぞれロック領域６、７の一方と中央搬送チャンバ５との間に直列に配列される。第２と第３のチャンバ３、４は、互いに独立してアクセスされることが可能なように中央搬送チャンバに並列接続される。本処理方法によれば、ａ）基板を装置内に送み、ｂ）基板を第１のチャンバ内に搬送し、第１の処理ステージを実行し、ｃ）基板を中央搬送チャンバに搬送し、ｄ）基板を、代替的に第２又は第３のチャンバに搬送し、第２の処理ステージを実行し、ｅ）基板を中央搬送チャンバに搬送し、ｇ）基板を装置から取り出す。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で、平坦性が優れて＜１１１＞方向に配向した白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（化学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の配線溝に形成した配線膜の膜特性を改善可能なシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】シートプラズマ成膜装置１００は、ソースプラズマ２２を輸送方向に向けて放出可能なプラズマガン４０と、輸送方向に延びた輸送空間２１を有するシートプラズマ変形室２０と、互いに同極同士を向き合わせ、輸送空間を挟むように配置される第１の磁界発生手段の対２４Ａ、２４Ｂと、輸送空間に連通した成膜空間３１を有する成膜室３０と、互いに異極同士を向き合わせ、成膜空間を挟むように配置される第２の磁界発生手段の対３２、３３と、を備え、ソースプラズマ２２は輸送空間を移動する間に第１の磁界発生手段の対２４Ａ、２４Ｂの磁界により中心を含む主面Ｓに沿ってシート状に拡げ、シート状のプラズマ２７が成膜空間３１を移動する間に第２の磁界発生手段の対３２、３３の磁界により主面Ｓから凸状に偏倚する装置である。 （もっと読む）

【課題】金属膜の応力に起因したガラス基板の反りを緩和できるスパッタリング装置を提
供する。
【解決手段】基板上に、スパッタリング用ターゲットを用いて金属膜を形成するためのス
パッタリング装置において、バッファ部と、当該バッファ部の周囲に配置され、スパッタ
リングを行うためのスパッタリング処理部と、バッファ部の周囲に配置され、スパッタリ
ング処理部において金属膜が形成された基板を加熱処理することにより金属膜の応力を緩
和するための加熱処理部と、バッファ部を介して、スパッタリング処理部又は加熱処理部
へ基板を移送するための移送手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内の容積を大きくすることなく、真空チャンバ内の複数の蒸発源のいずれかを遮蔽手段によって適宜遮蔽できるようにした成膜装置を提供する。
【解決手段】 処理基板に対向させて少なくとも３個の蒸発源４ａ〜４ｄを設け、いずれかの蒸発源からの蒸発粒子の他の蒸発源への再付着を防止するように蒸発源を遮る遮蔽手段５を設ける。各蒸発源を同一円周上に配置し、この円周の中心を回転中心とする１個の回転軸６１と、この回転軸に同心に配置され各蒸発源の数より少ない本数でかつ真空チャンバ内への突出長さを回転軸より段階的に短くした中空回転軸６２〜６６とを設け、回転軸、中空回転軸に遮蔽手段をそれぞれ連結すると共に、蒸発源を開放する開放位置と蒸発源を遮る遮蔽位置との間で回転軸、中空回転軸を介して遮蔽手段を移動させる駆動手段９を設ける。 （もっと読む）