【課題】半導体ウェーハの特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。
【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの開口を有し、かつ、絶縁性材料からなるマスク基材の一方の面に接着性層を有し、他方の面に一層以上の絶縁性層または金属層を、該基材と剥離可能に有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、半導体ウェーハ上の蒸着用マスク最表面にマスク基材表面を露出させた後、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜の際に、スプラッシュやパ−ティクルの発生を格段に低減させるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを１０〜７０原子％含有し残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材において、スパッタ面の断面ミクロ組織がＭｏ相およびＴｉ相とその相間にＭｏＴｉ固溶体相が存在する金属組織からなり、前記Ｔｉ相を構成するα-Ｔｉの主ピーク強度面（１０１）のＸ線回折ピーク強度をα（１０１）、β-Ｔｉの主ピーク強度面（１１０）のＸ線回折ピーク強度をβ（１１０）とした時、Ｘ線回折ピーク強度比β（１１０）／α（１０１）が１０．０以上であるＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部のスルーホールやトレンチ内における被覆性を向上できるマグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ３に接続された高周波電源８と、スパッタ室２の外側であって、ターゲットの中心軸Ｃ１と同軸のプレート９と、中心軸を中心Ｃにプレートを回転させる回転移動手段と、プレートの一面においてＳ極端をターゲットに向けたＳ極マグネット１０Ｓと、プレートの一面においてＮ極端をターゲットに向けた第１及び第２のＮ極マグネット１０Ｎと、を備え、第１のＮ極マグネットと第２のＮ極マグネットとの磁束密度がＳ極マグネットの磁束密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】成膜時のウエハの周辺部での非対称性の発生を抑制する。
【解決手段】処理室３を形成するチャンバー２の上部にバッキングプレート６が配置されその下面側にターゲットプレート８が取り付けられ、上部側にマグネトロン磁石９が配設される。処理室３の下部にはウエハを載置するサセプタ４が配設される。サセプタ４は高周波電源５から高周波電圧が印加される。バッキングプレート６は直流電源７から負電圧が印加される。チャンバー２外側の周囲に多数の磁石１０ａを放射状に配置して円弧状に配列して構成した回転磁石１０が配置される。回転磁石１０は、マグネトロン磁石９と同期して回転し、上下動も可能に構成され、処理室３内にカスプ磁場を形成し、ターゲットプレート８からチャンバー２の側壁に飛散する粒子の軌道をウエハ側に曲げるので、ウエハの周辺部での成膜の非対称性を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属の合金膜を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、前記銅膜の酸化を抑え、配線抵抗の上昇を抑える技術を提供すること。
【解決手段】銅に添加金属を添加した合金膜を、基板表面の層間絶縁膜における凹部の壁面に沿って形成する工程と、次いで、前記添加金属と層間絶縁膜の構成元素との化合物からなるバリア層を形成すると共に余剰の添加金属を合金膜の表面に析出させるために、有機酸、有機酸無水物またはケトン類を含む雰囲気で基板を加熱する工程と、凹部に銅を埋め込む工程と、を含むように半導体装置の製造方法を実施する。有機酸、有機酸無水物及びケトン類は銅に対して還元性を持つため、合金膜に含まれる銅の酸化を抑えつつ、添加金属と絶縁膜中の構成元素との化合物からなるバリア層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】１個の処理容器内でスパッタによって厚さ方向に濃度勾配を有するように添加金属を含んだ合金層を被処理体上に容易に形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】添加金属と主金属とを含む合金からなる金属ターゲットを備えた処理容器内にプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスに電力を供給してプラズマ化し、そのプラズマによりスパッタされた金属ターゲット粒子により第１の合金膜を被処理体に成膜する第１の成膜工程と、処理容器内の圧力及び前記電力の少なくとも一つを異ならせてプラズマを発生させ、スパッタされた前記金属ターゲットの粒子により、添加金属の濃度が第１の合金膜の添加金属の濃度とは異なる第２の合金膜を第１の合金膜に積層する第２の成膜工程と、を含むようにスパッタ成膜を行い、主金属に対する添加金属の濃度が厚さ方向に異なる膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性に優れた銅シード層の製造方法を提供する。
【解決手段】同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。これにより、特に銅の電気めっきの前に、狭いビア内に銅シード層を形成するのに有用な銅堆積プロセスとなる。該堆積は、高い銅イオン化割合及び銅イオンを該ビア内に引き付ける強力なウェーハバイアスを促進する条件下で実行される。該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。堆積／エッチングの２つ以上のサイクルを実行することができる。最後の瞬時堆積１６８は、高い銅イオン化及び低いウェーハバイアスで実行することができる。 （もっと読む）

【課題】処理効率が高く、高品質の半導体装置が製造できる処理装置及び移載装置を提供する。
【解決手段】複数の被処理基体を収容する基体容器を載置する基体容器載置台と、前記基体容器載置台に隣設され、内部を所定の気圧に維持し得る移載室と、前記移載室の周囲に複数配設され、被処理基体を処理する処理ユニットと、前記移載室内に配設され、被処理基体を移載する複数の移載アームとを具備し、複数の前記移載アームは、伸縮および旋回が可能であり、かつ、前記移載アーム同士で前記被処理基体の受け渡しを行う少なくとも一方の前記移載アームは、前記伸縮の方向線に対して非対称の形状の被処理基体支持部材を有することを特徴とする処理装置。 （もっと読む）

【課題】 有機高分子フィルム基材上に、ＺｎＯ系薄膜を形成した透明導電フィルムであって、ＺｎＯ系薄膜の膜厚が薄くなった場合（特に膜厚が１５０ｎｍ程度以下の場合）にも、低抵抗値であり、かつ湿熱環境下においても抵抗値の変化率が小さい、透明導電フィルムを提供すること。
【解決手段】 有機高分子フィルム基材上に、Ａｌ_２０_３薄膜が形成されており、その上にＡｌをドープしたＺｎＯであるＡＺＯ薄膜が形成されていることを特徴とする透明導電フィルム。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜を得るためのチタンシリサイドスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。 （もっと読む）

【課題】接続ホールを埋め込むＡｌＣｕプラグと層間絶縁膜上に形成するＡｌＣｕ配線とを同時に堆積形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接続ホール１７内と層間絶縁膜１６の表面とに、同時にＡｌＣｕを堆積してＡｌＣｕ膜２０を形成する。ＡｌＣｕ膜２０の表面をＣＭＰで研磨して、その上にＴｉＮ反射防止膜２１を形成する。平坦な表面を有するＴｉＮ反射防止膜２１を形成することで、ＡｌＣｕ膜２０を含む積層配線のパターニングに際して、ハレーションを防止し、また、ウェットエッチングに際してエッチング液の浸透を防止する。 （もっと読む）

【課題】
接着剤を用いないメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムにおいて、ポリイミドフィルムと該ポリイミドフィルム上の導電性金属層との界面における密着耐久性、即ち常態密着力、耐熱密着力および高温高湿密着力に優れたメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】
ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。
（もっと読む）

【課題】本発明の目的は、配線溝や層間接続路表面に形成されたＴａＮからなるバリア層との密着性が良好なＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。本発明の他の目的は、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝や層間接続路の幅が狭く、深い場合でも、バリア層との密着性が良好で、配線溝や層間接続路の隅々に亘って埋め込まれているＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線を、（１）配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、（２）Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｆｅ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｒｕ、ＲｅおよびＯｓよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部とで構成すればよい。 （もっと読む）

【課題】電子銃を用いて蒸着を行う際に使用される蒸着ルツボ用のリングおよびそれを備えた蒸着ルツボを提供する。
【解決手段】蒸着ルツボの開口部に設けられる蒸着ルツボ用リングであって、
上記蒸着ルツボの開口部に着脱可能に取り付けられ、且つ、蒸着ソース材の一部が付着可能なるごとくに設けられており、前記蒸着ルツボ用リングを前記蒸着ルツボの開口部の形状に即した形状とし、また、蒸着ソース材の融点Ｔｓより高い融点Ｔｒを有する材料で構成し、且つ、蒸着ルツボ内における前記蒸着ルツボ用リングの下端部の蒸着ルツボの底からの位置Ｈｒを該蒸着ルツボの深さＨｃの８０％以下としたことを特徴とする蒸着ルツボ用リングおよびそれを備えた蒸着ルツボ。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。
【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一、第二の添加金属を含有しており、本発明により成膜された導電膜２５はＣｕを主成分とし、第一、第二の添加金属を含有する。このような導電膜２５はシリコン層２３との密着性が高い上、シリコン層２３へ銅が拡散せず、しかもＩＴＯのような透明導電膜に対するコンタクト抵抗も低いので、ＩＴＯとシリコン層とが形成されたＴＦＴ付パネルの配線膜や電極のバリア膜として特に適している。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。
【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一の添加金属であるＺｒが添加されており、このターゲットをスパッタリングして得られる第一の導電膜はＣｕを主成分とし、Ｚｒを含有する。このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。ターゲット１１に更に、Ｍｎと、Ｚｎと、Ｓｎ等の第二の添加金属を添加すればシリコン、ガラス、ＩＴＯに対する密着性がより高くなる。 （もっと読む）

【課題】成膜時のカバレッジの非対称性の抑制効果と、基板上の素子へのダメージ抑制とを両立させたマグネトロン型スパッタリング装置を提供する
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に互いに対向して配置されたターゲットおよび基板ホルダと、基板ホルダと反対の前記ターゲット側に配置されるマグネトロンと、前記マグネトロンを前記ターゲット面に対して垂直な軸で回転させるための回転機構とを備え、前記マグネトロンは、互いに極性が異なり、等しい幅を持つ大小２つの扇枠状磁石を内外に２重に配置した構造を有すると共に、内側扇枠状磁石と外側扇枠状磁石の基部の間に回転中心を有し、前記内外の扇枠状磁石の円弧部で互いに対向するギャップは、基板ホルダと対向するターゲット面で発生する水平磁場が５００ガウス以上になる最小の距離に設定され、かつ前記内外の扇枠状磁石の直線部で互いに対向するギャップは、円弧部で互いに対向するギャップ以上の距離に設定されることを特徴とする。 （もっと読む）