【要 約】
【課題】比抵抗の小さい銅薄膜を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。基板１５表面に形成された銅薄膜を大気中に放置しておくと、比抵抗が低下し、バルク銅の値に近づく。導入する大気の分圧は、１．３３×１０^-4Ｐａ以下の圧力にすると効果的である。分圧値を小さくするためには、間欠的に導入するとよい。 （もっと読む）

【課題】ヒロックと共にエッチング残渣の発生を防止し得る低抵抗Ａｌ配線膜を再現性よく成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも１種の金属間化合物形成元素を０．１〜２０質量％と、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも１種の元素を５質量％以下（ただし０質量％を含まず）とを含有し、残部が実質的にＡｌからなる。このようなスパッタリングターゲットは、金属間化合物形成元素を含むＡｌ合金原料の溶湯をＡｒガスまたはＫｒガスでバブリングしたり、あるいはＡｌ合金原料の粉末をＡｒまたはＫｒを含む雰囲気中で焼結することにより作製される。 （もっと読む）

半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、絶縁膜と埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、バリアメタル層は、相対的にバリア性が高くなる非晶質度を有する非晶質構造を一部に含んでいる。
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【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ合金膜を導電性酸化膜に対し直接且つ確実に接触することだけでなく、Ａｌ合金膜に対し、比較的低い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗率を低減でき、且つ導電性酸化膜と直接接触したときの接触電気抵抗も低減でき、更には優れた耐熱性と耐食性を達成することのできる技術を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金膜の上に導電性酸化膜が直接接触する構成を備えた表示装置において、該Ａｌ合金膜が、Ｎｉを０．０５〜２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５〜１．０原子％含有するように調整する。 （もっと読む）

【課題】本願は効率的にターゲットを消費することでターゲットの消費量を抑えることのできるマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜形成物製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマによりターゲット１０をスパッタするマグネトロンスパッタリング装置は、プラズマを閉じこめるための磁場を形成する複数の磁石２０と、複数の磁石２０Ａ，２０Ｂを回転中心Ｐを中心にして回転させる回転機構２２とを有する。複数の磁石２０Ａ，２０Ｂはターゲット１０の表面近傍において閉じた曲線をまたぐように延在する磁場を形成するよう配列される。回転中心Ｐは閉じた曲線により囲まれた領域内にある。閉じた曲線は複数の凸部と複数の凹部を有し、凸部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なり、かつ凹部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なる （もっと読む）

【課題】処理装置の構成部分表面の付着膜をクリーニングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様において、電子装置製造処理チャンバの構成部分をクリーニングするための方法であって、ａ）上記部分の最表面の意図していない被覆層１０６を酸でスプレーしてエッチングし、ｂ）残っている被覆層１０６を脱イオン化水で加圧洗浄し、ｃ）被覆層１０６の下層の意図的被覆層１０４を水酸化カリウムで処理する、ことを含む方法が提供される。その他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のパーティクルの発生が少なく、またスパッタリング膜のユニフォーミティが良好であるエルビウムスパッタリングターゲット提供する。
【解決手段】平均結晶粒径が３〜１５mm、酸素含有量１００ppm以下、炭素含有量１５０ppm以下、タングステンおよびタンタル含有量がそれぞれ１００ppm以下であるエルビウムスパッタリングターゲットであって、真空鋳造した純度が３Ｎ５以上のインゴットを、１１００〜１２００°Ｃの範囲の温度で恒温鍛造し、次にこの鍛造したターゲット素材を８００〜１２００°Ｃの温度で熱処理して、ターゲットの純度が３Ｎ５以上であり、当該ターゲット組織における平均結晶粒径を１〜２０ｍｍに調整し、これを切り出してターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】 周辺表面を殆ど汚染又は乱さずに、スパッタリングされたキャリア／バリヤ層を堆積させて所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】 堆積層のイオンの衝突により浸食・汚染されないように、刻設された層の適用された表面が保護される、イオン堆積スパッタリング法を用いて刻設された材料層を半導体の特徴表面に適用する方法であり、刻設された層の第１の部分を、その層の適用される表面が浸食又は汚染されない程度に基板バイアスを十分低くして適用するステップと、刻設された層の次の部分を、さらなる層材料を堆積させながら、第１の部分からの形状を刻設可能な程度に基板バイアスを十分高くして適用するステップとを含む。この方法は、半導体の特徴表面上にバリヤ層、ウェッティング層及び導電層等を刻設するのに特に適しており、導電層が銅である場合は特に有益である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線膜をガラス基板に強固に密着させるための銅合金下地膜およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：６越え〜２０モル％を含有し、さらにＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種または２種以上を合計で０．２〜５モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる配線下地膜並びに同じ成分組成を有する配線下地膜形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 固体ポリマー電解質またはその他のイオン導電性ポリマー表面上に金属、金属酸化物または金属合金を被覆するための新規方法を提供することである。
【解決手段】 薄い金属または金属酸化物のフィルムを備えたイオン導電性の膜を製造するための方法であって、減圧下、イオン導電性膜を低エネルギーの電子ビームに賦して、その膜表面を清浄とし、この清浄とした膜を、減圧下、析出されるその金属のイオンを含有する高エネルギービームに賦して、金属フィルムを形成することを含む方法。この方法によって得られる金属化された膜構造物およびそれを内蔵する燃料電池も、また、本発明の範囲に含まれる。 （もっと読む）

【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。
【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら斜方よりスパッタ成膜するスパッタリング装置において、高精度な設計・制御が要求されるスタック構造を決める作業に適した成膜技術を提供する。より具体的には、基板の一方向で膜厚が一定の傾斜率で分布している堆積膜が得られる成膜技術を提供する。
【解決手段】基板１０の被成膜面に対してターゲット４，５を傾斜して配置し、基板１０を面内で回転させながら成膜するスパッタリング成膜方法は、成膜開始から基板１０が３６０°×ｎ＋１８０°（ｎは０を含む自然数）回転した時点で成膜を終了する。 （もっと読む）

【課題】凹部を隙間無く充填する。
【解決手段】本発明は基板１１の表面の凹部１２が形成された面に、金属膜１５を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。成膜工程で凹部１２に突き出すように形成されるオーバーハング部１９はエッチング工程で除去されるので、次の成膜工程の時に凹部１２の開口は塞がれておらず、凹部１２内部の金属膜１５を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れた表面滑らかな酸素含有銅膜を成膜することができるターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：０．４〜６原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成、並びに素地中にＣｕ_２Ｏが均一に分散している組織を有することを特徴とする酸素含有銅ターゲット。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ａｇ膜、Ｃｕ膜、Ａｕ膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Ｔｉを２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ構成材と基板の張り出し縁部上への処理堆積物の堆積を軽減させる処理キットを提供する。
【解決手段】処理キット２００は処理チャンバ内において基板支持体の周囲に位置されるシールド２０１とリングアセンブリ２０２を備え、シールド２０１はスパッタリングターゲットを取り囲む上壁部と、基板支持体、支持出っ張り部、傾斜段差部、ガスコンダクタンス穴部を有するＵ型チャネルを取り囲む底壁部とを有する円筒状バンド２１４を備える。リングアセンブリ１２０は堆積リング２０８とカバーリング２１２を備え、カバーリングはバルブ型突起部をリングの周縁に有する。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、有機電界発光素子作製において、電極、水分吸着膜、環境遮断膜からなる複数の膜を、環境雰囲気に素子特性が影響されずに、容易に連続成膜することが可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
チャンバー内に、筒状のバッキングプレートと、バッキングプレートの高さ方向を回転軸方向とするバッキングプレート回転手段と、バッキングプレートの外面に配置された複数のターゲット設置部と、各ターゲット設置部の背面位置に設置された極性の異なる対のカソードマグネットと、基板と、基板と対向する位置に具備されたターゲットに接続する機構を有するスパッタリング用電源とを有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）