【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき層のサイドエッチングによって設計値よりも配線のトップ幅が狭くなってしまうことを効果的に防止でき、特に、半導体チップ等を搭載させた場合にも、位置合わせや抵抗増加の問題が生じないプリント配線板用基材、銅張積層板およびフレキシブル銅張積層板ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１の導電性１２、１３を有する表面に、複数の金属めっき層１６、１７、１８を積層し、かつこれら複数の金属めっき層を、少なくとも表層１８のエッチングレートが基材表面に接触している底層１６よりも小さいプリント配線板用基材１とした。また、プラスチックフィルム１１の導電性を有する表面に、プラスチックフィルムから露出表面に向けて銅よりもエッチングレートの小さい金属を漸次または段階的に多く含有する金属めっき層１６、１７、１８を形成したフレキシブル銅張積層板１とした。 （もっと読む）

【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】特定の結晶方位に揃えた従来のターゲットに比べて、成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】タンタルターゲットの表面において、全体の結晶配向の総和を１とした時に、（１００）、（１１１）、（１１０）のいずれの配向を有する結晶も、その面積率が０．５を超えないことを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ｚｎ：０．０５〜５原子％含有し、さらにＳｉ、Ｔｉ、ＹおよびＡｌの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜０．５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着力に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能でマイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ガラス或いはガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品であって、Ｃｕ及びＡｌの２元素からなる２元合金から構成され、かつ、Ａｌ含有量が５０.０ｗｔ％以下であり、残部が不可避不純物で構成される配線としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】塩素ガスを使用することなく、金属微粒子を安全にかつ安価に生成する方法等を提供する。
【解決手段】スパッタ装置のチャンバー６内に銅ターゲット２を設置し、チャンバー６内の圧力を１３Ｐａ以上とした状態でチャンバー６内にプラズマ１００を生成して銅ターゲット２をスパッタすることにより、銅微粒子１０１ａ，１０１ｂを生成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、さらにＣａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ電子工学の基板およびデバイスに、薄膜を選択的に堆積するための自己整合金属マスクアセンブリに関し、上記自己整合金属マスクアセンブリは、ａ）メタライズされるパターンを規定する穴または領域と、センタリング穴とを有する上方金属マスクと、ｂ）メタライズされる基板またはデバイスと同じサイズおよび形状の穴と、上記アセンブリをセンタリングするためのさらなる補助穴とを有する下方金属マスクと、ｃ）上記のパーツをセンタリングするために、上記補助穴と対応するロッドを備えるピースまたはベースとを備え、完全なアセンブリを固定し維持するための上方ピースまたはフレームは、ネジおよびわずかな圧力によって整合される。上記アセンブリは続いて、蒸着機のサンプルホルダに固定することができる。
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【課題】熱的に安定なシリサイド（ＮｉＳｉ）膜の形成が可能であり、膜の凝集や過剰なシリサイド化が起り難く、またスパッタ膜の形成に際してパーティクルの発生が少なく、ユニフォーミティも良好であり、さらにターゲットへの塑性加工性に富む、特にゲート電極材料（薄膜）の製造に有用なニッケル合金スパッタリングターゲット及び該ターゲットにより形成されたニッケルシリサイド膜を提供する。
【解決手段】白金を２２〜４６ｗｔ％、イリジウム、パラジウム、ルテニウムから選択した１成分以上を５〜５０ｗｔｐｐｍ含有し、残部がニッケル及び不可避的不純物からなることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】突発的な巨大ダストの発生を抑制し、Ｎｂ膜の歩留りを向上させることを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】高純度Ｎｂからなるスパッタターゲットであって、Ｎｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲である。 （もっと読む）

【課題】ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｈ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｓｉ、ＰｂおよびＢから選ばれる少なくとも１種の第１の元素を0.001〜30原子％の範囲で含み、残部がＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、インゴットまたは焼結体にＣを第１の元素量に対して20原子ppm〜37.8原子％の範囲で含有させ、得られたインゴットや焼結体を加工してスパッタターゲットを作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を有する金属と銅配線部を無電解めっきの触媒作用をする金属との合金からなるスパッタリングターゲットを窒素ガス雰囲気でスパッタ成膜することにより、成膜中のバリア性材料、触媒性材料及び窒素含有量を調整して銅シード層を形成する工程からなり、無電解銅めっき性、銅拡散防止バリア性及びめっき膜の耐酸化性を備えた、銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を形成した半導体ウェハーの提供。
【解決手段】タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。
【採用図面】なし （もっと読む）

【課題】Al合金の配線を用いた画像表示装置において、ヒロックが発生せず、かつ、配線内にボイドが形成されないAl合金の配線を形成する。
【解決手段】下部電極１１２とトンネル絶縁膜１１５と薄膜電極１１７によってMIM電子源１１４が形成される。トンネル絶縁膜１１５は下部電極１１２を陽極酸化することによって形成する。下部電極１１２は信号線１３１の上に形成される。信号線１３１はヒロックを防止するために、Ndを添加するが、Ndの添加量を基板１１１側から連続的に減少させる。その結果トンネル絶縁膜は純Alを陽極酸化した質の良い絶縁膜とすることが出来る。また、本発明では信号線１３１膜内に界面は形成されず、界面に起因したボイドの発生も無い。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、経時で安定した表面抵抗値を示すパラジウム金属膜積層フィルムを提供するものである。
【解決手段】
基材フィルムの少なくとも片面にパラジウム金属膜が積層された積層体であって、金属膜中に含まれる希ガスの濃度が０．１〜１０ａｔｍ％以下であるパラジウム金属膜積層フィルム。
または、基材フィルムの少なくとも片面にパラジウム金属膜が積層された積層体であって、パラジウム金属膜の密度が９．００ｇ／ｃｍ^３以上であるパラジウム金属積層フィルム。
または、基材フィルムの少なくとも片面にパラジウム金属膜が積層された積層体であって、成膜直後のパラジウム金属膜のパラジウム面密度Ａと成膜直後のパラジウム金属膜の表面抵抗値Ｂが下記式（１）を満たすパラジウム金属積層フィルム。
Ａ×Ｂ≦７０００×１０^１５ （１） （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜に本来求められるバリア性を維持しつつ、微細化が進む配線用のホールやトレンチに対し優れたステップカバレッジでバリアメタル膜を形成でき、その上、バリアメタル膜表面にボイドを生じることなくＣｕ膜を形成できると共に、両者間で高い密着性が得られるようにした薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 （もっと読む）

スパッタチャンバ（１０）のスパッタリングターゲット（１８）の後方でスパッタチャンバ（１０）の中心軸（１４）の周りで回転するマグネトロン（４２）の方位角位置および円周位置を決定し、例えば遊星歯車機構を用いてほぼ任意の走査経路を可能にする、２つのモータ（３２、３６）を制御するための制御システムおよび方法が提供される。システムコントローラ（８８）が、複数のコマンドをモーションコントローラ（１５０）に周期的に送出し、モーションコントローラがモータを密に制御する。各コマンドは、コマンドチケットを含む。モーションコントローラは、直前のコマンドとは異なる値のコマンドチケットを有するコマンドだけを受領する。あるコマンドは、モーションコントローラ内に格納された走査プロファイルを選択するものであり、別のコマンドは、センサに問い合わせて、アームが期待位置にあるかを判定する、動的帰着コマンドを命令するものである。
（もっと読む）

【課題】半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。
【解決手段】Ａｌを０．５〜４．０ｗｔ％含有し、Ｓｉが０．５ｗｔｐｐｍ以下である銅合金スパッタリングターゲット及びＳｎを０．５〜４．０ｗｔ％含有し、Ｍｎが０．５ｗｔｐｐｍ以下である銅合金スパッタリングターゲット並びにこれらにＳｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上を総量で１．０ｗｔｐｐｍ以下含有する銅合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）