本発明は、少なくとも一つの電気伝導性があるフィルム20を基板30上に蒸着するための方法に関する。当該方法は − フィルム材料の層10であって、当該層10はマスク部40を前面11に有し、当該層10と当該マスク部40とは一つの部分である、フィルム材料の層10を選択するステップと、 − 前記層10の前面11を基板30上に位置決めするステップと、 − 溶解液滴110が前記基板30の方へと推進され、当該基板30上に蒸着されて前記フィルム20を形成し、前記マスク部40にある少なくとも一つの溝45が前記溶解液滴110の飛散を制限するよう前記層10の少なくとも一部を溶解し蒸発させるために、少なくとも1回のレーザパルス120を前記層10の背面12上へ印加するステップと、を含んでいる。
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【課題】 使用済みスパッタ材を徐々に使い果たす再製スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 背面と、少なくとも１つのエロージョン面溝を備えるエロージョン面と、周縁とを有する使用済みスパッタ材を提供するステップと、
前記使用済みスパッタ材の背面に機械加工を施すための前処理を行うステップと、
前記使用済みスパッタ材と同様の成分を有する原料粉末を用い、該使用済みスパッタ材のエロージョン面、前記エロージョン面溝及び周縁を被覆し、順次に予備加圧及び焼結処理を行うステップと、を有し、これにより再製スパッタリングターゲットを獲得することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】表面上に平板ターゲット４０を配置するバッキングプレート１０の裏面１０ｂ側に、揺動する磁石構成体２０を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを低減するためのシールド３０を、平板ターゲット４０の側面周囲に配設し、シールド３０が平板ターゲット４０と同じ材質であるか、あるいはシールド３０がその最表層部に平板ターゲット４０と同じ材質をコーティングしたものである。 （もっと読む）

【課題】拡散バリア層と銅配線本体との密着性を大幅に改善することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線において、上記絶縁層と、上記絶縁層に対向して設けられた拡散バリア層と、上記拡散バリア層上に形成された、銅（Ｃｕ）からなる配線本体と、を備え、上記拡散バリア層は、マンガン（Ｍｎ）に対する酸素（Ｏ）の組成比率（比率ｙ／ｘ）を２未満とするマンガン酸化物（組成式：Ｍｎ_xＯ_y（比率ｙ／ｘ＜２））を含むマンガン酸化物層を有する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金ターゲット板を用いたスパッタリングにおいて、スパッタリング時間の増加に伴うＮｉ−Ｍｏを含んだパーティクルの発生を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】
Ｎｉ−Ｍｏ系合金のスパッタリングターゲット板であって、前記スパッタリングターゲット板の板面の表面から厚さ方向に１０μｍの位置におけるＮｉ濃度及びＭｏ濃度をそれぞれ質量％でＮｉ（１０）及びＭｏ（１０）とし、表面から厚さ方向に１００μｍの位置におけるＮｉ濃度、Ｍｏ濃度を質量％でＮｉ（１００）及びＭｏ（１００）として、次式の関係を満たすことを特徴とするＮｉ−Ｍｏ系合金スパッタリングターゲット板。
−２．０≦ΔＮｉ≦０．２、 −０．２≦ΔＭｏ≦２．０
且つ、
−０．２≦ΔＮｉ＋ΔＭｏ≦０．２
ここで、ΔＮｉ＝Ｎｉ（１０）−Ｎｉ（１００）、ΔＭｏ＝Ｍｏ（１０）−Ｍｏ（１００）
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【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも低コンタクト抵抗を十分かつ確実に示す表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５〜１．０原子％、Ｎｉ、Ａｇ、ＣｏおよびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種を０．０３〜２．０原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．５原子％含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜中に、長径２０ｎｍ以上のＧｅ含有析出物が１００μｍ²当たり５０個以上存在することを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが有する特長（優れた導電性・加工性・軽量性・リサイクル性等）を損なうことなく電極材料として好適に利用可能となる、錫とアルミニウムとの密着性に優れかつ耐食性に優れた錫被覆アルミニウム材料を提供する。
【解決手段】錫被覆アルミニウム材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材１の外層に、防食層３と、錫または錫合金からなる電気接点層４とが形成された錫被覆アルミニウム材料１０であって、前記防食層３が、チタン、クロム、ニオブから選ばれる１種または前記選ばれる１種を主成分とする合金からなる層である。 （もっと読む）

【課題】 工程を煩雑なものとすることなく、かつ産業廃棄物として取扱いが煩雑なものとなる酸洗用の薬液等を使用することなく、最表面に不動態被膜を有する金属基材の表面に、その不動態被膜の酸洗除去等を施さずとも、良好なはんだ濡れ性およびはんだ付けに対する接合強度を付与してなる、表面処理金属材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この表面処理金属材は、最表層に不動態被膜を有する金属基材１の表面上に、当該金属基材１の表面側から順に、クロム（Ｃｒ）を主成分とするスパッタ膜からなり、当該膜の内部残留応力が圧縮応力または略ゼロである密着層２と、銅（Ｃｕ）、銅とニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ）の混合状態、銅と亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）の混合状態、銅とニッケルと亜鉛（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ）の混合状態のうちの少なくともいずれか一種類を主成分とするスパッタ膜からなる接着層３とを形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーションの抑制が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子の形成された半導体基板と、半導体基板の上方に、水分を含み、凹部が形成された層間絶縁膜と、凹部の内面上に形成され、非晶質及び多結晶の一方の結晶性を有する第１のバリアメタル層と、第１のバリアメタル層上に形成され、非晶質及び多結晶の他方の結晶性を有する第２のバリアメタル層と、第２のバリアメタル層上に形成された銅配線と、銅配線を覆って前記層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止絶縁膜と、銅配線と銅拡散防止絶縁膜との界面に形成された金属酸化物層とを有する。 （もっと読む）

【課題】シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

【課題】弊害なくたわみを回避できる蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】被蒸着体であるウェハと接するウェハ対向面と、該ウェハ対向面と反対の面であり蒸着源と対向する蒸着源対向面１５と、該ウェハ対向面と該蒸着源対向面１５とを貫通する開口を有するマスク開口領域１４と、該開口の形成されない領域である無効領域１２とを有する。そして、該蒸着源対向面１５の該無効領域１２に付加された線状の補強部材１６を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置は、反応室と、前記反応室の内部に配置され、所定の金属材料からなるターゲットと、前記反応室の内部に前記ターゲットと離間して配置され、貫通孔が形成された基板を保持する基板保持部材と、前記基板の成膜面の背面側に位置する前記反応室の壁面に設けられ、前記反応室の内部に気体を供給する気体供給口と、を備え、前記気体供給口から前記基板の貫通孔を通して前記反応室の内部に前記気体を供給する。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】ホールやトレンチなどの凹部を被覆する膜のカバレッジ性を向上し、かつ、平坦な表面をもつ膜を成膜することが可能なスパッタ成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバ２０１内で、金属ターゲットに高周波電力及び直流電圧を印加して、プラズマを発生させるとともにターゲット粒子をイオン化させて金属イオンを発生させる。チャンバ２０１内のステージホルダ３０２上に載置された、表面に凹部を有する基板３０６へ、金属イオンを照射して薄膜を形成する。この際、まず初めに、５乃至１５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層を形成し、次いで、０．５乃至５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層上に第２の層を形成する。 （もっと読む）

天井にスパッタターゲットを有するＰＶＤリアクタにおいて、回転磁石組立体を取り囲む導電性ハウジングは、回転磁石の軸用の中央ポートを有する。ハウジングの導電性中空シリンダは、スピンドルの外側部分を囲む。ＲＦ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる半径方向のＲＦ接続ロッドに結合され、ＤＣ電力は、中空シリンダから半径方向に延びる他の半径方向のＤＣ接続ロッドに結合される。
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【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らによると、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ・プロセスにおいて、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、プリ・メタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程のタングステン・プラグ形成の準備工程としてのバリア・メタル・スパッタリング成膜時や第１層メタル配線層のスパッタリング成膜時に、ウエハからの脱ガスによる水分に起因する異物の発生がみられる。
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ Ｍｏｎｉｔｏｒ）するものである。 （もっと読む）

【課題】成膜過程においてアノードの温度上昇を抑制し、パーティクルを抑制することが可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、真空槽１、真空槽内に配されたターゲット２、ターゲットに負電圧を印加する第一電源１１、真空槽内にあってターゲットに対向して配された基板台３、真空槽内にあってターゲットと基板台との間に位置する空間Ｓを取り囲むように配されるアノード４、及びアノードに正電位を印加する第二電源１２、を少なくとも備える。アノードは、空間のうち、ターゲット側の近傍に位置する第一電極５、基板台側の近傍に位置する第二電極６、及び第一電極と第二電極との間に位置する第三電極７からなる分割構造を成す。そして、第二電源は、アノードに対して印加する正電位を制御できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、オクタカルボニルジコバルトを含むコバルト前駆体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルト前駆体をコバルトに変換して基体表面上にコバルト膜を形成する方法において、コバルト前駆体を炭素数５〜８の脂肪族炭化水素、炭素数５〜８の脂環族炭化水素及び炭素数６〜８の芳香族炭化水素よりなる群から選択される少なくとも一種の溶媒に溶解した溶液を準備し、上記基体上に供給されるコバルト前駆体は上記溶液に由来するコバルト前駆体の昇華物であり、そしてコバルト膜形成後のコバルト前駆体の残存率が１２重量％以下であることを特徴とする方法である。 （もっと読む）