本発明は、従来技術で得られなかった相対密度９９．５％以上（ポアの体積率が０．５％以下）で、組織は均一で等方性を有するタングステン系焼結体を得ることを課題とする。
また、前記焼結体を用いた放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、抵抗溶接用電極などを得ることを課題とした。
タングステン系粉末に、圧力は３５０ＭＰａ以上にてＣＩＰ処理を行い、水素ガス雰囲気中にて焼結温度１６００℃以上、保持時間５時間以上の条件で焼結を行い、アルゴンガス中１５０ＭＰａ以上、１９００℃以上の条件でＨＩＰ処理を行うことにより課題のタングステン系焼結体が得られる。
また、このタングステン系焼結体は、放電灯用電極、スパッタリングターゲット、るつぼ、放射線遮蔽部材、放電加工用電極、半導体素子搭載基板、構造用部材などに好適する。 （もっと読む）

【課題】 ブローホールのような内部欠陥を極力減少し、反りのない大面積のアルミニウム系ターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】 複数のアルミニウム合金ターゲット部材からなるアルミニウム系ターゲットにおいて、摩擦撹拌接合法によりアルミニウム合金ターゲット部材を接合した接合部を備えるものとした。また、この接合部は、アルミニウム母材中に径１０μｍ以下の金属間化合物析出物が分散した組織であり、径５００μｍ以下のブローホールが０．０１〜０．１個／ｃｍ^２存在するものである。 （もっと読む）

タンタルターゲットの表面において、全体の結晶配向の総和を１とした時に、（１００）、（１１１）、（１１０）のいずれの配向を有する結晶も、その面積率が０．５を超えないことを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲットを得ることを課題とする。 （もっと読む）

本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート１２０、１１０と、プラズマ区域１３０に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート１２０、１１０の間のプラズマ区域１３０に磁場を樹立するようにターゲットプレート１２０、１１０の付近に各々配置される一対の磁石１０２、１０４、１０６、１０８と、プラズマ区域１３０の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板２２２を維持するに適合するように形成される基板ホルダー２２４と、基板ホルダー２２４にカップリングされた逆バイアス電源２３６と、を含む。
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本発明は、ＰＶＤ（物理的蒸着）構成要素の表面に沿って粒子トラップを形成する方法を包含し、その表面に粒子トラップを有するＰＶＤ構成要素を含む。本発明は、ビードブラストのための高度に可溶性の媒体の使用を含み、且つ／又はビードブラスト媒体として金属物質の使用を含み得る。本発明は、粒子トラップの所望箇所である裏板の領域に沿って挿入物を形成することも含み得る。この挿入物の組成は裏板よりも適切な粒子捕捉特性を有する。

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【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が０．２ｎｍ以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の１原子層以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層７を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層８で埋め込む工程とを含む。 （もっと読む）

本発明の１つの態様は、プラズマスパッタリアクタのチャンバー壁の外側に位置された補助的磁石リングであって、特に、スパッタ堆積されている基板をスパッタエッチングするためにプラズマを誘導的に発生するのに使用されるＲＦコイルの半径方向外方に少なくとも一部分配置された補助的磁石リングを包含する。従って、磁気バリアが、プラズマがコイルへと外方に漏れるのを防止し、スパッタエッチングの均一性を改善する。また、この磁界は、コイルが、一次ターゲットと同じ材料で作られているときに、二次ターゲットとして使用されるときには、マグネトロンとしても働く。本発明の別の態様は、ターゲットからペデスタルへと延び、滑らかな内面をもち、且つシールド中央部が環状フランジで支持された一部片の内部シールドを包含する。このシールドは、ＲＦコイルを支持するのに使用されてもよい。 （もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
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窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）