【課題】層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。スパッタ成膜工程は、層間絶縁膜１１３の上に、基板にＲＦバイアスを印加して行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６Ａを形成する工程と、ＲＦバイアスを印加せずに行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、バリア膜１１６Ａの上に、タンタルを主成分とするバリア膜１１６Ｂを形成する工程とを備えてもよい。バリア膜１１６はＲＦバイアスを連続的に変化させて、層間絶縁膜１１３側をＲＦバイアスを印加して、配線層１１７側をＲＦバイアスを印加せずに形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの結晶配向の組織を改善し、スパッタリングを実施した際の、膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させ、さらに製造歩留まりを著しく向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板状のターゲットにおいて、ターゲット材料の中心面から半分に切断し２枚のターゲットとし、またさらに切断前のターゲット材料の中心面に位置する結晶配向が（２２２）優先である結晶組織を備えるターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく安価にカーボンナノチューブからなる横方向の配線を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。第２の導電層１０７は、第１の導電層１０１とは間隔を開けて第１の導電層１０１と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。触媒層１０６は、第２の導電層１０７の側面に設けられ、カーボンナノチューブを形成するための触媒を含んでいる。導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】過剰の温度を必要としない金属堆積に適合する脱着方法を提供する。
【解決手段】金属膜を基材上に堆積させる方法は、超臨界プレクリーンステップ、超臨界脱着ステップ、および金属堆積ステップを含む。好ましくは、プレクリーンステップは、基材の金属表面から酸化物層を除去するために超臨界二酸化炭素およびキレート化剤を基材と接触して維持することを含む。金属膜を基材上に堆積させるための装置は、移送モジュール、超臨界プロセシング・モジュール、真空モジュール、および金属堆積モジュールを含む。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホールにも確実にＣｕを埋め込むことができるＣｕ配線の形成方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に形成されたトレンチ３を有するＬｏｗ−ｋ膜２にバリア層４を介してＣｕ配線を形成するにあたり、バリア層４の上にＣＶＤによりＣｕが濡れる金属材料で構成された被濡れ層５を形成し、被濡れ層５の上にＰＶＤによりＣｕ層６を形成し、Ｃｕ層６を形成した後、シリコン基板１を加熱してＣｕ層６を流動させ、トレンチ３内にＣｕを流し込む。 （もっと読む）

導電性金属マトリックス、好ましくは銅、と、タンタル、クロム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、オスミウム、白金、レニウム、ニオブ、ハフニウム、およびそれらの混合物から成る群から選択される耐熱ドーパント成分とから実質的に成る金属材料であって、好ましくは、当該耐熱ドーパント成分が、当該金属材料に対して約０．１〜６質量％の量である金属材料、そのような材料の合金、それを含有するスパッタリングターゲット、そのようなターゲットを製造する方法、薄膜形成におけるそれらの使用、並びにそのような薄膜を含有する電子部品。
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【課題】コンタクト抵抗を減らし、ギャップフィル特性を向上させることにより、コンタクトプラグ上に低抵抗金属配線を形成する金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】金属配線形成方法は、半導体基板の上部の第２の絶縁膜１６にコンタクトホール１８を形成する段階、上記第２の絶縁膜の表面に沿ってＴｉＮ膜を含む第１のバリアメタル膜２０を形成するが、上記ＴｉＮ膜が上記第２の絶縁膜の側壁及び上部の表面より上記コンタクトホールの下部にさらに薄く形成されるように上記第１のバリアメタル膜を形成する段階、上記コンタクトホールを含む上記第１のバリアメタル膜上に第１の金属層を形成する段階、上記第１の金属層がリフローされ平坦化されながら上記コンタクトホールが満たされるように熱処理を行う段階、上記第１の金属層上に第２の金属層を形成する段階及び上記第２の金属層をパターニングして上部金属配線２４ａを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

ここに記載される、導電性材料のトレンチの内面への磁気的に強化されたスパッタリングの方法は、磁場を導電性材料から少なくとも部分的に形成されたターゲットに隣接して設けるステップと、アノードとターゲットとの間にＤＣ電圧を複数のパルスとしてかけるステップと、を含んでいる。高周波信号は、半導体基板を支持するペデスタルに与えられて、半導体基板に隣接する自己バイアス場を生成する。高周波信号は、ＤＣ電圧パルスがかけられている時間に重複する時間、パルス状にペデスタルに与えられる。高周波信号が与えられる時間は、アノードとターゲットとの間にかけられるＤＣ電圧パルスの終了時を超えて延びている。それぞれのＤＣ電圧パルスの間に、導電性材料はスパッターされて半導体基板に形成されたトレンチの側壁に蒸着する。
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【課題】強誘電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。本発明の強誘電体製造方法は、ＳｒＴｉＯ_３（ＳＴＯ）基板上にＳｒＲｕＯ_３（ＳＲＯ）薄膜を蒸着する工程と、同蒸着されたＳＲＯ薄膜にＢｉＦｅＯ_３（ＢＦＯ）薄膜を蒸着する工程とを含み、各薄膜の蒸着はＳＴＯ基板を接地から絶縁した状態で蒸着する。本発明の強誘電体製造方法によると、大量生産が可能で蒸着率が顕著に向上するのみならず、強誘電体薄膜の表面が均一に形成されて漏洩電流が顕著に低減し、かつ残留分極が大きくなるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗を維持した上で、基板との密着性を向上することが可能な新規なＣｕ系配線膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットを用いてスパッタリングにより成膜するＣｕ系配線膜の成膜方法において、所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットに印加する電力量を所定の値に設定してスパッタリングにより成膜する第１の成膜工程を経た後、前記Ｃｕターゲットに印加する電力量を第１の成膜工程よりも増加させてスパッタリングにより成膜する第２の成膜工程を行なうＣｕ系配線膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルをバリア層として形成することなく、Ｓｉ膜またはＳｉを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともＡｌ、Ｎｉ、及びＮを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極９またはドレイン電極１０と、を有する。アルミニウム合金膜は、高融点メタルをバリア層として形成することなく、シリコンを主成分とする膜と直接接続して、良好なコンタクト特性を有する。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのエロージョンを均一化することができるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】反応室に基板とターゲットを互いに対向させ、バッキングプレートの裏面側にターゲットに対して磁界を形成する磁界発生手段を移動可能に配置し、基板とターゲットとの間に高電圧を印加して放電を発生させ、ターゲット材の構成原子を基板上に付着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、バッキングプレートの裏面に沿って駆動操作される磁界発生手段を、磁極の向きが逆極性で、かつ磁化方向がバッキングプレートの裏面に向くようにして配置された第１の永久磁石２１Ａと第２の永久磁石２１Ｂとで構成し、かつ、磁界発生手段の駆動方向と交差する方向に磁界を形成する永久磁石の厚みを、駆動方向に沿って磁界を形成する永久磁石の厚みよりも小さくして、第１の永久磁石と第２の永久磁石の磁界強度を部分的に弱くなるように設定した。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と高誘電率ゲート絶縁膜の間に生じる反応を抑制でき、高集積化および高速化に適した素子構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、この絶縁ゲート電界効果トランジスタは、高誘電率膜を含むゲート絶縁膜と、第１の導電層およびこの第１の導電層より抵抗率の低い第２の導電層を含む積層構造をもつゲート電極を有し、第１の導電層は、前記高誘電率膜上に接して設けられ、密度５ｇ/ｃｍ³以上の窒化チタンからなる半導体装置。 （もっと読む）

スパッタリング・ターゲットは、ａ）表面材料と、ｂ）前記表面材料に結合されたコア材料とを有し、少なくとも１つの表面材料またはコア材料の欠陥ボリュームは、１００ｐｐｍよりも少ない。スパッタリング・ターゲットを製造する方法は、ａ）少なくとも１つのスパッタリング・ターゲット材料を提供し、ｂ）少なくとも１つのスパッタリング・ターゲット材料を溶融して溶融材料を提供し、ｃ）溶融材料をガス抜きし、ｄ）溶融材料をターゲット・モールド内に注ぐことを有する。ある実施形態では、溶融材料をターゲット・モールド内に注ぐことが、るつぼからターゲット・モールド内にアンダー注ぎ又はアンダースキミングすることを含む。これらの方法によって形成され、これらの方法を利用するスパッタリング・ターゲットおよび関連する装置もまたここに記載した。更に、これらのスパッタリング・ターゲットの使用についてもここに記載した。 （もっと読む）

【課題】板状の導電性ダイヤモンド電極を、ＣＶＤ法を使用して製造すると、一方の面に非ダイヤモンド構造の炭素質が生成して電極性能を低下させる。この電極を賦活化して電極性能を高く維持する。
【解決手段】導電性ダイヤモンド電極の表面を、励起水素、励起酸素、及び励起アルゴンから選ばれる一種類以上と接触させる。表面に生成している非ダイヤモンド構造の炭素質が励起ガスと接触して、電極表面から除去される。 （もっと読む）

【課題】ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置１０は、真空チャンバ１１と、真空チャンバ内に設置された蒸発源１３と、蒸発源に対向して配置されたステージ１５と、ステージを面内で回転させる回転手段１８と、蒸発源に対するステージの設置角度を変化させる角度調整手段１９とを備える。そして、基板Ｗを面内で回転させるとともに、基板の表面に対する蒸発粒子の入射角が連続的に変化するように基板の傾斜角を蒸発源に対して変化させながら、基板の表面に蒸発粒子を堆積させる。これにより、基板の半径位置に関係なく、ビアの側面や底面に対する蒸着膜の付き回り性を高めることができる。また、これに伴って、基板面内において蒸着膜のカバレッジ特性の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）