【課題】低摩擦係数を実現し、硬質炭素薄膜を摺動部材に適用した際に起こり得る膜の割れや剥離等を抑制した自動車エンジン用摺動部材を提供すること。
【解決手段】潤滑剤の存在下で摺動し硬質炭素薄膜を基材表面に被覆して成り、被覆前の基材のＲａが０．０２μｍ以下、アーク式イオンプレーティング法により成膜された硬質炭素薄膜の膜厚が０．５〜２．０μｍであり、被覆後のＲｐｋが０．０２μｍ以上である自動車エンジン用摺動部材である。硬質炭素薄膜の表面硬さがヌープ硬さで１５００ｋｇ／ｍｍ^２以上で、膜厚が０．５〜２．０μｍである。硬質炭素薄膜の水素原子濃度が１原子％以下である。脂肪酸エステル系無灰摩擦調整剤や脂肪族アミン系無灰摩擦調整剤やポリブテニルコハク酸イミドやジチオリン酸亜鉛を含有する潤滑油を使用する。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置において、クリーニングの煩雑さを回避しプロセスの安全性および層品質を向上させるとともに、ポンプ性能を向上させかつポンプ領域内のプラズマ形成を防止する。
【解決手段】工作物を処理するための真空処理装置（１）は、低電圧アーク放電装置が中に配置された真空化可能な処理室（１０）と、少なくとも１つの閉鎖可能な装入・排出開口部と、上記処理室の側壁に取付けられた少なくとも１つのコーティング源とを備える。さらに、上記真空処理装置は、遠距離磁場を形成するための磁場生成装置と、工作物を受けるための少なくとも１つの工作物担体とを備える。さらに、ターゲット・シャッタ構成（８，８′）が、覆われた状態でシャッタ（８）とターゲット（１２）との間隔が３５ｍｍよりも小さく、こうして上記ターゲットの背後でマグネトロンまたは陰極のスパーク放電の点火および動作が可能となり、他方ではターゲット（８）をオフにした際に副プラズマの点火が防止されるように構成される。 （もっと読む）

金属基材および複合被膜からなる被膜付製品が開示される。ここに複合被膜の少なくとも１種の構成要素はMAX材料タイプである。さらに、多段ロールプロセスにおいて蒸着技術を用いて上記の被膜付製品を製造する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】特定の位相シフトと減衰の特性を有する材料を局所的に堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】本発明はハーフトーン型位相シフト・フォトマスクの修復に特に応用可能である。修復される領域の透過率および位相の制御が可能である。好ましい実施形態では、修復領域を透過する光の位相は堆積材料の厚さを制御することによって制御され、修復領域の透過率は修復領域への不純物の導入を制御することによって制御される。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを有する電極同士を一対として、１対以上配設し、対とする電極間に電圧を印加して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを生成し、成膜材料を活性化する成膜活性部を備えている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンから出射されたプラズマビームをハースに載置された蒸着材料に導くためのハース用マグネットが、マグネトロン構造である。 （もっと読む）

【課題】
金属蒸着層に対してさらに光学的な効果を付与したり、金属蒸着層を酸化から守るための層をその表面にさらに設けた金属蒸着層を積層したフィルムの製造方法及び該方法による金属蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】
高分子樹脂よりなる基材フィルムの表面に、水溶性塗料による水溶性塗料層を所望の箇所にのみ部分的に積層する、水溶性塗料層積層工程と、前記水溶性塗料層積層工程を終えた前記基材フィルムの前記水溶性塗料層を積層した部分及び積層していない部分の両方の表面に対して一律に、金属または金属酸化物による金属蒸着層を積層してなる金属蒸着層積層工程と、前記金属蒸着層積層工程を終えた前記金属蒸着層の表面に、透明無機蒸着層を積層してなる透明無機蒸着層積層工程と、前記透明無機蒸着層積層工程により得られた積層体を水洗してなる水洗工程と、前記水洗工程後これを乾燥してなる乾燥工程と、よりなる製造方法とした。
なし （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、マグネットを複数個配置して磁場を制御して、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを閉じ込めた空間を形成するプラズマ閉じ込め部を、成膜する側でない基材背面に備えている。 （もっと読む）

【課題】
金属蒸着層を酸化から守るための層をその表面にさらに設けた酸化防止層を備えた金属蒸着層を積層したフィルムの製造方法及び該方法による酸化防止層を備えた金属蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】
高分子樹脂よりなる基材フィルムの表面に、水溶性塗料による水溶性塗料層を所望の箇所にのみ部分的に積層する、水溶性塗料層積層工程と、前記水溶性塗料層積層工程を終えた前記基材フィルムの前記水溶性塗料層を積層した部分及び積層していない部分の両方の表面に対して一律に、金属または金属酸化物による金属蒸着層を積層してなる金属蒸着層積層工程と、前記金属蒸着層積層工程を終えた前記金属蒸着層の表面に、前記金属蒸着層の酸化を防止するための酸化防止層を積層してなる酸化防止層積層工程と、前記酸化防止層積層工程により得られた積層体を水洗してなる水洗工程と、前記水洗工程後これを乾燥してなる乾燥工程と、よりなる製造方法とした。
なし （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 蒸着材料とこれを載置するハースとを一体的に搬送する蒸着材料搬送部を備えたもので、該蒸着材料搬送部は、蒸着材料とこれを載置するハースとを一体的に搬送することにより、蒸着材料へのプラズマビームの照射位置を変化させるものである。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜室側には、圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたもので、圧力勾配型プラズマガンのプラズマビームは、圧力勾配型プラズマガンと蒸着材料設置部とを結ぶ方向に出射され、前記方向に沿い進行して成膜材料に入射するようになっている。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガンを有する圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備え、該成膜部により、イオンプレーティング法により基材の一面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、成膜する基材表面に接するようにして放電プラズマを閉じ込めた空間を形成するプラズマ閉じ込め部を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高い真空度を得るために長時間をかけたり、特別の装置を使用したりすることなく、アルミニウムのような易酸化性蒸着材料を希土類系永久磁石のような被処理物に安定に蒸着させるための表面処理方法、この方法を実施するために好適な表面処理装置などを提供すること。
【解決手段】 易酸化性蒸着材料からなる蒸着被膜を被処理物の表面に形成する表面処理方法であって、処理室内の少なくとも溶融蒸発部と被処理物の近傍に蒸着制御ガスを供給した状態で前記蒸着材料を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カソードを含む蒸発源を用いた物品処理装置（例えばアーク式ＰＶＤによる成膜装置）であって、カソード上のアークスポットがカソード蒸発面以外のカソード部分に発生したとき、アークスポットをカソード蒸発面上に戻して正規のアーク放電を再開させることができ、それにより被処理物品に所望の目的とする処理を実施できる物品処理装置を提供する。
【解決手段】カソード３１の側周面に対し臨設した電流検出部材５に流れる電流の波形を電流波形検出部６で検出する。制御部Ｃｏｎｔは、その波形が、アークスポットがカソード蒸発面３１１上にあることを示す正常波形か、それ以外のカソード部分にあることを示す異常波形かを判定し、異常波形であると判定すると、アークスポットをカソード蒸発面３１１上へ戻すようにアーク放電用電源３３及びトリガー電極３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供するための方法および装置の提供。
【解決手段】コーティングされる基体を真空チャンバー内に提供する工程、チャンバー内でプラズマを生成する工程、およびプラズマのイオンを基体上に堆積させ、テトラヘドラルアモルファス炭素（ｔａ−Ｃ）基体コーティングを形成する工程を含む。コーティングは、ｔａ−Ｃ基体コーティングが所定の抵抗率を有した時に停止する。所定の抵抗率は１０^５−１０^９Ωｃｍ、好ましくは１０^６Ωｃｍである。基体は方法の間、所定の抵抗率に達するのを補助するためバイアスがかけることができる。コーティングは、基体への、もしくは基体からの静電放電の危険を低減もしくは防止するために使用することができる。また基体とさらなるコーティングとの接着を改善するためのシード層として使用することができる。さらに所定の抵抗率を有するコーティングが記載される。 （もっと読む）

【課題】超高真空環境でもアウトガスを発生させない非移行型のプラズマトーチを用いて生成させた微粒子を超音速のガス流により加速させ、基板に堆積させた微粒子により皮膜形成する物理蒸着装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマトーチ（１６，２６）と蒸発源（１５，２５）を有する蒸発チャンバー（１０，２０）と、超音速ノズル３５と成膜対象基板３３を有する成膜チャンバー３０を有し、各プラズマトーチは、略円筒形の導電性のアノード４０と、その内側に挿入された、ベークライトよりもアウトガスの少ない高分子系または非高分子系の絶縁管５０と、絶縁管５０の内側に挿入された棒状のカソード６０を有する。アノード４０とカソード６０に電圧印加して得たプラズマで蒸発源（１５，２５）から微粒子を生成し、超音速ノズル３５から噴出して超音速ガス流に乗せ、成膜対象基板３３に物理蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】安定的に成膜することがでる圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内の成膜室側には、圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたものであり、成膜室と基材搬送室とが、圧力的に仕切られているものであり、また、前記イオンプレーティング成膜部は、成膜室の側面側、前記圧力勾配型プラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を配し、該短管部を包囲し、前記圧力勾配型プラズマガンからのプラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルを備え、前記プラズマビームを成膜室内に配置した蒸着材料の表面に導き、電気的絶縁性が保たれた成膜用ドラムの被成膜領域部において基材の一面上に薄膜を形成するものであり、短管部内に、プラズマビームの周囲を取り囲み、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる電子帰還電極を設けている。 （もっと読む）

【課題】 蒸着材料の加熱に基づく基板への輻射伝熱について、基板を回転させた状態で正確に見積るための温度測定手段を、真空槽内の適所に配置した真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１００は、真空槽と、基板３を保持して回転するように前記真空槽１に配置された基板ホルダ４と、前記基板ホルダ４に対向して前記真空槽１内に配置され、蒸着材料を加熱することにより蒸着粒子を前記基板３に向けて放出する蒸発源２と、前記蒸着材料から輻射される熱線を受けることにより、前記熱線を検知する温度測定手段１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】輝尽性蛍光体の結晶性を均一とし、鮮鋭性の高い放射線画像が得られる放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】放射線画像変換パネルの製造装置１において、真空容器２と、真空容器２の内部に設ける支持体ホルダ５と、支持体ホルダ５に保持される支持体４とを設け、輝尽性蛍光体を蒸発させて支持体４に輝尽性蛍光体を蒸着させる蒸発源８ａ，８ｂを、支持体４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置する。 （もっと読む）

【課題】 基材ホルダの着脱が容易であり、かつ成膜中に反転駆動される基材ホルダに対して高周波電力及びバイアス電圧を高い供給品質及び印加品質において安定に供給及び印加することが可能なイオン加工装置を提供する。
【解決手段】 その内部で電力を用いて基材へのイオン加工を行うための導電性の真空チャンバ１と、前記真空チャンバの内部に配設され前記基材が装着される導電性の基材ホルダ８と、前記真空チャンバの内部に前記電力を導入しかつ前記基材ホルダを回動自在に支持するための電力導入体５と、前記基材ホルダを前記真空チャンバの内部で反転させるための反転構造９と、前記電力導入体に電気的に接続され該電力導入体に前記電力を供給するための電源１６，１７とを備えるイオン加工装置１００であって、前記電力を前記電力導入体から前記基材ホルダに供給するための給電構造１０１を有し、前記電源から前記電力導入体を介して前記真空チャンバの内部に導入される前記電力が前記反転構造により反転可能な前記基材ホルダに対して前記給電構造を介して実質的に供給される。 （もっと読む）